DRAM市场疲软延续至2019年 三星，SK海力士与美光支出下滑

全球研究机构IC Insights表示，随着DRAM市场疲软可能延续到明年上半年，三星（Samsung）等三大DRAM供应商的资本支出下滑，使得明年半导体资本支出可能趋缓，预计将比今年新高水准减少12％。

IC Insights预测今年半导体业的资本支出总额将增长15％至1071亿美元，为首度突破1000亿美元新高，但预计2019年半导体资本支出将下降12％。

IC Insights预期，三星（Samsung）今年资本支出可能比去年的242亿美元减少，但将维持在226亿美元高档，还是会居全球半导体业之冠。三星近2年资本支出合计将高达468亿美元。

IC Insights表示，三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响，已经开始的一个影响是3D NAND的产能过剩;除了三星大举支出，SK海力士（Hynix）等竞争对手支出也相当积极。

IC Insights指出，SK海力士今年半导体资本支出可能增加58％，增加的支出将主要集中在韩国的3D NAND Flash厂与大陆无锡的DRAM厂。

有鉴于动态随机存取记忆体（DRAM）市场疲软，可能延续到明年上半年，三星，SK海力士与美光（微米）三大DRAM供应商的资本支出，可能从2018年的454亿美元，下滑到2019年的375亿美元，减少17％。

IC Insights预期，明年整体半导体业资本支出可能较今年减少12％;其中，三星，英特尔（Intel），海力士，台积电与美光5大厂明年资本支出将减少14％，其余的半导体厂明年资本支出减少幅度可能较小，将减少约7％。