英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2024-11-14 01:03

  新品 | D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP™的IGBT7系列

  

  新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK和DPAK封装（TO263-3和TO252-3），提供3A至15A的额定电流产品。是替代西门子SG***N120系列老型号的理想之选，提供兼容升级。产品型号：■IG

  封装 芯片 额定电压

  1.5k浏览量

• 发布了文章 2024-11-12 01:04

  功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法

  

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上

  功率半导体 功率器件 热设计 芯片

  2k浏览量

• 发布了文章 2024-11-08 01:03

  新品 | 符合AQG324标准的车载充电用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模块

  

  新品符合AQG324标准的车载充电用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模块符合AQG324标准的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一个集成的直流缓冲器Snubber电路。完美的性价比组合，适用于车载充电器和电动汽车辅助系统应用。产品型号：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A产品特点高度可靠的压接式针脚预涂

  CoolMOS 充电 车载

  920浏览量

• 发布了文章 2024-11-07 08:03

  英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

  

  11月5日，英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

  MOSFET 功率器件 模块 英飞凌

  1.3k浏览量

• 发布了文章 2024-11-05 08:02

  功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

  

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂

  功率半导体 功率器件 散热器 热设计

  2.5k浏览量

• 发布了文章 2024-11-01 08:06

  新品 | CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000V

  

  新品CoolSiC肖特基二极管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二极管2000VG5系列在高达1500VDC的高直流母线系统中实现了更高的效率和设计简化。由于采用了.XT互联技术，该二极管具有一流的散热性能和很强的防潮能力。它与配套的CoolSiCMOSFET2000V产品组合完美匹配。产品型号：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

  SiC 二极管 肖特基二极管

  997浏览量

• 发布了文章 2024-10-31 08:04

  英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

  

  •英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司；•通过降低晶圆厚度将基板电阻减半，进而将功率损耗减少15%以上；•新技术可用于各种应用，包括英飞凌的AI赋能路线图；•超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌

  功率半导体 晶圆 英飞凌

  789浏览量

• 发布了文章 2024-10-29 08:02

  功率器件的热设计基础（二）——热阻的串联和并联

  

  /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会

  SiC 功率器件 热设计 热阻

  1.3k浏览量

• 发布了文章 2024-10-25 08:04

  英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC

  

  如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC肖特基二极管2000VG5，这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500VD

  直流母线 肖特基二极管 英飞凌

  1.4k浏览量

• 发布了文章 2024-10-24 08:03

  新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板

  

  新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D²PAK7引脚封装，是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。它是一个带功率开关和栅极驱动器接口的单半桥，可轻松构建任何基于半桥的功率拓扑。相关器件：IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)该系列还有各种功

  MOSFET 功率 驱动器

  1.2k浏览量