深入了解 onsemi NVMFS5826NL：高性能单通道 N 沟道 MOSFET

在电子工程师的日常工作中，选择合适的 MOSFET 至关重要。今天，我们来详细探讨 onsemi 推出的一款单通道 N 沟道 MOSFET——NVMFS5826NL，它具备诸多出色特性，适用于多种应用场景。

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产品概述

NVMFS5826NL 是 onsemi 推出的一款单通道 N 沟道 MOSFET，其耐压为 60V，最大电流可达 26A，导通电阻（ (R_{DS(on)}) ）低至 24 mΩ。该产品采用了 5x6 mm 的小尺寸封装（DFN5），专为紧凑设计而打造，能够在有限的空间内实现高性能的功率转换。同时，它还是无铅器件，符合 RoHS 标准，环保又可靠。

产品特性

紧凑设计

NVMFS5826NL 拥有 5x6 mm 的小尺寸封装，这对于追求紧凑设计的电子产品来说是一个巨大的优势。在如今的电子设备中，空间往往是非常宝贵的，小尺寸的 MOSFET 可以让电路板的布局更加灵活，从而实现更小型化的产品设计。

低损耗性能

• 低导通电阻（ (R_{DS(on)}) ）：该 MOSFET 的 (R{DS(on)}) 非常低，能够有效降低导通损耗。在功率转换应用中，导通损耗是一个重要的考虑因素，低 (R{DS(on)}) 意味着在相同的电流下，MOSFET 产生的热量更少，从而提高了整个系统的效率。
• 低栅极电荷（ (Q_{G}) ）和电容：低 (Q_{G}) 和电容可以减少驱动损耗，使得 MOSFET 在开关过程中更加高效。这对于高频应用尤为重要，能够提高开关速度，降低开关损耗。

可靠的品质

• AEC - Q101 认证：经过 AEC - Q101 认证，说明该产品符合汽车级标准，具有较高的可靠性和稳定性，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
• PPAP 能力：具备 PPAP（生产件批准程序）能力，能够满足大规模生产的要求，确保产品的质量和一致性。

电气特性

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（ (T_{mb}=25^{circ}C) ）	(I_{D})	26	A
连续漏极电流（ (T_{mb}=100^{circ}C) ）	(I_{D})	19	A
功率耗散（ (T_{mb}=25^{circ}C) ）	(P_{D})	39	W
功率耗散（ (T_{mb}=100^{circ}C) ）	(P_{D})	19	W
脉冲漏极电流（ (T{A}=25^{circ}C) ， (t{p}=10mu s) ）	(I_{DM})	130	A
工作结温和存储温度	(T{J})， (T{stg})	- 55 至 + 175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	32	A
单脉冲漏源雪崩能量（ (T{J}=25^{circ}C) ， (V{DD}=24V) ， (V{GS}=10V) ， (I{L(pk)}=20A) ， (L = 0.1mH) ， (R_{G}=25Omega) ）	(E_{AS})	20	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8″ ，10s）	(T_{L})	260	°C

电气参数

• 截止特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为 60V（ (V{GS}=0V) ， (I{D}=250mu A) ），零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (T{J}=25^{circ}C) 时为 1.0(mu A) ，在 (T{J}=125^{circ}C) 时为 10(mu A) ，栅源泄漏电流 (I{GSS}) 为 ±100nA（ (V{DS}=0V) ， (V_{GS}=±20V) ）。
• 导通特性：导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V) 时为 24mΩ，在 (V_{GS}=4.5V) 时为 32mΩ。
• 电荷和电容：输入电容 (C{iss}) 为 850pF（ (V{GS}=0V) ， (f = 1MHz) ），输出电容 (C{oss}) 为 85pF（ (V{DS}=25V) ），反向传输电容 (C{rss}) 为 50pF。总栅极电荷 (Q{G(TOT)}) 在 (V{GS}=4.5V) ， (V{DS}=48V) ， (I{D}=10A) 时为 9.1nC，在 (V{GS}=10V) ， (V{DS}=48V) ， (I{D}=10A) 时为 17nC。
• 开关特性：开通延迟时间 (t_{d(ON)}) 为 24ns。

典型特性

文档中给出了多个典型特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大雪崩能量与起始结温关系以及热响应等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解该 MOSFET 在不同工作条件下的性能，从而进行更准确的设计。

订购信息

该产品提供了多种不同的型号和包装选项，如 NVMFS5826NLWFT1G、NVMFS5826NLT1G、NVMFS5826NLT3G 和 NVMFS5826NLWFT3G 等，均采用 DFN5 封装，并且都是无铅产品。不同型号的包装数量有所不同，如 NVMFS5826NLWFT1G 和 NVMFS5826NLT1G 为 1500 个/卷带，NVMFS5826NLT3G 和 NVMFS5826NLWFT3G 为 5000 个/卷带。需要注意的是，部分型号已经停产，在进行新设计时需要谨慎选择。

机械尺寸

文档中详细给出了 DFN5 封装的机械尺寸和引脚定义，包括顶视图、侧视图和底视图等。同时，还提供了焊接脚印和推荐的引脚连接方式，方便工程师进行电路板设计。

总结

总的来说，onsemi 的 NVMFS5826NL 是一款性能出色的单通道 N 沟道 MOSFET，具有小尺寸、低损耗、高可靠性等优点。在设计电子产品时，电子工程师可以根据具体的应用需求，结合该产品的电气特性和典型特性曲线，合理选择和使用该 MOSFET，以实现高效、可靠的功率转换。你在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的选型问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。