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日韩贸易战牵动存储器价格上涨 景气是否提早翻多还待观察

半导体动态 来源:工程师吴畏 2019-07-16 16:33 次阅读
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日韩贸易战,引发存储器喊涨效应,存储器景气是否提早翻多,还待观察。

日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口,引起后续材料恐短缺疑虑,激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨,带动南亚科、旺宏、华邦电等存储器族群昨股价带量上涨,这是存储器史上第一次因贸易战引发价格看涨,但存储器景气是否提早翻多还有待观察。

存储器模组大厂威刚董事长陈立白表示,日韩贸易战牵动存储器价格上涨,这种情况为史上第一次。1993年间,日本住友化学曾爆发环氧树脂厂爆炸、造成封装材料短缺,意外事件牵动南韩、日本、美国与***大厂DRAM价格大涨。

至于此次日本对南韩实施限制三项电子关键材料出口,业界传出,龙头大厂三星评估对上游材料料源还无法明确掌握,已对现货市场停止出货;美光近两天也已停止报价。陈立白原预估今年第三季DRAM可望因旺季出现现货价小涨,明年才可能大涨,但受到日韩贸易战冲击,他昨改口说,「7月提早起涨,8、9月也都看涨」。

业界看法分歧

但业界有的持保守看法。因存储器市况供过于求,加上三星电子副会长李在镕亲自赴日协商材料供货也传出有解,影响DRAM现货价昨仅出现小涨,存储器后续涨价效应还有待观察。

南亚科总经理李培瑛日前也指出,DRAM三大供应商库存仍偏高,预估第三季逢旺季到来,整体需求会增加,但因消化库存,合约价格将续跌,不过跌势会缩小。对于日韩贸易战,李培瑛说,到底会是短期或可能长期纷争还需观察,未来几周是关键。一位供应链业者表示,上半年因美中贸易大战,存储器价格大跌,最近只能说止跌,回升还要看后续发展而定。

旺宏预计7月25日举行法说会,公布第二季财报与第三季展望。

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