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深圳市首质诚科技有限公司

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动态

  • 发布了文章 2025-11-14 15:51

    选型手册:MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻,适用于DC/DC转换器、笔记本核心电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):20V,适配低压供电场景;导通电阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{
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  • 发布了文章 2025-11-14 12:03

    选型手册:MOT5130T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借2.8mΩ超低导通电阻、211A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS(电池管理系统)、无人机等大功率场景。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\
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  • 发布了文章 2025-11-13 09:35

    选型手册:MBR30200W 肖特基势垒整流二极管

    仁懋电子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借200V耐压、低正向压降及高频整流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型:肖特基势垒整流二极管核心参数:峰值反向耐压(\(V_{RRM}\)):200V(典型值),最小测试值210V;平均整流输出电流(\(I_o\)):30A(总电
  • 发布了文章 2025-11-13 09:30

    选型手册:MBR40100W 肖特基势垒整流二极管

    仁懋电子(MOT)推出的MBR40100W是一款40A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借100V耐压、低正向压降及高频整流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型:肖特基势垒整流二极管核心参数:峰值反向耐压(\(V_{RRM}\)):100V(典型值),最小测试值108V;平均整流输出电流(\(I_o\)):40A(总电
  • 发布了文章 2025-11-12 14:19

    选型手册:MOT12N65F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT12N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):650V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R
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  • 发布了文章 2025-11-12 14:15

    选型手册:MOT10N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT10N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):700V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{DS(
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  • 发布了文章 2025-11-12 14:10

    选型手册:MOT4511AF N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT4511AF是一款面向450V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):450V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{D
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  • 发布了文章 2025-11-12 09:48

    选型手册:MOT30150F(MBR30150F)肖特基势垒整流二极管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT30150F(MBR30150F)是一款30A规格的肖特基势垒整流二极管,凭借150V耐压、低正向压降及高频整流特性,适用于开关电源、逆变器、电池充电器等高频整流场景。一、产品基本信息器件类型:肖特基势垒整流二极管核心参数:峰值反向耐压(\(V_{RRM}\)):150V(典型值),最小测试值160V;平均整流输出电流(\(I_
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  • 发布了文章 2025-11-12 09:34

    选型手册:MOT7N70F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT7N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、100%雪崩测试验证及700V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):700V,适配高压高频供电系统;导通电阻(\(R_{
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  • 发布了文章 2025-11-11 09:34

    选型手册:MOT6511J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT6511J是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借低导通电阻、大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装,适用于电机驱动(电动工具、电动汽车机器人)等领域。一、产品基本信息器件类型:N沟道增强型功率MOSFET核心参数:漏源极耐压(\(V_{DSS}\)):60V,适配低压大电流供电场景;导通电阻(
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