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发布了文章 2025-01-20 17:33

功率器件热设计基础（十三）——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大，如采用DSO-8300mil宽体封装的EiceDRIVER1ED3241M

功率器件热设计驱动器

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发布了文章 2025-01-17 17:03

新品 | QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V

新品QDPAKTSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一个高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和鲁棒性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设

MOSFET SiC 工业

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发布了文章 2025-01-16 17:02

2025新年启航，赢取好礼：IPAC直播首秀聚焦光伏行业新趋势

随着新年的钟声敲响，光伏行业正迎来前所未有的发展机遇。市场规模持续扩大，据S&PGlobal最新预测，户用光伏与中小型工商业光伏市场有望在2025年迎来筑底反弹，未来五年将以稳健的6%年复合增长率蓬勃发展。面对这一趋势，行业对光伏提出了更高要求：更大电流、更高电压，更高功率密度，以及更高的可靠性，这已然成为行业前行的必然趋势。如何通过英飞凌最新一代CoolS

MOSFET 光伏

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发布了文章 2025-01-15 18:05

英飞凌IGBT7系列芯片大解析

上回书(英飞凌芯片简史)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micropatterntrench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且

IGBT 芯片英飞凌

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发布了文章 2025-01-14 17:35

新品 | 用于交直流固态断路器评估的高效套件（CoolSiC™版本）

新品用于交直流固态断路器评估的高效套件（CoolSiC版本）REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固态断路器(SSCB)套件用于快速评估交流和直流断路器，带交互式图形用户界面GUI。该套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作电压和16A额定电流，自然冷却，采用顶部散热(TSC)MOSFET封装上的非隔离式散热器。它可支持不同的SSCB应用场

SiC 断路器

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发布了文章 2025-01-13 17:36

功率器件热设计基础（十二）——功率半导体器件的PCB设计

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体的电流密度随着功率半导体芯片损耗降低，最高工作结温提升，器件的功率密度越来越高，也就是

PCB设计功率半导体器件功率器件

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发布了文章 2025-01-11 09:05

第二届电力电子科普作品创作大赛斩获殊荣——荣获2024年全国科普日优秀活动表彰

2024年12月27日，中国科协办公厅正式发布了《关于表彰2024年全国科普日优秀组织单位与活动的通知》，由中国电源学会科普工作委员会携手英飞凌科技（中国）有限公司精心策划的第二届电力电子科普作品创作大赛，斩获“2024年全国科普日优秀活动”殊荣。第二届大赛，我们鼓励参赛者围绕自身工作、学习及兴趣，用文字、视频、动漫等多种形式，展示电力电子技术在电源管理、电

电力电子英飞凌

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发布了文章 2025-01-09 17:06

新品 | 670V TRENCHSTOP™ IGBT7 PR7带反并联二极管TO-247-3大爬电距离和电气间隙封装

670VTRENCHSTOPIGBT7PR7带反并联二极管TO-247-3大爬电距离和电气间隙封装该产品专门针对RAC/CAC和HVAC等升压PFC电路进行了优化。它是TRENCHSTOPIGBT5的后续产品，具有更好的EMI特性、同类最佳的可靠性和坚固性，可为大功率和高开关频率应用提供先进的性能和更高的性价比。产品型号：■KW30N67PR7■IKW40N

IGBT 二极管电气

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发布了文章 2025-01-08 17:03

英飞凌一站式方案助力热泵系统，全新高效功率器件震撼首秀

随着全球能源转型和低碳经济的发展，建筑节能成为重要议题，热泵系统作为一种高效的供暖、制冷和热水供应方式，能够显著降低建筑能耗，提高能源利用效率，在现代社会中有着广泛的应用需求。然而，人们对居住环境舒适度的要求日益提高，热泵行业面临着一个共同挑战：如何实现安静、高效且可靠的热泵系统。英飞凌凭借多年的丰富经验，提供MCU控制器，不同封装的功率器件，以及GateD

功率器件功率模块英飞凌

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发布了文章 2025-01-06 17:05

功率器件热设计基础（十一）——功率半导体器件的功率端子

/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率器件的输出电流能力器件的输出电流能力首先是由芯片决定的，但是IGBT芯片的关断电流能力很强，

功率半导体功率器件热设计