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中国集成电路设计业的创新成果

集成电路应用杂志 来源:xx 2019-03-16 10:36 次阅读

摘要:自“十二五”以来,中国集成电路设计业持续快速发展。2017 年中国集成电路设计业销售收入达到 2 073.5 亿元(折合 307.1 亿美元),同比增长 26.1%,继续保持了 20% 以上的高速增长。分析中国集成电路设计业的行业规模,各地区的发展状况,设计企业的数量、从业人数和销售规模,以及产品领域的分布。分析了 2017 年中国集成电路设计业的创新成果。

关键词:集成电路;IC 设计;调研分析。

中图分类号:TN40;F426.63 文章编号:1674-2583(2019)02-0008-07

DOI:10.19339/j.issn.1674-2583.2019.02.002

中文引用格式:闵钢.中国集成电路设计业的状况分析[J].集成电路应用, 2019, 36(02): 8-14.

Analysis of the Situation of Integrated Circuit Design in China

MIN Gang

Abstract — Since the Twelfth Five-Year Plan, China's integrated circuit design industry has been developing rapidly. In 2017, the sales revenue of integrated circuit design industry in China reached 207.35 billion yuan ($30.71 billion), an increase of 26.1% over the same period last year, and continued to grow at a high speed of more than 20%. This paper analyses the scale of IC design industry in China, the development of different regions, the number of design enterprises, the number of employees and sales scale, and the distribution of product areas. The innovative achievements of integrated circuit design industry in China in 2017 are analyzed.

Index Terms — integrated circuit, IC design, research and analysis.

1 行业规模

根据中国半导体行业协会(CSIA)公布的数据,2017 年,中国集成电路设计业实现销售收入 2 073.5 亿元,同比增长 26.1%。2011~2017 年年均复合增长率(CAGR)达到 25.67%[1]。

2011~2017 年,中国集成电路 IC 设计业规模占全国 IC 产业链规模的比重一直保持在 27% 以上并逐年增长,于 2017 年达到 38.3%。中国IC设计业发展速度总体高于行业平均水平。

与全球 IC 设计业规模相比,中国 IC 设计业规模占全球集成电路设计业规模的比重从 2011年的 9% 逐年增加至 2017 年的 30.5%,7 年间中国 IC 设计业年均复合增长率为 25.7%,约是全球集成电路设计业年均复合增长率的4倍,这在世界集成电路发达国家(或地区)中是少有的范例。目前,中国大陆 IC 设计业规模已成为仅次于美国的全球第二大 IC 设计业地区。

2011~2017 年中国 IC 设计业的销售规模、增长率及占全国 IC 产业链规模的比重和占全球 IC 设计业规模的比重如表 1 所示。

2 主要地区的发展情况

根据 2017 年 11 月 16 日在北京举办的 ICCAD 2017(中国集成电路设计业 2017 年会暨北京集成电路产业创新发展的高峰论坛)会议上,魏少军理事长报告的信息[2],2016~2017 年中国 IC 设计业主要地区的发展情况如表 2 所示。

2016~2017 年中国主要地区 IC 设计业的销售规模占全国 IC 设计业的比重如图 1 所示。

2016~2017 年中国 IC 设计业销售规模最大的10 个城市的销售规模和增长率如表 3 所示。

2017 年,长三角地区和珠三角地区 IC 设计业规模分别占全国 IC 设计业的 34% 和 35%,仍是中国 IC 设计业最为集中的两大地区;京津环渤海地区占 21%,位居第三;中西部地区虽然规模尚小但发展很快,2017 年销售规模增幅达到 51%,并连续两年增幅超过 50%。

2017 年,中国 IC 设计业销售规模最大的 10 个城市分别是深圳、上海、北京、无锡、西安、杭州、南京、成都、珠海和苏州,其销售规模总和占全国的比重为 90%,与 2016 年(90.5%)基本持平。10 个城市中长三角地区有 5 个,珠三角地区有 2个,中西部地区有 2 个,京津环渤海地区有 1 个。

2017 年,中国 IC 设计业销售规模增长最快的 5 个城市分别是西安(114.57%)、合肥(83.83%)、珠海(66.67%)、厦门(52.38%)、南京(47.06%)。连续两年增长率超过 50% 的城市有合肥与珠海。

3 集成电路设计企业的数量、从业人数和销售规模

3.1 企业数量

2011 年以来全国集成电路设计企业数量逐年增加,在 2016 年大幅增长至 1 362 家企业后,2017 年稳定增长至 1 380 家企业。2011~2017 年中国 IC 设计企业数量如图 2 所示。

3.2 从业人数

2017 年,中国从事 IC 设计业的从业人数共约 14 万人,比 2016 年从业人数 13 万人小幅增长。在 2017 年共计 1 380 家的设计企业中,人员规模超过 1 000 人的共有 16 家,500~1 000 人的有 20 家,100~500 人的有 121 家,100 人及以下的有 1 223 家。与 2016 年相比,规模超过 1 000 人的设计企业增加了 4 家,增幅为 33.3%,其他规模的企业数变化不大。

2015~2017 年中国 IC 设计企业从业人数的分布情况如表 4 所示。

3.3 销售规模

2017 年,在中国共计 1 380 家的 IC 设计企业中,销售规模超过 1 亿元的企业共有 191 家,0.5 亿~1 亿元的有 189 家,0.1 亿~0.5 亿元的有 352 家,1 000 万元及以下的有 648 家。

2017 年中国 IC 设计企业按销售规模的分布情况如图 3 所示。

2017 年,中国销售收入超过 1 亿元的设计企业有 191 家,比 2016 年增加了 30 家,增幅达18.6%。2010~2017 年,销售收入超过 1 亿元的设计企业数呈稳步增长趋势,如图 4 所示。

2017 年,销售收入超过亿元的 161 家设计企业,其销售收入总额高达 1 771.49 亿元,比 2016 年增加了 541.93 亿元,占 IC 设计业销售额总和的比例高达 91.03%,与 2016 年相比上升了 10.06个百分点。这 161 家销售规模超过亿元的设计企业主要集中在长三角地区,有 92 家。其次是京津环渤海地区 37 家,珠三角地区 33 家,中西部地区 29 家,如图 5 所示。

4 产品领域的分布

2017 年和 2016 年中国 IC 设计业各主要产品领域的发展对比如表 5 所示。

在通信、智能卡、计算机、多媒体、导航、模拟芯片、功率芯片和消费电子 8 个领域中,2017 年与 2016 年相比,有通信、多媒体、导航、功率芯片和消费电子 5 个领域的设计企业数量有增加,其中多媒体领域企业数增加比例最高;另外 3 个领域的设计企业数量在减少,其中模拟芯片领域的企业数减少比例最高。

在 8 个产品领域中,通信领域 IC 设计企业的平均规模最大,大企业居多;而导航领域 IC 设计企业的平均规模最小,小企业居多。另外,2017 年功率芯片领域的设计企业数量虽然只比 2016 年的 77 家增加了 5 家,但累计销售总额却增加了 155.14%,企业的平均销售规模增幅高达 139.6%;而多媒体领域的设计企业的数量比 2016 年的 43 家增加了 29 家,但企业的销售总额却下降了0.63%,企业的平均销售规模缩小了 40.7%。

5 2017 年中国前十大集成电路设计企业

根据中国半导体行业协会公布的数据,2017 年中国集成电路设计前十大企业排名如表 6 所示。

与 2016 年相比,2017 年海思半导体有限公司、清华紫光展锐、中兴微电子技术有限公司、华大半导体有限公司 4 家企业仍保持排名前 1、2、3、4 的领先地位,其中,排名第 1 的海思半导体由于麒麟芯片的市场占有率不断提高,年收入增长超过19.14%,稳居国内行业龙头地位;排名第 2 的紫光展锐受制于中低阶手机市场的激烈竞争,2017 年业绩出现回档;以通信 IC 设计为基础的中兴微电子,产品应用领域广泛,2017 年业绩表现不俗,营收增长逾 30%;华大半导体得益于公司丰富的资源,开发智能卡、安全芯片、模拟电路、新型显示器等多种产品,2017 年营收首次超过 50 亿元。智芯微电子 2017 年业绩增长显著,排第 5 名。受益于指纹传感器市场占有率的提升,汇顶科技的营收增长了 29%,排名从 2016 年的第 7 名升至 2017 年的第 6 名。格科微电子因统计口径变更,排名由2016年的第 6 名降至 2017 年的第 9 名,士兰微电子和敦泰科技则上升至第 7 名和第 8 名。大唐半导体设计有限公司因业绩下滑首次出局前十名单,北京中星微电子进而进入前十的名单,为第 10 名。

2017 年,中国前十大集成电路设计企业销售收入合计为 788.2 亿元,比 2016 年增长 14.65%。进入前十大设计企业的门槛为 20.5 亿元,比 2016 年的 23.3 亿元略有下降。2017 年十大设计企业中,排名晋级企业 3 家(汇顶科技、士兰微、敦泰科技),回调企业 1 家(格科微),出局企业 1 家(大唐半导体),新增企业 1 家(中星微电子)。2017 年十大设计企业中,珠三角地区有4家,长三角地区有 3 家,京津环渤海地区有 3 家,与 2016 年情况相同。

6 技术创新

2017 年国内集成电路设计业在多个技术领域取得了可喜的成果。

(1)智能移动平台 CPU。2017 年 3 月,展讯通信携手英特尔共同发布了首款基于英特尔 14 nm 制程的 8 核 64 位英特尔 Airmont 处理器架构的LTE SoC 芯片平台 SC9861G-IA,将展讯超低功耗的芯片设计能力与英特尔 X86 架构的高性能处理能力实现了完美结合。2017 年 8 月,展讯通信再次发布了同样基于英特尔 Airmont 处理器架构的 14 nm 8 核 64 位 LTE 芯片平台 SC9853I,主频达到 1.8 GHz。这两个面向全球中端/中高端通信市场的 LTE 芯片平台,全面支持五模 CAT7 通信,真正实现了 4G+ 的上网体验。

2017 年 9 月,海思半导体发布了首款人工智能移动计算平台-麒麟 970,与高通的骁龙 835、联发科的 Helio X30 同年进入 10 nm 制程时代。海思半导体这款基于台积电 10 nm FinFET 制程的手机 SoC 芯片,包含 55 亿个晶体管,较上一代麒麟 960 功耗下降了 20%,芯片面积缩小了 40%,性能提升了 20%。麒麟 970 最大的亮点,是首次集成了神经网络处理单元 NPU,其 AI 性能密度大幅优于 CPU 和 GPU,相较于四个 Cortex-A73 核心,在处理同样的 AI 应用任务时,新的异构计算架构拥有大约 50 倍能效和 25 倍性能的优势[3],这意味着麒麟 970 芯片可以用更高的能效比完成 AI 计算任务,使中国智能手机的技术和产品进入了国际第一梯队。与此同时,海思半导体又加快了新一代手机处理器麒麟 980 的研发,并基于台积电 7 nm 制程技术,力争在 2018 年上半年问世。

2017 年 2 月,小米科技也发布了自主开发的首款智能手机芯片澎湃 S1,该芯片采用 28 nm HPC+ 工艺,为大小双四核 ARM Cortex-A53 处理器,主频高达 2.2 GHz,GPU 采用 Mali-T860 MP4[4],并全面支持包括 Vulkan 在内的接口。同时,小米又在全力开发第二代智能手机芯片澎湃 S2,并计划 2018 上半年上市。据报道,澎湃 S2 基于台积电 16 nm 工艺制程,采用了 4 核 A73+4 核A53 的设计架构,其中 A73 主频为 2.2 GHz,A53 为 1.8 GHz,GPU 方面采用 ARM 官配的 Mali G71 MP8,支持 UFS2.1 闪存和 LPDDR4 内存。

(2)服务器 CPU。2017 年 4 月,龙芯中科正式发布了龙芯 3A3000/3B3000、龙芯 2K1000、龙芯 1H 等产品。龙芯 3A3000/3B3000 是基于 28 nm FDSOI 工艺的四核 64 位处理器,是龙芯 3 号系列处理器的最新升级产品,在龙芯 3A2000 的基础上设计,并进行了结构上的改进,增加处理器核关键队列项数,扩充片上私有/共享缓存容量等,有利于同主频性能提升,实测主频突破 1.5 GHz 以上,访存接口满足 DDR3-1600 规格,芯片整体性能得以大幅提高,并可直接替换下原龙芯 3A1000/3A2000 芯片,升级 BIOS 和内核,即可获取更佳的用户体验提升。

天津飞腾信息技术有限公司自主设计研制的飞腾 FT-2000/64 是兼容 ARM v8 指令集的 64 核通用处理器,是面向高性能计算(HPC)和高端服务器应用的产品。它采用 28 nm 工艺流片,核心频率为 2.0 GHz,实测使用功耗为 100 W。全芯片内集成64 个飞腾自主设计的 FTC661 处理器核,峰值浮点运算性能达到每秒 5 120 亿次,性能上达到国际先进水平。在国内信息系统及金融、电信、能源等关键行业应用系统中,可部分实现对英特尔“至强”芯片的替代,为国家信息安全保驾护航[5]。

此外,上海澜起科技与清华大学、英特尔公司合作,共同打造融合 X86 和可重构计算技术的新型服务器 CPU,该 CPU 的研制成功,对服务器 CPU 信息安全的掌控有特别重要的意义。

(3)桌面电脑 CPU。2017 年 11 月,上海兆芯发布了新一代的开先 KX-5000 系列国产 X86 处理器,这是兆芯第一款采用 SoC 设计的高端通用 CPU,单芯片集成了 CPU、GPU、高清视频解码器、内存控制器、PCIE 及其他高速数据接口,拥有高集成度、高性能等特点,更是国内首款支持双通道 DDR4 内存的通用 CPU,其里程碑意义格外显著。开先 KX-5000 系列处理器基于先进的 28 nm CMOS 工艺制程技术,主频为 2.2 GHz,睿频可以达到 2.4 GHz,并提供 4 核和 8 核两个版本。加上之前推出的开先 ZX-C 系列、开先 ZX-C+ 系列、开胜 ZX-C+ 系列处理器,以及 ZX-200 IO 扩展芯片、ZX-100S 芯片组等,上海兆芯已是国内仅有的掌握中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、芯片组(Chipset)三大核心技术的公司,2017 年 CPU 出货达到 10 万套。目前,上海兆芯已开始了基于 16 nm 制程技术的下一代产品 KX-6000 系列处理器的研发。

(4)智能电视核心芯片。海思半导体的智能电视芯片自 2015 年进入市场后,销售一直保持旺盛,海思的 Hi3751V800、Hi3751V600、Hi3751V510芯片,正成为多个国际、国内品牌 4K 电视的“心脏”,2017 年年底,海思的智能电视芯片累计销售已达到 2 000 万片左右,市场占有率超过 20%。Hi3751 V600 中的 SoC 集成了 4 颗 ARM Cortcox-A53 CPU 内核,在图形处理方面集成了 6 颗 ARM Mali 450 和 2 颗 VPU 内核,内置 16 GB EMMC 闪存,同时支持 TF 卡扩展[6]。预计未来几年,中国智能电视机的 40%~50% 将采用海思的智能电视芯片及其后续系列。

青岛海信在 2015 年完成超高清画质引擎芯片Hi-View Pro 芯片(国家 01 专项)HS3700 后,2017 年又推出低成本的 60 Hz FRC TCON 芯片HS3710。海信的 Hi-View Pro 画质引擎芯片拥有数十个自主算法和 IP[7],电路规模在 5 000 万门级,晶体管的数量达到了 2 亿个,Hi-View Pro 画质引擎配合海信独有的 ULED 显示技术,进一步提高了海信 ULED 电视的画质表现。

(5)人工智能芯片。人工智能芯片公司寒武纪科技于 2016 年推出了寒武纪 1A 处理器(Cambricon-1A),它成为全球首款商用深度学习专用处理器,面向智能手机、安防监控、无人机、可穿戴设备及智能驾驶等各类终端设备,在运行主流智能算法时,性能功耗比全面超越传统处理器。2017 年11 月,寒武纪科技又发布了 3 款全新的智能处理器 IP 产品:面向低功耗场景视觉应用的寒武纪 1H8、拥有更广泛通用性和更高性能的寒武纪 1H16,以及面向智能驾驶领域的寒武纪 1M,其性能功耗比优于1A 处理器 2.3 倍。寒武纪科技规划了未来 3 年的发展路线图:3 年后占有中国智能芯片市场 30% 的份额,并进入全世界 10 亿台以上的智能终端设备[8]。

2017 年 12 月,另一家人工智能公司地平线机器人(Horizon Robotics)发布了两款自主研发的人工智能视觉芯片:面向智能驾驶的“征程”处理器和面向智能摄像头的“旭日”处理器。这两款嵌入式智能 AI 芯片采用了地平线第一代 BPU 架构(高斯架构),其共同特点是:可实时处理 1 080 P@30 帧的视频,并对每帧中的 200 个目标进行检测、跟踪、识别;典型功耗在 1.5 W;延时可小于 30 ms;接口简单,并可以与主流应用处理器配合。

寒武纪和地平线为中国两家AI芯片的创业公司,其“算法+芯片+云”的战略布局再次印证了在人工智能领域的云端与终端结合、软件与硬件结合的发展趋势。随着中国智能芯片的不断开发与进步,中国企业与国外企业在这一领域的差距在不断缩小。

(6)CMOS 传感器芯片。上海格科微电子 2017 年出货的主力还是 2/5/8/13 M 像素的 CMOS 产品,如 2 M 的 GC2365/ GC2375、5 M 的 GC5005/5025、8 M 的 GC8024/8034 和 13 M 的 GC13003/13023 等,已经成为手机市场中的热卖产品。2017 年,格科微加大了更有竞争力的 5/8/13 M 像素的高端 CMOS 产品的研发,并针对市场需求开发更有竞争力的双摄像头解决方案。多年来,格科微一直在国内 CMOS 图像传感器芯片的出货量市场占有率排名第一,全球市场占有率排名第二。

北京思比科微电子目前批量供货的产品为 0.3 /2/5/8 M 像素系列产品,其中 2 M 的 CMOS 产品在手机市场上的出货量最大,2017 年出货量增至每月 1 500 万至 2 000 万个,并进一步扩大了 5 /8 M 像素产品的市场占有率。

(7)存储器芯片。紫光集团旗下的长江存储研制出了完全自主知识产权的 14 nm 32 层堆栈的 64 G 3D NAND Flash 工程样片,在追赶世界存储器最高水准的征程上成功迈出了第一步。合肥长鑫的 12 英寸 19 nm DRAM 项目和福建晋华的 12 英寸 2x nm DRAM 项目进展顺利,预计 2018 下半年都将进入试产阶段。此外,上海澜起科技 DRAM 缓冲存储器控制芯片一直保持 50% 左右的市场占有率,在国际上保持领先地位。北京兆易创新在全球 NOR Flash 市场上已进入前三位,32 位 MCU 的市场也表现出色,2017 年营收增长 40% 以上。

(8)中国半导体创新产品和技术项目。2018 年 2 月 8 日,中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会、中国电子报社共同发布了“第十二届(2017 年度)中国半导体创新产品和技术”项目评选结果,共 54 个项目。其中,集成电路产品和技术项目为 31 项,具体单位及项目如表 7 所示。

7 结语

自“十二五”以来,中国集成电路设计业持续快速发展。2017 年中国集成电路设计业销售收入达到 2 073.5 亿元(折合 307.1 亿美元),同比增长 26.1%,继续保持了 20% 以上的高速增长。在《国家集成电路产业发展推进纲要》[9]发布和国家、地方一系列鼓励政策的支持下,全国IC设计业形成了新的一轮创业创新热潮。

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    半导体器件在光照和电偏压等外界条件作用下会产生非平衡载流子。非平衡载流子的寿命对半导体器件性能有关键....
    的头像 鸿之微 发表于 09-13 16:46 200次 阅读

    江苏鲲鹏·昇腾生态创新中心助推江苏数字化发展与转型

    鲲鹏应用创新大赛2022江苏赛区决赛圆满落幕。在当天举行的决赛上,经过评委严格评审选拔出五大赛题的优....
    的头像 华为计算 发表于 09-13 14:56 182次 阅读

    立体声流技术在微纳米尺寸生化颗粒物操控中的应用

    近日,他开发出一种全新的声流控技术——立体声流技术(Stereo acoustic streamin....
    的头像 微流控 发表于 09-13 11:20 175次 阅读

    SOI工艺的广泛应用

    绝缘体上硅(SOI)硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。
    的头像 lhl545545 发表于 09-13 11:12 174次 阅读

    光刻技术的原理及其难点分别是什么

    光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片....
    的头像 中科院半导体所 发表于 09-13 11:00 301次 阅读

    天数智芯和江夏区合作共同推动国内自主通用GPU产业生态建设

    9月8日,武汉市江夏区人民政府副区长李世涛一行赴上海天数智芯半导体有限公司(以下简称“天数智芯”)调....
    的头像 天数智芯 发表于 09-09 16:50 470次 阅读

    集成运放电路设计原理图

    在集成电路中,为了不使工艺复杂,尽量采用单一类型的管子,元件种类也要少所以,集成电路在形式上和分立元....
    的头像 multisim 发表于 09-09 11:21 194次 阅读

    鳍式场效应晶体管FinFET提高芯片的驱动能力

    鳍式场效应晶体管(FinFET)是立体多栅器件的一种,其主要特征是由鱼鳍形(Fin)的薄层硅构成折叠....
    发表于 09-09 09:29 57次 阅读

    硬件和软件一起完成的集成电路设计

    集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分,将设计基本分为两部分:芯片硬件设计和软件协同设计。
    的头像 半导体行业相关 发表于 09-08 16:37 267次 阅读

    F5335的特性及应用电路

    F5335是单片集成电路提供所有的活性功能降压CC /简历开关式稳压器开车3负载的能力。9.5 v的....
    发表于 09-08 14:49 26次 阅读

    半导体场效应晶体管

    根据沟道掺杂类型的不同,MOSFET分为nMOSFET和pMOSFET两种,两者组合在一起即为互补型....
    的头像 倩倩 发表于 09-08 09:37 158次 阅读

    带你了解:四种常见的集成电路封装形式

    所谓DIP双列直插式封装,是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片,绝大多数中小规模集成电路IC均采用....
    的头像 半导体行业相关 发表于 09-07 17:28 288次 阅读
    带你了解:四种常见的集成电路封装形式

    使用KA331构建频率电压转换器电路

    频率电压转换器将频率或脉冲转换为成比例的电输出,例如电压或电流。它是重复事件发生的机电测量的重要工具....
    发表于 09-07 16:10 91次 阅读
    使用KA331构建频率电压转换器电路

    碳纳米管材料在柔性集成电路领域的优势和应用前景

    近日,北京大学电子学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡课题组以碳纳米管网络薄膜作为半导体材....
    的头像 微流控 发表于 09-07 15:33 1041次 阅读

    2022中国(深圳)集成电路峰会延期至10月举办

    据组委会消息,为响应深圳市疫情防控要求,确保参会嘉宾与听众健康,保障峰会效果,原定于9月13—9月1....
    发表于 09-07 11:30 115次 阅读
    2022中国(深圳)集成电路峰会延期至10月举办

    朗迅科技引入产业最新发展趋势 保障“金砖大赛”顺利进行

    集成电路产业作为现代信息技术产业的基础和核心,是当前国际竞争的焦点和衡量一个国家或地区现代化程度以及....
    的头像 lhl545545 发表于 09-07 11:24 291次 阅读

    什么是PCBA测试的ICT测试?

    对数字IC,采用Vector(向量)测试。向量测试类似于真值表测量,激励输入向量,测量输出向量,通过....
    的头像 倩倩 发表于 09-07 10:01 353次 阅读

    集成电路中的硅基器件—双极晶体管BJT

    双极晶体管(BJT)是最基础的集成电路器件之一,在集成电路发展史中起着重要的作用。因为这种晶体管工作....
    的头像 倩倩 发表于 09-07 09:27 152次 阅读

    中瓷电子拟斥资38亿元将进军第三代半导体

    氮化镓企业纳微半导体宣布收购GeneSiC Semiconductor(GeneSiC),加速向高功....
    的头像 科技大小事 发表于 09-06 16:15 247次 阅读

    飞腾携手各方力量共同打造快速发展的自主生态体系

    近日,在工业和信息化部人才交流中心(以下简称“工信部人才交流中心”)主办的第二届产业人才创新发展论坛....
    的头像 Phytium飞腾 发表于 09-06 14:37 228次 阅读

    Integrity 3D-IC 的特色功能

    提供了一系列三维堆叠设计流程,通过将二维芯片网表分解成双层的三维堆叠结构,用户可以探索三维堆叠裸片系....
    的头像 Cadence楷登 发表于 09-06 14:19 130次 阅读

    集成电路制造工艺的演进

    为了提高晶体管性能,45nm/28nm以后的先进技术节点采用了高介电常数栅介质及金属栅极(High-....
    的头像 倩倩 发表于 09-06 14:13 203次 阅读

    识别数字语音IC引脚的方法

    将集成电路正面的字母和代码指向自己,使定位标记面向左下角,然后左下角的引脚是第一个引脚,然后逆时针方....
    的头像 九芯智能 发表于 09-05 15:09 187次 阅读

    2022年硅片需求大涨 2023年行情恐怕会发生反转

    半导体材料市场研究和咨询公司TECHCET发布预测,2022年硅片市场(包括SOI晶圆)将同比增长1....
    的头像 半导体产业纵横 发表于 09-05 14:37 480次 阅读

    讲一讲MOS的概念、工作原理、分类以及相关应用

    MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Trans....
    发表于 09-05 11:30 111次 阅读

    集成电路制造技术的演进

    集成电路中的有源区、栅、接触孔、金属互连线等关键部位的大小和间距等关键参数称为特征尺寸,具备某一系列....
    发表于 09-05 11:14 171次 阅读

    基于FAN7710N制作节能灯泡板

    描述 节能灯泡板 传统的白炽灯泡是一种能源浪费,应该从货架上取下。我的新技术专注于提高灯泡的能源利用率,并在节能方面提高...
    发表于 08-31 06:28 968次 阅读

    LM2576 5v直流转换器的资料分享

    描述 基本 LM2576 5v 直流转换器 LM2576 系列稳压器是单片集成电路,可为降压(降压)开关稳压器提供所有有源功能,能够...
    发表于 08-25 07:11 863次 阅读

    2022年中国大陆集成电路设计人才需求报告

    2022年中国大陆集成电路设计人才需求报告 下载地址 2022年中国大陆集成电路设计人才需求报告-电子电路图,电子技术资料网站 (el...
    发表于 08-17 16:18 46854次 阅读

    PIC18F46K22-I/PT这颗物料除了用智能家居,适配器,还用哪些产品?

    PIC18F46K22-I/PT  目前客户咨询的越来越多,也不知道什么原因,难不成真的是因为市场行情所导致客户都不使用...
    发表于 08-16 11:25 2078次 阅读

    清华大学集成电路学院推出的面向社会课程

    *附件:清华大学集成电路设计项目简章.pdf[*附件:集成电路设计报名表(学员姓名)0705.doc] ...
    发表于 08-02 15:51 1120次 阅读

    【资料】电源管理集成电路及应用(下册)学习文档资料PDF电子书

    《电源管理集成电路及应用》这套书分为上、下册,本书是其中的下册。本书共收集了实际中使用最多和应用最广泛的电源管理集成电路...
    发表于 07-28 15:43 6965次 阅读
    【资料】电源管理集成电路及应用(下册)学习文档资料PDF电子书

    【资料】电源管理集成电路及应用(上册)学习文档资料PDF电子书

    《电源管理集成电路及应用》这套书分为上下两册,本书是其中的上册,收集了在实际中使用最多和应用最广泛的电源管理集成电路,共...
    发表于 07-28 14:40 7668次 阅读
    【资料】电源管理集成电路及应用(上册)学习文档资料PDF电子书

    电源管理集成电路大全PDF学习资料文档电路原理图

    非常实用的电源管理集成电路合集,包含了POE电源、分布式(DPA)电源及PFC电源,相关电源电路图参考资料。 ...
    发表于 07-06 11:03 12630次 阅读
    电源管理集成电路大全PDF学习资料文档电路原理图

    射频集成电路的电源管理PDF学习资料文档电子书电路设计案例

    本文描述电源噪声可能对RFIC 性能造成的影响。本例子的集成锁相环(PLL)和电压控制振荡器(VCO)的ADRF6820 正交...
    发表于 07-05 16:04 11220次 阅读
    射频集成电路的电源管理PDF学习资料文档电子书电路设计案例

    贴片集成电路缓冲器资料分享

    描述 贴片集成电路缓冲器
    发表于 06-28 06:31 231次 阅读

    MM74HC02 四路2输入 或 门

    02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-02 15:02 519次 阅读

    MM74HC00 四路2输入NAND门

    00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-02 14:02 594次 阅读

    MM74HCU04 六路反相器

    U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-02 11:02 560次 阅读

    MM74HCT164 8位串进/并出移位寄存器

    T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...
    发表于 08-02 03:02 218次 阅读

    MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

    595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul> 带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-02 02:02 426次 阅读

    MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

    164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
    发表于 08-02 02:02 523次 阅读

    MM74HC373 3态八路d型锁存器

    373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-02 02:02 502次 阅读

    MM74HC573 3态八路d型锁存器

    573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-02 02:02 314次 阅读

    MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

    T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
    发表于 08-01 22:02 620次 阅读

    MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

    175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 22:02 504次 阅读

    MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

    574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 22:02 706次 阅读

    MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

    74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 22:02 662次 阅读

    MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

    574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 08-01 22:02 528次 阅读

    NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

    线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 16:02 347次 阅读
    NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

    MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

    0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 06:02 301次 阅读
    MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

    NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

    530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 05:02 362次 阅读

    NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

    2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
    发表于 07-30 03:02 427次 阅读
    NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

    NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

    2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 02:02 381次 阅读

    NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

    9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
    发表于 07-30 02:02 1290次 阅读
    NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

    NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

    系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
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