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• 发布了文章 2025-11-12 09:48

  选型手册：MOT30150F（MBR30150F）肖特基势垒整流二极管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT30150F（MBR30150F）是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借150V耐压、低正向压降及高频整流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型：肖特基势垒整流二极管核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：150V（典型值），最小测试值160V；平均整流输出电流（\(I_

  MOS 二极管 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-11-12 09:34

  选型手册：MOT7N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT7N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、100%雪崩测试验证及700V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-11 09:34

  选型手册：MOT6511J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装，适用于电机驱动（电动工具、电动汽车机器人）等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（

  MOS MOSFET 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-11-11 09:29

  选型手册：MOT3145J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、85A大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装，适用于便携设备、电池供电系统及笔记本电脑电源管理等场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-11 09:23

  选型手册：MOT2N65D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2N65D是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及650V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-11 09:18

  选型手册：MOT50N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性，适用于各类开关应用（如DC-DC转换器、大功率负载开关等）。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；导通

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-10 16:17

  选型手册：MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型：双N沟道增强型MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOS MOSFET 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-11-10 16:12

  选型手册：MOT3920J 双 N 沟道增强型 MOSFET

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3920J是一款双N沟道增强型MOSFET，凭借30V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性，适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型：双N沟道增强型MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

  MOSFET MOT 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-11-10 16:01

  选型手册：MOT9166T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借6mΩ超低导通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-10 15:50

  选型手册：MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电

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