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• 发布了文章 2025-12-08 10:43

  选型手册：VS6614DS 双通道 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS6614DS是一款面向65V中低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配中低压双路电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：双通道N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：65V，适配中低压双路供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，单通道）：\(

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-08 10:32

  选型手册：VS3622AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3622AE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-05 11:41

  选型手册：VS4401AKH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4401AKH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TOLL封装，适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-05 11:38

  选型手册：VS1696GTH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS1696GTH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封装，适配中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-05 11:16

  选型手册：VSO009N06MS-GA N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSO009N06MS-GA是一款面向65V中低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配中低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：65V，适配中低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-05 09:51

  选型手册：VS3508AP P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3508AP是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-05 09:38

  选型手册：VS3508AP-K P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压负电源切换、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-04 09:59

  选型手册：VS4610AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4610AD是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-04 09:57

  选型手册：VS3522AE P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3522AE是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，适配低压电源切换、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电源场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)时典型

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-04 09:43

  选型手册：VS2646ACL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS2646ACL是一款面向20V低压小电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT23小型封装，适配低压小型化电路的电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=4

  MOS 仁懋电子 晶体管

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