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• 发布了文章 2025-12-01 11:10

  选型手册：VS4401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4401ATH是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封装，凭借1.4mΩ极致低导通电阻与400A大电流承载能力，适用于低压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-12-01 11:02

  选型手册：VS3620GEMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3620GEMC是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于FastMOSII技术实现低导通电阻与高效能，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{D

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-28 12:14

  选型手册：VS1401ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  选型手册：VS1401ATHN沟道增强型功率MOSFET晶体管威兆半导体推出的VS1401ATH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封装，凭借1.0mΩ极致低导通电阻与200A大电流承载能力，适用于中压大电流DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOS

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-28 12:10

  选型手册：VS8402ATH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS8402ATH是一款面向80V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，凭借超低导通电阻与160A大电流承载能力，适用于中压DC/DC转换器、电源管理、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：80V，适配中压供电场景；导通

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-28 12:07

  选型手册：VS3618BE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3618BE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、快速开关特性与高可靠性，适用于低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-28 12:03

  选型手册：VS4620GEMC N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS4620GEMC是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于VeriMOS®II技术实现低导通电阻与高效能，适配低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：40V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-28 11:22

  选型手册：VS3510AP P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3510AP是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借低导通电阻与高电流承载能力，适用于低压电源管理、负载开关、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电压供电场景；导通电阻（\(R_{D

  MOS 仁懋电子 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 16:52

  选型手册：VS3618AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3618AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，凭借低导通电阻、快速开关特性与高可靠性，适用于低压DC/DC转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导通电阻（\(R_

  MOS MOSFET 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 16:41

  选型手册：VS3698AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3698AP是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，基于FastMOSII技术实现低导通电阻与高效能，凭借105A大电流承载能力，适用于低压大电流DC/DC转换器、同步整流、高功率负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\

  MOS 威兆半导体 晶体管

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• 发布了文章 2025-11-27 14:53

  选型手册：VS3633GE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

  

  威兆半导体推出的VS3633GE是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，基于FastMOSII技术实现快速开关与高能量效率，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于低压DC/DC转换器、同步整流、负载开关等中功率领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；导

  MOS MOSFET 晶体管

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