晋华在美力争摆脱禁运清单

国内自主存储DRAM技术阵营“福建晋华案”持续发酵，美方提出可能最高超过200亿美元的罚金，成为全球半导体界的“历史天案”，也是国产替代业者发展存储器芯片心头挥之不去的一道阴霾。这桩“历史天案”于2019年1月10日在旧金山联邦法院开庭审理。

福建晋华10日也于官网发布公告表示，针对其2018年9月在美国加州北部地区法院受到的指控，已聘请专业代理机构协助，并向法院做出“无罪抗辩”。晋华将向法庭陈述案情，证明其业务的开展始终秉承着最高诚信标准。

值得一提的是，由于案件事实与证据往往盘根错节，被告方所提供的无罪证据既要准备充足又要能够在法庭辩论阶段，针对公诉人提出的论点进行有利反驳，因此无罪辩护一般情况下成功率可能不高。

所以，本次福建晋华选择无罪抗辩的解决方式，无疑是有一定的把握与信心。目前，受本次事件影响，联电为福建晋华研发DRAM的约300多人团队成员当中，已撤回台湾地区，后者的量产计划也遥遥无期。

福建晋华表示，在未来几个月里，致力于争取将晋华从美国商务部出口管制实体清单中移除，并说明重建晋华与其美国商业伙伴之间正常贸易与合作的重要性。

此外，在此次案件中“关于三名台湾业内人士被指控涉嫌密谋窃取商业机密”的部分，则计划在下个月开庭审理。

晋华、联电与美光的“新仇旧恨”

全球第3大晶圆代工厂的联电，携手福建晋华和DRAM巨擘美光公司打起全球诉讼。江湖恩怨，互不相让。

2017年9月6日与12月5日，美光先后在台湾地区和美国加州提起民事诉讼，控告联电及福建晋华侵害其知识产权和盗窃商业机密。作为反击，2018年1月，联电在中国福州市中级人民法院提起诉讼，控告美光侵害联电专利；该案至7月时宣布裁定结果，福州市中级法院发出诉中禁令，禁止美光在中国销售26个DRAM与FLASH产品，包含相关的固态硬盘（SSD）与存储器产品。

此次江湖恩怨的真正导火线，是2016年联电和福建省晋华集成电路公司的一纸文件。该文件指出联电和晋华协议，由晋华提供3亿美元替联电采购研发设备，再按DRAM 技术的开发进度支付联电4亿美元，在此期间联电必须开发出32纳米的DRAM相关制程技术，开发成果将由双方共同拥有。值得注意的是，本次福建晋华的DRAM计划负责人正是前美光前台湾区总经理陈正坤。

2018年10月29日，美国商务部未进入司法流程，并发布公告称对福建省晋华集成电路有限公司实施“出口管制”，自10月30日起正式实施。11月2日，美方再次宣布将分别对本次专利纠纷案等相关人等提起刑事与民事诉讼。如果罪名成立，被告人将会面临最高15年监禁和500万美元的罚款，被告公司可能将会面临超过200亿美元的罚款。同时禁止转让被盗技术，并且利用被盗技术的产品将会在美国被禁售。

至此，“福建晋华案”被推向全球半导体产业的风口浪尖。

2018年11月9日，联电发表声明，否认相关指控，并称在联电38年来的成长历程中已积累了近15年制造DRAM产品的经验。

回顾梳理不难发现，已经放弃先进工艺制程的联电正在把过去累积的半导体技术实力，拿到新的市场上“变现”。然而联电的策略能否成功，晋***产替代能否进一步突围，除了攻克技术难关外，能不能打赢当前的法律大战，仍是最重要的关键。