英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2025-06-24 17:04

  IPAC碳化硅直播季丨如何应用CoolSiC™ MOSFET设计高能效系统？

  

  碳化硅直播季首场直播收获了过万的观看量，“打铁需趁热”，第一期话题直直戳中了可靠性这个核心战场，第二期就必须得火力全开，好好唠唠怎么把碳化硅的优势发挥到极致。7月2日14:00碳化硅直播季第二期，邀您一同解锁未来能源科技的神秘密码！光储应用热门赛道，众多企业竞相角逐。如何凭借碳化硅技术突出重围，效率比拼的天花板到底有多高？EV充电桩真的是国产的天下吗？Coo

  MOSFET 碳化硅 能效

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• 发布了文章 2025-06-23 17:36

  CoolSiC™ MOSFET G2如何正确选型

  

  之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiCMOSFETG2的产品特点及导通特性（参考阅读：CoolSiCMOSFETGen2性能综述，CoolSiCMOSFETG2导通特性解析），今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiCMOSFETG2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了RDS(on)，开关损耗在SiCMOSFET的选型中也扮演着非常

  MOSFET SiC 仿真电路

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• 发布了文章 2025-06-21 08:33

  多相电机的奇妙世界(1)：从三相到多相的跨越

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自华中科技大学刘自程、王光宇、朱荣培、蒋栋、罗翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。1从三相到多相的跨越——电机系统的技术进步之路交流电机，作为现代工业的“心脏”，已逐渐成为支撑国民经济发展和国防重要装备建设的关键与核心。在现代社会，大至国之重器的“上天入地”，小至日常生活的“衣食住行”，处处都能看见交流电机的身影。电机系

  交流电机 多相电机 电机系统

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• 发布了文章 2025-06-20 17:10

  招生通知｜第二期 IGBT模块：技术、驱动和应用培训班

  

  对于每一位从事电力电子技术的工程师来说，功率半导体，包括二极管和三极管，虽然其基本功能看似简单，但要真正掌握并驾驭其特性却是一项极具挑战性的工作。IGBT作为现代电力电子系统的核心元件，其性能直接影响到系统的效率和可靠性。然而，IGBT的高频、高压工作特性和对驱动电路的复杂要求，使得许多工程师在实际应用中面临诸多挑战：精确控制：IGBT的开关速度和损耗管理需

  IGBT 功率半导体

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• 发布了文章 2025-06-19 17:05

  新品 | 采用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的ANPC三电平虚拟评估板

  

  新品采用CoolSiC400VSiCMOSFET的ANPC三电平虚拟评估板该虚拟设计（提供设计文件，不提供实物产品）为3L-ANPC拓扑，是带隔离的三相三电平逆变器板。优化的PCB布局最大限度地减少了换流回路电感，降低了开关损耗和电压过冲。该设计是工程师和研究人员实验、验证和优化工业电机驱动器和光伏组串逆变器3L-ANPC系统的理想选择。产品型号：■EVAL

  MOSFET SiC 评估板

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• 发布了文章 2025-06-18 17:49

  2025 OktoberTech™精彩回顾二： 新能源与工业应用大咖齐聚，共同奏响产业创新“交响曲”

  

  近日，英飞凌在上海举办的2025OktoberTech大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。来自新能源和工业应用领域的多位重磅级演讲嘉宾分享主题演讲，共同探讨在中国速度及产业挑战背景下，如何通过跨界合作培育本土创新生态体系，合力推动科技创新，促进产业的智能化、绿色化和融合化发展，携手共创数字低碳未来。郑大为先生伊顿电气亚太区电能质量研发副总裁伊顿电气亚太区

  工业 新能源 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-17 17:58

  2025 OktoberTech™精彩回顾一： CoolSiC™碳化硅新品发布， 性能指标领跑全行业

  

  近日，英飞凌在上海举办的2025OktoberTech大中华区生态创新峰会在上海顺利落下帷幕。本次活动中，英飞凌推出多款CoolSiC碳化硅重磅新产品，凭借卓越的性能指标和创新封装设计，继续全面领跑半导体行业，为电力电子系统的高效、可靠运行提供了强有力的支

  SiC 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-16 17:34

  CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析

  

  上一篇我们介绍了英飞凌CoolSiCMOSFETG2的产品特性（参考文章：CoolSiCMOSFETG2性能综述）。那么在实际应用中，G2如何进行正确的选型呢？接下来两篇文章会和大家仔细探讨这个问题。今天的文章将会主要聚集在G2的导通特性上。在MOSFET设计选型过程中，工程师往往会以MOSFET常温下漏源极导通电阻RDS(on)作为第一评价要素。RDS(o

  MOSFET SiC 英飞凌

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• 发布了文章 2025-06-14 10:00

  探索吉他音色与效果器的奇妙世界（3）- 时延和哇音效果器

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学李晨曦的投稿。时延类效果器如果失真类效果器是拿信号的幅值开刀，那么时延类效果器则是在信号的时域特性上做文章。根据原理的不同，可以将时延类效果器大致分为两类，混响、延迟。1混响(Reverb)混响效果器旨在模拟大型音乐厅中的混响效果，混响效果器能够为音频信号增添情感和氛围，使得声音听起来更加宏大、梦幻

  效果器 时延 电吉他

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• 发布了文章 2025-06-12 17:33

  新品 | 用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板

  

  新品用于CoolSiCMOSFETFF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板评估板是用于评估采用1ED3890MC12M栅极驱动器的FF6MR20W2M1H_B70CoolSiCSiCMOSFET模块。用户可以通过双脉冲测试来评估器件性能。目标应用为电动汽车充电，ESSPFC，直流-直流变换器和太阳能等。这是一个用于测试半桥配置的2kVCoolSiC

  MOSFET 测试 评估板

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