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• 发布了文章 2025-11-06 16:15

  选型手册：MOT7N65AF N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT7N65AF是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-06 16:12

  选型手册：MOT4N70D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{DS

  MOSFET 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-06 16:08

  选型手册：MOT20100D 肖特基势垒整流二极管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT20100D是一款20A规格的肖特基势垒整流二极管，凭借100V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性，适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息核心参数：峰值反向耐压（\(V_{RRM}\)）：100V平均整流输出电流（\(I_o\)）：20A（总电流）正向压降（\(V_F\)）：\(I_F=10A\)时典型

  MOS 整流二极管 肖特基

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• 发布了文章 2025-11-06 16:05

  选型手册：MOT5N50BD N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT5N50BD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：500V，适配高压高频供电系统；导通电阻（\(R_{D

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-06 15:44

  选型手册：MOT100N03MC N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、100A大电流承载能力及优异的开关特性，适用于各类开关应用（如DC-DC转换器、大功率负载开关等）。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场

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• 发布了文章 2025-11-05 16:01

  选型手册：MOT70N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT70N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、70A大电流承载能力及RoHS合规性，适用于各类开关应用（如DC-DC转换器、负载开关等）。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS

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• 发布了文章 2025-11-05 15:53

  选型手册：MOT5122T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  选型手册：MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗及260A超大电流承载能力，广泛适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、电池管理系统（BMS）、无人机等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：

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• 发布了文章 2025-11-05 15:28

  选型手册：MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V

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• 发布了文章 2025-11-05 12:10

  选型手册：MOT15N50F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT15N50F为N沟道功率MOSFET，核心参数表现为：漏源极耐压（\(V_{DSS

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• 发布了文章 2025-11-05 12:01

  选型手册：MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通电阻、18A大电流承载能力及PDFN小型化封装，广泛适用于DC/DC转换器等高效电源转换场景。一、产品基本信息MOT1793G为P沟道增强型功率MOSFET，漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）达-100V；导通电阻（\(R_{DS(on)}

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