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• 发布了文章 2025-11-27 16:52

  选型手册：VS3618AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3618AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借低导通电阻、快速开关特性与高可靠性，适用于低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 16:41

  选型手册：VS3698AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3698AP是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，基于FastMOSII技术实现低导通电阻与高效能，凭借105A大电流承载能力，适用于低压大电流DC/DC转换器、同步整流、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 14:53

  选型手册：VS3633GE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3633GE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于FastMOSII技术实现快速开关与高能量效率，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于低压DC/DC转换器、同步整流、负载开关等中功率领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 14:48

  选型手册：VSP004N10MSC-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现超低导通电阻与高效能，凭借1.00mΩ极致低阻、125A大电流承载能力，适用于中压大电流DC/DC转换器、同步整流、高功率电源管理系统等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 14:42

  选型手册：VSP004N10MS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于FastMOSII技术实现快速开关与高能量效率，凭借超低导通电阻与高可靠性，适用于中压DC/DC转换器、同步整流、电源管理系统等大电流领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-26 15:24

  选型手册：VSP007N12HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现高效能与快速开关特性，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于中压DC/DC转换器、同步整流、电源管理系统等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：120V，适配中

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-26 15:21

  选型手册：VS3618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3618AE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，具备快速开关特性与高能量转换效率，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等低压大电流领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{

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• 发布了文章 2025-11-26 15:18

  选型手册：VSP007P06MS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借超低导通电阻与高电流承载能力，适用于负载开关、DC/DC转换器、电源管理系统等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-60V，适配低压负电压供电场景；导通电阻（\(

  MOSFET 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-26 15:13

  选型手册：VSP003N10HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持10V逻辑电平控制，基于FastMOSII技术实现快速开关与高效能，适用于DC/DC转换器、同步整流、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通

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• 发布了文章 2025-11-26 14:55

  选型手册：VS4020AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4020AP是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借极低导通电阻与高可靠性，适用于DC/DC转换器、同步整流、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(o

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