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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2025-11-12 09:48

    选型手册:MOT30150F(MBR30150F)肖特基势垒整流二极管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT30150F(MBR30150F)是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借150V耐压、低正向压降及高频整流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型:肖特基势垒整流二极管核心参数:峰值反向耐压(\(V_{RRM}\)):150V(典型值),最小测试值160V;平均整流输出电流(\(I_
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  • 发布了文章 2025-11-12 09:34

    选型手册:MOT7N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT7N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、100%雪崩测试验证及700V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):700V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{
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  • 发布了文章 2025-11-11 09:34

    选型手册:MOT6511J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装,适用于电机驱动(电动工具、电动汽车机器人)等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压大电流供电场景;导通电阻(
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  • 发布了文章 2025-11-11 09:29

    选型手册:MOT3145J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT3145J是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、85A大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装,适用于便携设备、电池供电系统及笔记本电脑电源管理等场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压大电流供电场
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  • 发布了文章 2025-11-11 09:23

    选型手册:MOT2N65D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2N65D是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及650V耐压,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(
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  • 发布了文章 2025-11-11 09:18

    选型手册:MOT50N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性,适用于各类开关应用(如DC-DC转换器、大功率负载开关等)。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压大电流供电场景;导通
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  • 发布了文章 2025-11-10 16:17

    选型手册:MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET,凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性,适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型:双N沟道增强型MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):20V,适配低压大电流供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
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  • 发布了文章 2025-11-10 16:12

    选型手册:MOT3920J 双 N 沟道增强型 MOSFET

    仁懋电子(MOT)推出的MOT3920J是一款双N沟道增强型MOSFET,凭借30V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性,适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产品基本信息器件类型:双N沟道增强型MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压大电流供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
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  • 发布了文章 2025-11-10 16:01

    选型手册:MOT9166T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借6mΩ超低导通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS(电池管理系统)、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\))
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  • 发布了文章 2025-11-10 15:50

    选型手册:MOT6120T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压大电
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