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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2025-11-05 16:01

    选型手册:MOT70N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、70A大电流承载能力及RoHS合规性,适用于各类开关应用(如DC-DC转换器、负载开关等)。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS
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  • 发布了文章 2025-11-05 15:53

    选型手册:MOT5122T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    选型手册:MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗及260A超大电流承载能力,广泛适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、电池管理系统(BMS)、无人机等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:
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  • 发布了文章 2025-11-05 15:28

    选型手册:MOT4111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、无人机等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V
  • 发布了文章 2025-11-05 12:10

    选型手册:MOT15N50F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT15N50F为N沟道功率MOSFET,核心参数表现为:漏源极耐压(\(V_{DSS
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  • 发布了文章 2025-11-05 12:01

    选型手册:MOT1793G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低压大电流场景的P沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、18A大电流承载能力及PDFN小型化封装,广泛适用于DC/DC转换器等高效电源转换场景。一、产品基本信息MOT1793G为P沟道增强型功率MOSFET,漏源极耐压(\(V_{DSS}\))达-100V;导通电阻(\(R_{DS(on)}
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  • 发布了文章 2025-11-04 16:33

    选型手册:MOT4025G 互补增强型 MOSFET

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4025G是一款互补增强型MOSFET,集成N沟道与P沟道管,凭借40V耐压、超低导通电阻及优异开关特性,适用于电机驱动、DC-DC转换器等大功率场景。以下从器件特性、电气参数、应用场景等维度展开说明。一、产品基本信息器件类型:互补增强型MOSFET(N沟道+P沟道)耐压规格:漏源极耐压(\(V_{DS}\))均为40V导通电阻
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  • 发布了文章 2025-11-04 15:59

    选型手册:MOT4N65F 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性,广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT4N65F为N沟道功率MOSFET,核心参数表现为:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):6
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  • 发布了文章 2025-11-04 15:28

    选型手册:MOT13005DA NPN 硅晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT13005DA是一款NPN硅晶体管,凭借400V高耐压、8A大电流及1700V击穿能力,广泛适用于荧光灯、电子变压器、开关模式电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息核心参数:集电极-发射极耐压(\(V_{CEO}\)):400V集电极连续电流(\(I_C\)):8A封装形式:TO-220F
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  • 发布了文章 2025-11-04 15:22

    选型手册:MOT9N50D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT9N50D是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息MOT9N50D为N沟道增强型功率MOSFET,核心参数表现为:漏源极耐压(\(V_{DSS
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  • 发布了文章 2025-11-03 17:01

    选型手册:MBR10200F 肖特基势垒整流二极管

    仁懋电子(MOT)推出的MBR10200F是一款10A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借200V耐压、低正向压降及高浪涌电流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。一、产品基本信息核心参数:峰值反向耐压(\(V_{RRM}\)):200V平均整流输出电流(\(I_o\)):10A(总电流)/5A
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