Veeco和ALLOS展开技术合作，加速200毫米硅基氮化镓Micro-LED的应用

Veeco Instruments Inc.（纳斯达克股票代码：VECO）和ALLOS Semiconductors GmbH在11月8号宣布了其合作开发另一个阶段的完成，这项合作旨在为业内Micro-LED的生产提供先进的硅基氮化镓（GaN-on-Silicon）外延片。两家公司最近这次合作的目的正是希望向一些全球著名的消费电子产品公司展示其200毫米硅基氮化镓外延片技术的可重复性，该外延片由ALLOS使用Veeco的Propel®MOCVD反应器制成。

“为了让Micro-LED技术正真投入生产，简单实现单个指标参数的最佳化是远远不够的。每个晶圆的整套规格都必须具备最高的良率和可重复性，”Veeco化合物半导体业务部高级副总裁兼总经理Peo Hansson博士说道，“这次合作的成功再次证明了将Veeco在MOCVD领域的专业知识与ALLOS的硅基氮化镓外延片技术相结合所带来的巨大潜力。它为Micro-LED技术在客户端的尽快采用提供了一种新颖的，经过验证且可靠的方法。”

筛选（Sorting）和分级（binning）是实现传统LED波长一致性的标准方法。但是Micro-LED太小且数量巨大，无法进行这样的筛选和分级，因此外延沉积的均匀性至为关键。实现Micro-LED显示器大规模生产最重要的因素是满足发射波长极端的均匀性要求，Micro-LED发射波长方面的高度均匀性可以免除对单个Micro-LED芯片进行测试和分选的需求。依据应用和转移方法的不同，业内外延片发射波长的均一性要求做到+/- 1 nm至+/- 4 nm不等。通过这一项目的合作，Veeco和ALLOS进一步提高了发射波长的均匀性，晶圆上最佳的标准偏差仅为0.85 nm，这也是业界首次在生产系统上测得。

“Veeco和ALLOS验证了晶圆到晶圆的可重复性，所有晶圆发射波长标准偏差的均值为1.21 nm，峰值波长在+/- 0.5 nm范围内。这些结果表明我们朝着外延片层面+/- 1 nm分级的目标又迈出一大步，”ALLOS首席执行官Burkhard Slischka说道，“我们的技术已经可以在200毫米直径的晶圆上使用，这意味着在低成本、高产率的硅基线上生产Micro-LED芯片成为可能。此外，我们还有一个明确的技术路线图，那就是将该技术从200毫米拓展到300毫米。”

显示技术领域的众多创新者都将Micro-LED作为下一个带来巨大转变的技术。根据研究公司Yole的说法，到2025年，Micro-LED显示器的市场可能达到3.3亿片。这种乐观的预测得益于Micro-LED技术（边长低于100微米）带来的巨大潜力，它被认为是实现更低功耗终极显示器的关键技术。不过，这种显示器的开发一直受到材料成本和芯片转移技术的阻碍。随着持续和客户在改进硅基氮化镓外延片和Micro-LED转移技术方面的合作，Veeco和ALLOS正在有效地解决这些挑战。

2018年11月12日，这两家合作公司将在于日本金泽举行的国际氮化物半导体研讨会（IWN）上展示其更多的突破性成果和细节。

关于Veeco：

Veeco是一家具有创新能力的半导体工艺设备制造商。该公司产的MOCVD、光刻、激光退火、离子束、单晶圆蚀刻和清洁等技术，在固态照明与显示器用LED和先进半导体器件的制造过程中发挥着不可或缺的作用。凭借这些高性能、高产量的设备，Veeco在所有这些服务市场中处于技术领导地位。

关于ALLOS半导体：

ALLOS是一家知识产权许可和技术工程公司，正致力于帮助全球半导体行业的客户掌握硅基氮化镓技术，并希望推进该市场的成长。ALLOS正在为其专有技术和专利提供许可，这些技术和专利可以用到客户的MOCVD反应器中。此外，ALLOS还为下一代硅基氮化镓技术的开发提供客户定制方案和咨询服务。