近日,RAVPower发布了一款USB PD充电器新品,这款充电器内置了时下关注度很高的GaN氮化镓功率器件,这在业内被称为第三代半导体。而导入到充电器中,将会给体积带来显著变化,帮助到快充实现轻薄化、小型化。
通过官方描述页面可见,RAVPower 45W GaN充电器采用USB-C口输出,正反可插。电压档位非常丰富,具备了5V/2.4A、5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/2.25A等输出规格。5-20V的宽电压输出,可以满足手机、平板、笔记本的充电需求。尤其是具备20V 45W功率后,很多笔记本电脑也得以兼容。
目前这款产品已经登录美国亚马逊电商平台,售价54.99美金,约合人民币382元。RAVPower 45W GaN充电器的上市,又丰富了电源发烧友的选择。可见新一代半导体技术的革新浪潮,也悄然来临。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
339文章
31590浏览量
268152 -
充电器
+关注
关注
100文章
4430浏览量
122534
原文标题:RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件
文章出处:【微信号:iawbs2016,微信公众号:宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
UGREEN绿联X860充电器获得TÜV南德首张紧凑型高功率充电器S级认证证书
近日,TÜV南德意志集团(以下简称 "TÜV南德")为深圳市绿联科技股份有限公司(以下简称 "UGREEN绿联")旗下的65W USB-C 氮化镓快充充电器(型号X860,以下简称"X
内置氮化镓成主流?AHB技术你又了解多少?
内置氮化镓成主流?AHB技术你又了解多少?
在快充充电器等应用中,非对称半桥(AHB)拓扑凭借高效率、低EMI等优势,正受到越来越多工程师的青睐。
AHB 本质上是在传统反激思路上进一
发表于 04-18 10:35
PD快充/氮化镓充电器高压输入端电容如何兼顾小体积、大容值与低ESR?——永铭液态铝电解电容应用方案
在PD快充与氮化镓(GaN)充电器设计中,高压输入端液态铝电解电容,通常位于整流后的高压母线侧,承担输入储能、纹波吸收与电压稳定的重要作用。
掌握PD/QC快充协议诱骗芯片IC应用,USBA和C充电器取电测试
PW6606 的工作方式完全符合快充协议标准,是设备端与充电器端之间的正常协商过程。PW6606支持PD3.2/3.1/3.0/2.0,PD协议的电压诱骗取电:5V,9V,12V,15V,20V,即使
发表于 03-31 14:59
CHA6154-99F三级单片氮化镓(GaN)中功率放大器
CHA6154-99F三级单片氮化镓(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款三级单片
发表于 02-04 08:56
CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器
CHA8107-QCB两级氮化镓(GaN)高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors(UMS)推出的一款两级
发表于 12-12 09:40
用专为硅 MOSFET 设计的控制器来驱动 GaN FET
速度和更高的能效。但对于某些应用来说,则会面临重大设计挑战。 从紧凑型 USB-C 充电器、电子式车载充电器到太阳能和数据中心应用,设计人员都渴望利用 GaN 半导体技术,打造出更小、
借助德州仪器自偏置转换器应对USB PD充电器设计挑战
市场对更小、更轻、更高效的交流/直流 USB 供电 (PD) 充电器的需求一直是电源设计工程师面临的挑战。在 100W 以下,准谐振反激结构仍然是主要的拓扑结构,氮化
PD快充芯片U8725AHE的主要特性
充电器和适配器等快充设备,需匹配高功率密度与宽电压输出范围的快充芯片。深圳银联宝科技推出的20V单高压带恒功率氮化镓
RAVPower发布新款USB PD充电器 内置GaN氮化镓功率器件
评论