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• 发布了文章 2026-01-04 16:29

  选型手册：VSP002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP002N03MS-G是一款面向30V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2026-01-04 16:26

  选型手册：VSP007N07MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP007N07MS是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：80V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=1

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2026-01-04 16:23

  选型手册：VSO009N06MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSO009N06MS-G是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时6

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-31 17:30

  选型手册：VS4020AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4020AS是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型封装（图中未明确具体型号，推测为SOP类小封装），适配低压小型电源管理、电机驱动等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-31 17:28

  选型手册：VSO011N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSO011N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOP8封装，适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时11m

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• 发布了文章 2025-12-31 17:23

  选型手册：VS6412AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS6412AE是一款面向65V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3333封装，适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：65V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

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• 发布了文章 2025-12-31 17:20

  选型手册：VS4618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4618AE是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN3333封装，适配低压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

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• 发布了文章 2025-12-31 17:14

  选型手册：VS4604AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4604AP是一款面向40V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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• 发布了文章 2025-12-30 17:07

  选型手册：VSP003N06MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP003N06MS-G是一款面向60V低压超大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

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• 发布了文章 2025-12-30 15:04

  选型手册：VSP003N10HS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5060X封装，适配中压超大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

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