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• 发布了文章 2025-12-12 15:26

  选型手册：VS320N10AU N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS320N10AU是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-247封装，适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-12 14:34

  选型手册：VST009N15HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VST009N15HS-G是一款面向150V中高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中高压电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：150V，适配中高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-11 15:36

  选型手册：VS3602GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3602GPMT是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-11 11:52

  选型手册：VS4603DM6 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4603DM6是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263-RL封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-11 11:20

  选型手册：VST002N06MS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

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• 发布了文章 2025-12-11 10:52

  选型手册：VS3610AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3610AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流DC/DC转换器、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

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• 发布了文章 2025-12-11 10:48

  选型手册：VS3640DS 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3640DS是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配双路低压电源管理、小型负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配双路低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，单

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-10 14:53

  选型手册：VS3622AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3622AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流DC/DC转换器、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

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• 发布了文章 2025-12-10 14:50

  选型手册：VS3640DE 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3640DE是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用PDFN3333封装，适配双路低压电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配双路低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)

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• 发布了文章 2025-12-10 11:48

  选型手册：VS3640AA N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3640AA是一款面向30V低压小电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN2x2封装，适配小型化低压电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时

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