SK Hynix无锡二厂竣工,晶圆产能全球第一

SK海力士在中国无锡举行了C2F仪式。C2F是C2现有的d-RAM生产线的扩展版本，SK海力士已决定在过去2016年扩大生产线，以解决由于缺乏空间技术移民的生产问题。无锡市委市政府领导、SK Hynix CEO李锡熙、韩国驻上海总领事崔泳杉等人出席了竣工仪式。

SK海力士于2004年与中国江苏省无锡市签订合同，在当地建立制造工厂，并于2006年完成生产线（C2），开始生产DRAM。C2是公司首款300mm FAB工厂，在SK海力士DRAM业务发展中发挥了重要作用。但随着技术的扩展，工艺技术难度增加，设备变得越来越大，导致洁净室空间不足。因此，SK海力士于2017年6月至2019年4月投资建厂，以确保增加生产空间。

C2F是一个单层FAB厂房，建筑面积58000平方米，建筑规模与现有的C2 FAB厂房相似。SK海力士已完成了部分C2F洁净室的建设，安装设备后将开始生产DRAM，也会根据市场情况灵活确定额外洁净室建设和设备安装的时间。

无锡FAB工厂负责人Kang Young Soo表示，通过完成C2F厂房的建设，将能确保SK海力士无锡FAB的中长期竞争力。通过将C2F和C2作为一个FAB运营，我们将最大限度地提高无锡FAB工厂的生产和运营效率。”

SK Hynix无锡二厂达产之后，月产能将达到18万片12英寸晶圆，年销售额预计为83亿美元，这将是全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地，可将SK Hynix在中国DRAM市场上的份额从目前的35%提升到45%的水平。

三星专注于提高核心技术，已宣布在平泽厂规模量产12GB LPDDR4X，2019下半年将增加3倍的供应量，还率先进入1znm技术，下半年量产8Gb DDR4，生产率可提高20%以上。美光也将在2019下半年持续增加1ynm产量，同时送样下一代1znm新技术产品。

面对竞争对手的频频动作，尤其是三星率先进入1znm DRAM工艺，给SK海力士带来了不少的压力，SK海力士1ynm DRAM将在2019年开始供货，成功开发出的1ynm 16Gb DDR5，传输速率比上一代的3200Mbps快约60％，计划将于2020年大规模量产。

SK海力士DRAM生产基地除了中国无锡工厂，韩国利川也是重要的生产基地，而且正在新建M16工厂，可能将用于生产DRAM，或者跟M14一样是生产NAND Flash和DRAM的混合工厂，将视未来需求而定。

SK Hynix无锡二厂宣布开工正是DRAM内存价格高涨的时候，不过时至今日DRAM内存价格江河日下，18万片/月的产能对内存市场的供应来说影响可不小，尽管现在还不会立即达到目标产能，但是无锡工厂的产能大增对全球DRAM内存价格可能是雪上加霜，导致DRAM内存价格持续下滑。

由于智能型手机、PC、数据中心等市场需求放缓，使得DRAM市场供过于求，从2018年开始DRAM市场价格也一直在下滑。

虽然SK海力士C2F厂增加产能对于目前供过于求的DRAM市场不利，恐对市场价格再次冲击，但面对三星、美光等竞争对手，提高DRAM在市场上的竞争力是必要的。众人皆知三星、SK海力士、美光是DRAM市场主要芯片供应商，面对低迷的DRAM市况，理应采取措施应对。其中为了平衡DRAM市场供需，美光还决定减产Wafer产出量。当然，对消费者来说，DRAM内存降价就不是什么坏事了，8GB内存单条跌倒200元是很多人都在期待的好事。