深圳市首质诚科技有限公司

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• 发布了文章 2025-10-21 11:40

  MOT (仁懋) MOT1145HD技术全解析

  

  在12V/24V工业电源、低压电机驱动等中功率电力电子场景中，MOSFET的导通损耗与电流承载能力直接影响系统能效与稳定性。MOT(仁懋)推出的MOT1145HDN沟道增强型MOSFET，凭借100V耐压、120A大电流及低导通电阻特性，成为中功率开关场景的高性价比选择。本文参照专业功率器件解析范式，结合仁懋技术特性，从参数、结构、设计等维度展开系统解读。一

  MOS MOT 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-10-21 11:27

  MOT (仁懋) MBR10150F 技术全解析

  

  在开关电源、高频逆变器等中功率电力电子系统中，肖特基整流二极管的正向压降与浪涌耐受能力直接影响系统能效与可靠性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作为10A级别肖特基器件的代表性产品，凭借150V耐压与低功耗特性，成为工业与消费电子领域的优选整流方案。本文参照专业半导体器件解析范式，结合肖特基技术规范与仁懋产品特性，从参数、结构、设计等维度展开系统解读。

  MOS 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-10-20 16:32

  MOT (仁懋) MOT7136T 技术全解析

  

  在400V以上高压工业电源、100kW级新能源逆变器等场景中，MOSFET的反向耐压能力与低损耗特性直接决定系统安全性与能效。MOT(仁懋)推出的MOT7136TN沟道增强型MOSFET，凭借150V高压耐受与低导通损耗的优化组合，成为高压大功率电力电子系统的核心器件。本文参照专业功率器件解析范式，结合仁懋器件技术特性，从参数、结构、设计等维度展开系统解读。

  MOS MOT 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-10-20 16:25

  MOT (仁懋) MOT1126T 技术全解析

  

  在30kW级工业电源、60kW直流快充桩等大功率电力电子场景中，MOSFET的电流承载能力与功率密度直接决定系统集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT1126TN沟道增强型MOSFET，凭借100V耐压与300A大电流的核心规格，搭配低导通损耗设计，成为高功率密度系统的核心器件。本文结合仁懋器件技术特性，从参数、结构、设计等维度展开系统解读。一、产品核心参数精

  MOS MOT 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-10-20 16:04

  MOT (仁懋) MOT8125T 技术全解析

  

  在工业电源、新能源充电桩等大功率电力电子系统中，MOSFET的开关速度与功率承载能力直接决定整机性能上限。MOT(仁懋)作为国家级专精特新“小巨人”企业，推出的MOT8125TN沟道增强型MOSFET，凭借100V耐压与大电流承载的优化组合，成为中高压大功率场景的核心器件。本文参照专业功率器件解析范式，结合仁懋器件技术特性与行业规范，从参数、性能、设计等维度

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• 发布了文章 2025-10-20 15:56

  MOT1145HD 技术解析：仁懋 N 沟道增强型 MOSFET 特性与应用

  

  一、基本参数与结构MOT1145HD是**仁懋电子（MOT）**推出的N沟道增强型场效应管（MOSFET），采用TO-252贴片封装，适用于中大功率开关电源、电机驱动等场景。其核心电气参数如下（典型值@Tₐ=25℃）：参数类别符号额定值测试条件漏源极击穿电压V₍ₛₙ₎100V—连续漏极电流Iₙ120AV₍ₛ₉₎=10V，Tₑ=25℃导通电阻R₍ₛₙₒₙ₎5.

  MOS MOSFET 仁懋电子

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• 发布了文章 2025-10-20 15:48

  MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二极管技术全解析

  

  在开关电源、高频逆变器等电力电子设备中，肖特基整流二极管的性能直接影响系统能效与稳定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作为10A级别肖特基整流器件的代表性产品，凭借低功耗、高浪涌耐受等特性，成为工业与消费电子领域的优选方案。本文结合行业通用技术规范与MOT器件特性，从产品概述、核心参数、性能优势、应用场景等维度展开全面解析。产品核心参数详解MBR10

  MOS 仁懋电子 肖特基二极管

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