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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2026-01-04 16:29

    选型手册:VSP002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V
  • 发布了文章 2026-01-04 16:26

    选型手册:VSP007N07MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP007N07MS是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):80V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=1
  • 发布了文章 2026-01-04 16:23

    选型手册:VSO009N06MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时6
  • 发布了文章 2025-12-31 17:30

    选型手册:VS4020AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS4020AS是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用小型封装(图中未明确具体型号,推测为SOP类小封装),适配低压小型电源管理、电机驱动等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):40V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\
    2.1k浏览量
  • 发布了文章 2025-12-31 17:28

    选型手册:VSO011N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSO011N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时11m
    1.8k浏览量
  • 发布了文章 2025-12-31 17:23

    选型手册:VS6412AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS6412AE是一款面向65V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):65V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
    1.6k浏览量
  • 发布了文章 2025-12-31 17:20

    选型手册:VS4618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS4618AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配低压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):40V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V
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  • 发布了文章 2025-12-31 17:14

    选型手册:VS4604AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS4604AP是一款面向40V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):40V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}
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  • 发布了文章 2025-12-30 17:07

    选型手册:VSP003N06MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP003N06MS-G是一款面向60V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5x6封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V
  • 发布了文章 2025-12-30 15:04

    选型手册:VSP003N10HS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压超大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V

企业信息

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