总结
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
114文章
8086浏览量
220255
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
MTA_VRT 软件:并网设备VRT测试,现场即出可提交结论
工程师测试现场即出可提交结论。VRT测试进入更严格的标准化阶段电压穿越(VRT,VoltageRide-Through)是指并网设备在电网电压发生暂降或暂升时,维持不脱
MOSFET管开关电路基本知识总结
总结以上知识,在选MOSFET开关时,首先选MOS管的VDS电压,和其VGS开启电压,再就是ID电流值是否满足系统需要,然后再考虑封装了,功耗了,价格了之类次要一些的因素了,以上是用P沟道MOS管做的例子,N沟道的其实也是基本上一样用的。
安路科技2025年度总结
2026年2月6日,安路科技2025年度总结大会暨表彰盛典在上海圆满召开,公司全员齐聚一堂,总结过去,展望未来。会上,公司管理层发表了主题为“拥抱变化,共同成长”的战略展望。
航盛集团2025年终总结表彰大会圆满举办
2月8日,以“航心聚力·盛耀前行”为主题的航盛集团2025年终总结表彰大会在深圳总部圆满举办。大会系统总结了2025年集团经营成果与“十四五”高质量发展成效,全面部署了集团“十五五”战略规划任务
广电计量2025年度总结表彰大会圆满举行
1月28日,广电计量2025年度总结表彰大会在广州举行。大会全面回顾了过去一年公司取得的经营成果与创新突破,表彰了一批先进集体与个人,并对公司2026年工作进行规划与部署。
广州数科集团出席广电计量2025年度总结表彰大会
1月28日,广电计量召开2025年度总结表彰大会。广州数科集团党委书记、董事长黄跃珍出席活动并作《四“质”立身,以新致远,开启“十五五”高质量发展新篇章》主题讲话。
芯源功率器件SJ -MOSFET产品的优势
晶圆工艺: 采用2.5代深槽( Deep-Trench )超结工艺,更少的光罩层数,生产周期更短,更具成本优势
低内阻:特殊的超结结构让高压超结MO S内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1
发表于 12-29 07:54
功率器件SJ-MOSFET产品的优势及应用
晶圆工艺:
采用2.5代深槽( Deep-Trench )超结工艺 ,更少的光罩层数,生产周期更短,更具成本优势
低内阻:
特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1
发表于 12-02 08:02
芯源SJ-MOSFET产品的优势
晶圆工艺:采用2.5代深槽( Deep-Trench )超结工艺 ,更少的光罩层数,生产周期更短,更具成本优势
低内阻:特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1
发表于 11-28 07:35
常用PromQL查询案例总结
在云原生时代,Prometheus已经成为监控领域的事实标准。作为一名资深运维工程师,我见过太多团队在PromQL查询上踩坑,也见过太多因为监控不到位导致的生产事故。今天分享10个实战中最常用的PromQL查询案例,每一个都是血泪经验的总结。
致真精密仪器2025年中总结表彰大会成功举行
日前,致真精密仪器 2025年中总结表彰大会暨下半年战略启动会在公司总部圆满落幕。青岛、北京、杭州三地员工及校企联合实验室师生线上/线下全体参会,共同回顾总结上半年发展成果,同时计划部署下半年战略规划。
Kubernetes集群运维经验总结
本文总结了我和团队在K8s生产环境中遇到的10个最常见且最致命的坑,每个坑都配有真实案例、详细分析和可执行的解决方案。
复合式过电压保护器故障类型归纳总结
复合式过电压保护器在使用的过程中,不可避免会出现一些故障,下面我们对常见故障进行了归纳总结,主要有以下几类:绝缘故障、过电压承受能力不足故障、部件老化故障、误动作与拒动作故障和其他故障。
总结结论
评论