新启航半导体有限公司

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• 发布了文章 2025-08-04 10:24

  梯度结构聚氨酯研磨垫的制备及其对晶圆 TTV 均匀性的提升

  

  摘要 本文聚焦半导体晶圆研磨工艺，介绍梯度结构聚氨酯研磨垫的制备方法，深入探究其对晶圆总厚度变化（TTV）均匀性的提升作用，为提高晶圆研磨质量提供新的技术思路与理论依据。 引言 在半导体制造过程中，晶圆的总厚度变化（TTV）均匀性是影响芯片性能和良率的关键因素。传统聚氨酯研磨垫在研磨过程中，因结构均一，难以满足复杂研磨工况下对晶圆 TTV 均匀性的高精度要求

  半导体 晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-07-31 10:27

  切割液性能智能调控系统与晶圆 TTV 预测模型的协同构建

  

  摘要 本论文围绕超薄晶圆切割工艺，探讨切割液性能智能调控系统与晶圆 TTV 预测模型的协同构建，阐述两者协同在保障晶圆切割质量、提升 TTV 均匀性方面的重要意义，为半导体制造领域的工艺优化提供理论与技术参考。 引言 在半导体产业飞速发展的当下，超薄晶圆切割工艺的精度要求不断提升，晶圆 TTV 作为关键质量指标，直接影响芯片制造良率与性能。切割液性能的稳定对

  晶圆 碳化硅 调控系统

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• 发布了文章 2025-07-30 10:29

  超薄晶圆切割液性能优化与 TTV 均匀性保障技术探究

  

  我将围绕超薄晶圆切割液性能优化与 TTV 均匀性保障技术展开，从切割液对 TTV 影响、现有问题及优化技术等方面撰写论文。 超薄晶圆（

  半导体 晶圆

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• 发布了文章 2025-07-29 10:36

  切割液性能 - 切削区多物理场耦合对晶圆 TTV 均匀性的影响及调控

  

  摘要：本文针对晶圆切割过程，研究切割液性能与切削区多物理场耦合作用对晶圆 TTV 均匀性的影响机制，并探索相应调控策略。通过分析切割液性能在热、力、流等物理场中的作用及场间耦合效应，揭示其影响 TTV 均匀性的内在规律，为优化晶圆切割工艺提供理论依据与技术指导。 一、引言 在半导体晶圆制造中，TTV 均匀性是决定芯片制造良率与性能的关键指标。切割过程中，切割

  晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-07-25 10:12

  基于纳米流体强化的切割液性能提升与晶圆 TTV 均匀性控制

  

  摘要：本文围绕基于纳米流体强化的切割液性能提升及对晶圆 TTV 均匀性的控制展开研究。探讨纳米流体强化切割液在冷却、润滑、排屑等性能方面的提升机制，分析其对晶圆 TTV 均匀性的影响路径，以及优化切割工艺参数以实现晶圆 TTV 均匀性有效控制，为晶圆切割工艺改进提供新的思路与方法。 一、引言 在半导体晶圆切割工艺中，晶圆 TTV 均匀性是影响芯片制造质量与良

  晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-07-24 10:23

  切割液多性能协同优化对晶圆 TTV 厚度均匀性的影响机制与参数设计

  

  摘要：本文聚焦切割液多性能协同优化对晶圆 TTV 厚度均匀性的影响。深入剖析切割液冷却、润滑、排屑等性能影响晶圆 TTV 的内在机制，探索实现多性能协同优化的参数设计方法，为提升晶圆切割质量、保障 TTV 均匀性提供理论依据与技术指导。 一、引言 在晶圆切割工艺中，TTV 厚度均匀性是衡量晶圆质量的关键指标，直接影响芯片制造的良率与性能。切割液作为切割过程中

  晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-07-23 09:54

  晶圆切割深度动态补偿的智能决策模型与 TTV 预测控制

  

  摘要：本文针对超薄晶圆切割过程中 TTV 均匀性控制难题，研究晶圆切割深度动态补偿的智能决策模型与 TTV 预测控制方法。分析影响切割深度与 TTV 的关键因素，阐述智能决策模型的构建思路及 TTV 预测控制原理，为实现晶圆高质量切割提供理论与技术参考。 一、引言 在半导体制造技术不断进步的背景下，超薄晶圆的应用愈发广泛，其切割工艺的精度要求也日益严苛。切割

  半导体 晶圆

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• 发布了文章 2025-07-21 09:46

  基于多传感器融合的切割深度动态补偿与晶圆 TTV 协同控制

  

  一、引言 在晶圆制造领域，晶圆总厚度变化（TTV）均匀性是决定芯片性能与良品率的关键指标。切割过程中，切割深度的精准控制直接影响 TTV 。然而，受切削力波动、刀具磨损、工件材料特性差异等因素影响，单一传感器获取的信息存在局限性，难以实现切割深度的精确动态补偿与 TTV 的有效控制 。多传感器融合技术通过整合多源信息，为实现切割深度动态补偿与晶圆 TTV 的

  传感器 晶圆

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• 发布了文章 2025-07-18 09:29

  晶圆切割中深度补偿 - 切削热耦合效应对 TTV 均匀性的影响及抑制

  

  一、引言 在晶圆制造流程中，晶圆总厚度变化（TTV）均匀性是衡量晶圆质量的核心指标，直接关系到芯片制造的良品率与性能表现 。切割深度补偿技术能够动态调整切割深度，降低因切削力波动等因素导致的厚度偏差；而切削热作为切割过程中的必然产物，会显著影响晶圆材料特性与切割状态 。深度补偿与切削热之间存在复杂的耦合效应，这种效应会对 TTV 均匀性产生重要影响，深入研究

  晶圆

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• 发布了文章 2025-07-17 09:28

  切割深度动态补偿技术对晶圆 TTV 厚度均匀性的提升机制与参数优化

  

  一、引言 在晶圆制造过程中，晶圆总厚度变化（TTV）是衡量晶圆质量的关键指标，直接影响芯片制造的良品率与性能。切割过程中，受切削力、振动、刀具磨损等因素影响，切割深度难以精准控制，导致晶圆 TTV 厚度不均匀 。切割深度动态补偿技术通过实时调整切割深度，为提升晶圆 TTV 厚度均匀性提供了有效手段，深入研究其提升机制与参数优化方法具有重要的现实意义。 二、

  晶圆 碳化硅

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