英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2025-06-10 17:06

  新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块

  

  新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCSiCMOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-09 17:45

  CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述

  

  英飞凌新发布了CoolSiCMOSFETGen2系列产品，单管有D2PAK-7L表贴式和TO-247-4HC高爬电距离通孔式两种封装形式。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiCMOSFET650V和1200VGen2技术在确保质量和可靠性的前提下，进一步提升了MOSFET的主要性能指标，拥有更高的效率和功率密度。Gen2SiC性价比提高了15%，是各种

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-07 08:34

  探索吉他音色与效果器的奇妙世界（2）- 失真类效果器

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学李晨曦的投稿。为了得到失真音色，人们往往需要把音箱的音量开到很大，这样做不仅扰民，而且得到的声音也很不稳定，那么有没有一种方法能够在较小的音量下得到失真音色呢？随着半导体技术的发展，失真类效果器应运而生。在介绍失真类效果器之前，需要先简单介绍一下二极管削波电路。二极管削波电路通常由一个或多个二极管、

  效果器 电吉他

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• 发布了文章 2025-06-05 19:45

  倒计时7天 | OktoberTech™ 2025 高峰论坛嘉宾及议程揭晓

  

  当大规模AI训练的能耗在全社会用电量中占比持续攀升；当全球汽车产业加速向电动化、智能化转型；当第三代半导体的应用有效减少了风力发电传输中的能量损耗、提高供电效率……在这场席卷全球的变革浪潮中，科技无疑是助力我们跨越挑战与把握机遇的关键力量。而我们所憧憬的未来，也将依托于各领域的创新解决方案，如绿色高效的能源、智能安全的物联网以及环保安全的交通出行等，它们将共

  AI 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-04 18:33

  论坛日程发布丨OktoberTech™英飞凌生态创新峰会现场高能抢先看

  

  OktoberTech是由英飞凌主办的年度全球技术峰会，旨在展示前瞻性的技术如何推动低碳化和数字化的发展。每一年的OktoberTech，都是我们与产业、客户、合作伙伴相聚一堂、共话未来的珍贵时刻。在为期一天的活动期间，英飞凌与众多相关领域的意见领袖与技术专家将汇聚一趟，共同探讨行业趋势、创新合作及不同领域最新的产品及解决方案等议题。2025年恰逢英飞凌在华

  低碳 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-03 17:34

  新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块

  

  新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半桥和三电平模块采用CoolSiCSiCMOSFET增强型1代M1H芯片，集成NTC温度传感器，PressFIT触点技术和氮化铝陶瓷DCB。目标应用直流-直流变换器，电动汽车充电，光伏和储能系统等。产品型号：■FF6MR20

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• 发布了文章 2025-05-31 08:37

  探索吉他音色与效果器的奇妙世界（1）- 缺陷创造的美

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学李晨曦的投稿。如果你是一位音乐爱好者，当你戴上耳机，聆听着美妙的音乐时，吉他那多变的音色一定能够吸引你的注意。它时而清脆明亮，仿佛阳光灿烂；时而沉稳厚重，带着岁月的厚重感；时而又尖锐狂放，如同冲破束缚的热情。而这些独特的音色，如今大多数都是由数字芯片经特定算法采样处理所生成的。为什么音乐人们要用数字

  效果器 数字芯片 电吉他

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• 发布了文章 2025-05-29 17:04

  新品 | 采用顶部散热 Q-DPAK封装的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VSiCMOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案

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• 发布了文章 2025-05-27 17:03

  新品 | 采用顶部散热QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半桥产品

  

  新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能和不间断电源等。顶部散热QDPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实现更

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• 发布了文章 2025-05-26 18:07

  栅极氧化层在SiC MOSFET设计中的重要作用

  

  碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiCMOSFET技术先进性的关键参数，但其它标准，例如可靠性，也是制约器件表现的重要因素。对于不同的应用，导通电阻与可靠性之间的折衷也略有差异。因此，合理的器

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