深圳市首质诚科技有限公司

动态

• 发布了文章 2025-11-24 17:23

  选型手册：MOT1111T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借1mΩ超低导通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：100V，适

  MOS 仁懋电子 晶体管

  1.1k浏览量

• 发布了文章 2025-11-24 17:04

  选型手册：MOT6556T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借0.5mΩ超低导通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适

  MOSFET 仁懋电子 晶体管

  833浏览量

• 发布了文章 2025-11-24 14:45

  选型手册：MOT20N50A N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT20N50A是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、优异的dv/dt能力及500V耐压，适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：500V，适配高压供电系统；导通电阻（\(R_{D

  MOS 仁懋电子 晶体管

  464浏览量

• 发布了文章 2025-11-24 14:33

  选型手册：MOT20N65HF N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT20N65HF是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、100%雪崩测试验证及650V耐压，适用于高效开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：650V，适配高压供电系统；导通电阻（\(R_{DS(

  MOS 仁懋电子 晶体管

  551浏览量

• 发布了文章 2025-11-24 14:27

  选型手册：MOT1165G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高频开关特性及高可靠性，适用于高频开关、同步整流等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压功率转换场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{

  MOS 仁懋电子 晶体管

  591浏览量

• 发布了文章 2025-11-21 10:57

  选型手册：MOT6522J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借先进沟槽技术、低导通电阻及低栅极电荷特性，适用于负载开关、PWM应用、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}

  MOS 晶体管

  402浏览量

• 发布了文章 2025-11-21 10:46

  选型手册：MOT3136D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借2.4mΩ超低导通电阻、120A超大连续电流及优异散热封装，适用于功率开关应用、硬开关高频电路、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压超大电流供电场景；导

  MOS 仁懋电子 晶体管

  388浏览量

• 发布了文章 2025-11-21 10:38

  选型手册：MOT2176D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高可靠性及环保特性，适用于便携设备、电池供电系统、笔记本电脑电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：N沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压大电流供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)

  MOS 仁懋电子 晶体管

  371浏览量

• 发布了文章 2025-11-21 10:31

  选型手册：MOT3712G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT3712G是一款P沟道增强型功率MOSFET，凭借-30V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等领域。一、产品基本信息器件类型：P沟道增强型功率MOSFET核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电压供电场景；导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 仁懋电子 晶体管

  521浏览量

• 发布了文章 2025-11-21 10:24

  选型手册：MOT6929G N+N 增强型 MOSFET 晶体管

  

  仁懋电子（MOT）推出的MOT6929G是一款N+N增强型MOSFET，集成两颗N沟道单元，凭借60V耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于电动工具电机驱动、电动汽车机器人等大功率开关场景。一、产品基本信息器件类型：N+N增强型MOSFET（集成两颗N沟道单元）核心参数：漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配中低压大电流供电场景；导通电阻（\(

  MOS 仁懋电子 晶体管

  444浏览量