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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2025-12-26 11:57

    选型手册:VSP004N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_
  • 发布了文章 2025-12-26 11:53

    选型手册:VSD004N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSD004N03MS是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{G
  • 发布了文章 2025-12-26 11:50

    选型手册:VS8068AD N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS8068AD是一款面向80V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-262封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):80V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时9.0
  • 发布了文章 2025-12-25 16:31

    选型手册:VSO012N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSO012N06MS是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时8.0
  • 发布了文章 2025-12-25 16:27

    选型手册:VS5810AS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS5810AS是一款面向58V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):58V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时5.8mΩ、
  • 发布了文章 2025-12-25 16:22

    选型手册:VSB012N03MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSB012N03MS是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TDFN3x3.3封装,适配低压超大电流电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):30V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V
  • 发布了文章 2025-12-25 16:18

    选型手册:VSD011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10
  • 发布了文章 2025-12-25 16:14

    选型手册:VSD090N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):100V,适配中压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\
  • 发布了文章 2025-12-24 13:12

    选型手册:VS6016HS-A N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS6016HS-A是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时11mΩ
  • 发布了文章 2025-12-24 13:10

    选型手册:VS6412ASL N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

    威兆半导体推出的VS6412ASL是一款面向60V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用SOP8封装,适配低压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极击穿电压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=10V\)时典型值44

企业信息

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