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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2025-11-18 15:58

    选型手册:MOT8120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低导通电阻、280A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS(电池管理系统)、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)
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  • 发布了文章 2025-11-18 15:39

    选型手册:MOT65R180HF N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R180HF是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道超级结功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压功率转换场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_
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  • 发布了文章 2025-11-18 15:32

    选型手册:MOT65R380F N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT65R380F是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借650V耐压、低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道超级结功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压功率转换场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{
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  • 发布了文章 2025-11-17 14:43

    选型手册:MOT4633G 互补增强型 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4633G是一款N+P互补增强型MOSFET,集成N沟道与P沟道单元,凭借先进沟槽设计、低导通电阻及低热阻特性,适用于电机驱动、DC-DC转换器等场景。一、产品基本信息器件类型:N+P互补增强型MOSFET(同时集成N沟道与P沟道单元)核心参数:N沟道:漏源耐压(\(BV_{DSS}\)):40V;导通电阻(\(R_{DS(on
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  • 发布了文章 2025-11-17 14:37

    选型手册:MOT2N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及TO-220F封装适配性,适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压供电系统;导通电阻(\(R_
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  • 发布了文章 2025-11-17 11:27

    选型手册:MOT4529J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):40V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}
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  • 发布了文章 2025-11-14 16:12

    选型手册:MOT3650J N+P 增强型 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT3650J是一款N+P增强型MOSFET,集成N沟道与P沟道单元,凭借超低导通电阻、低栅极电荷特性,适用于计算设备电源管理、负载开关、快速无线充电、电机驱动等场景。一、产品基本信息器件类型:N+P增强型MOSFET(同时集成N沟道与P沟道单元)核心参数:N沟道:漏源耐压(\(BV_{DSS}\)):30V;导通电阻(\(R_{D
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  • 发布了文章 2025-11-14 16:04

    选型手册:MOT2718J P - 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2718J是一款P-沟道增强型功率MOSFET,凭借-20V耐压、低导通电阻及高效功率处理能力,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等场景。一、产品基本信息器件类型:P-沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):-20V,适配低压负电源供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{
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  • 发布了文章 2025-11-14 15:51

    选型手册:MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻,适用于DC/DC转换器、笔记本核心电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):20V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{
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  • 发布了文章 2025-11-14 12:03

    选型手册:MOT5130T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借2.8mΩ超低导通电阻、211A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS(电池管理系统)、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\
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