如何使用Soatherm进行MOSFET热模型的设计
在高功率水平下，验证热插拔设计是否不超过MOSFET的能力是一个挑战。幸运的是，热行为和SOA可以在LTSPICE IV®等电路模拟器中建模。LTSPICE中包含的SoathermNMOS符号包含由线性技术开发的MOSFET热模型集合，以简化此任务。这些热模型可用于验证MOSFET的最大模具温度没有超过，即使在斯普里托区域，允许电流在高漏源电压下呈指数下降。理论上，Soatherm报告了MOSFET芯片上最热点的温度。Soatherm模型预测了MOSFET的温度，而不影响电路模拟的电气行为。本视频介绍如何使用Soatherm
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