4GB (x64, SR) 288-Pin DDR4 UDIMM 技术解析

在当今的电子设备中，内存模块的性能对系统整体表现起着至关重要的作用。今天我们就来深入探讨一下 4GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM 这款内存模块，看看它有哪些独特的特性和设计要点。

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一、产品概述

这款 4GB (x64, SR) 288 - Pin DDR4 UDIMM 是一款高性能的内存模块，采用了 DDR4 SDRAM 技术，具有高速数据传输、低功耗等优点。它支持多种数据传输速率，如 PC4 - 3200、PC4 - 2666 或 PC4 - 2400，能够满足不同应用场景的需求。

二、产品特性

1. 基本特性

• 引脚与结构：采用 288 引脚的无缓冲双列直插式内存模块（UDIMM）设计，模块高度为 31.25mm（1.23in）。
• 数据传输速率：支持 PC4 - 3200、PC4 - 2666 或 PC4 - 2400 等高速数据传输速率，能够提供快速的数据读写能力。
• 容量：拥有 4GB（512 Meg x 64）的存储容量，可满足大多数应用程序的运行需求。

2. 电气特性

• 电压：(V{DD}=1.20 V(NOM))，(V{PP}=2.5 V(NOM))，(V_{DDSPD}=2.5 V(NOM))，为模块的稳定运行提供了保障。
• 动态特性：具备标称和动态片内终端（ODT），用于数据、选通和掩码信号，可有效提高信号质量。

3. 功能特性

• 低功耗模式：支持低功耗自动自刷新（LPASR）功能，可降低模块的功耗，延长设备的续航时间。
• 数据总线反转：采用数据总线反转（DBI）技术，可提高数据传输的可靠性。
• 片内 (V_{REFDQ}) 生成与校准：能够自动生成和校准片内 (V_{REFDQ})，确保数据传输的准确性。

三、关键参数

1. 时序参数

不同的速度等级对应着不同的时序参数，如 CL（CAS 延迟）、tRCD（行选通到列选通延迟）、tRP（预充电延迟）和 tRC（行周期时间）等。这些参数对于内存的性能有着重要的影响，工程师在设计时需要根据具体需求进行选择。

Speed Grade	PC4 -	Data Rate (MT/s) CL =													tRCD (ns)	tRP (ns)	tRC (ns)
24	22/ 21	20	19	18	17	16	15	14	13	12	11	10	9
-3G2	3200	3200		3200/ –		2666	2666	2666, 2400		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600	1333	13.75	13.75	45.75
-2G9	2933	–	2933/ 2933		2666	2666	2400		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600			14.32	14.32	46.32
-2G6	2666	–	–		2666	2666	2666		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600	1333		14.16	14.16	46.16
-2G3	2400	–	–	–	–	2400		2400	2133	2133	1866	1866	1600	1600	1333			14.16	14.16	46.16
-2G1	2133	–	–	–	–	–	–	2133	2133	1866	1866	1600	1600		1333		13.5	13.5	46.5

2. 寻址参数

该模块的寻址参数包括行地址、列地址、设备银行组地址、设备银行地址和模块排名地址等。这些参数决定了内存模块的寻址方式和存储结构。

Parameter	4GB
Row address	64K A[15:0]
Column address	1K A[9:0]
Device bank group address	2 BG0
Device bank address per group	4 BA[1:0]
Device configuration	8Gb (512 Meg x 16), 8 banks
Module rank address	CS0_n

四、引脚分配与描述

1. 引脚分配

该模块的引脚分配涵盖了 288 个引脚，包括电源引脚、数据引脚、控制引脚等。详细的引脚分配表如下：

288 - Pin DDR4 UDIMM Front								288 - Pin DDR4 UDIMM Back
Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol	Pin	Symbol
1	NC	37	VSS	73	VDD	109	VSS	145	NC	181	DQ29	217	VDD	253	DQ41
2	VSS	38	DQ24	74	CK0_t	110	DM5_n/ DBI5_n, NC	146	VREFCA	182	VSS	218	CK1_t	254	VSS
3	DQ4	39	VSS	75	CK0_c	111	NC	147	VSS	183	DQ25	219	CK1_c	255	DQS5_c
4	VSS	40	DM3_n/ DBI3_n, NC	76	VDD	112	VSS	148	DQ5	184	VSS	220	VDD	256	DQS5_t
5	DQ0	41	NC	77	VTT	113	DQ46	149	VSS	185	DQS3_c	221	VTT	257	VSS
6	VSS	42	VSS	78	EVENT_n, NF	114	VSS	150	DQ1	186	DQS3_t	222	PARITY	258	DQ47
7	DM0_n/ DBI0_n, NC	43	DQ30	79	A0	115	DQ42	151	VSS	187	VSS	223	VDD	259	VSS
8	NC	44	VSS	80	VDD	116	VSS	152	DQS0_c	188	DQ31	224	BA1	260	DQ43
9	VSS	45	DQ26	81	BA0	117	DQ52	153	DQS0_t	189	VSS	225	A10_AP	261	VSS
10	DQ6	46	VSS	82	RAS_n/ A16	118	VSS	154	VSS	190	DQ27	226	VDD	262	DQ53
11	VSS	47	CB4/ NC	83	VDD	119	DQ48	155	DQ7	191	VSS	227	NC	263	VSS
12	DQ2	48	VSS	84	CS0_n	120	VSS	156	VSS	192	CB5, NC	228	WE_n/ A14	264	DQ49
13	VSS	49	CB0/ NC	85	VDD	121	DM6_n/ DBI6_n, NC	157	DQ3	193	VSS	229	VDD	265	VSS
14	DQ12	50	VSS	86	CAS_n/ A15	122	NC	158	VSS	194	CB1, NC	230	NC	266	DQS6_c
15	VSS	51	DM8_n/ DBI8_n, NC	87	ODT0	123	VSS	159	DQ13	195	VSS	231	VDD	267	DQS6_t
16	DQ8	52	NC	88	VDD	124	DQ54	160	VSS	196	DQS8_c	232	A13	268	VSS
17	VSS	53	VSS	89	CS1_n, NC	125	VSS	161	DQ9	197	DQS8_t	233	VDD	269	DQ55
18	DMI_n/ DBI1_n, NC	54	CB6/ DBI8_n, NC	90	VDD	126	DQ50	162	VSS	198	VSS	234	NC	270	VSS
19	NC	55	VSS	91	ODT1, NC	127	VSS	163	DQS1_c	199	CB7, NC	235	NC	271	DQ51
20	VSS	56	CB2/ NC	92	VDD	128	DQ60	164	DQS1_t	200	VSS	236	VDD	272	VSS
21	DQ14	57	VSS	93	NC	129	VSS	165	VSS	201	CB3, NC	237	NC	273	DQ61
22	VSS	58	RESET_n	94	VSS	130	DQ56	166	DQ15	202	VSS	238	SA2	274	VSS
23	DQ10	59	VDD	95	DQ36	131	VSS	167	VSS	203	CKE1, NC	239	VSS	275	DQ57

2. 引脚描述

每个引脚都有其特定的功能和作用，例如地址输入引脚（Ax）用于提供行地址和列地址，时钟引脚（CKx_t 和 CKx_c）用于提供时钟信号等。详细的引脚描述如下：

Symbol	Type	Description
Ax	Input	地址输入：为激活命令提供行地址，为读写命令提供列地址，以选择内存阵列中的一个位置。A10/AP、A12/BC_n、WE_n/A14、CAS_n/A15 和 RAS_n/A16 具有额外功能。
A10/AP	Input	自动预充电：在读写命令期间采样 A10，以确定是否在读写操作后对访问的银行执行自动预充电。
A12/BC_n	Input	突发截断：在读写命令期间采样 A12/BC_n，以确定是否执行突发截断。
ACT_n	Input	命令输入：与 CS_n 一起定义激活命令。
BAx	Input	银行地址输入：定义激活、读写或预充电命令应用的银行。
BGx	Input	银行组地址输入：定义刷新、激活、读写或预充电命令应用的银行组。
CKx_t CKx_c	Input	时钟：差分时钟输入，用于采样地址、命令和控制输入信号。
CKEx	Input	时钟使能：CKE 高电平激活，低电平禁用内部时钟信号、设备输入缓冲器和输出驱动器。
CSx_n	Input	芯片选择：当 CS_n 为高电平时，所有命令被屏蔽。
ODTx	Input	片内终端：启用 DDR4 SDRAM 内部的终端电阻。
PARITY	Input	命令和地址的奇偶校验：可通过模式寄存器启用或禁用。
RAS_n/A16 CAS_n/A15 WE_n/A14	Input	命令输入：定义命令和/或地址，具有多种功能。
RESET_n	CMOS Input	低电平有效异步复位：RESET_n 为低电平时复位有效，为高电平时无效。
SAx	Input	串行地址输入：用于配置温度传感器/SPD EEPROM 地址范围。
SCL	Input	温度传感器/SPD EEPROM 的串行时钟：用于同步与温度传感器/SPD EEPROM 的通信。
DQx, CBx	I/O	数据输入/输出和校验位输入/输出：双向数据总线。
DM_n/DBI_n/ TDQS_t (DMU_n, DBIU_n), (DML_n/ DBIl_n)	I/O	输入数据掩码和数据总线反转：DM_n 用于写数据的输入掩码，DBI_n 用于识别数据是否反转。
SDA	I/O	串行数据：用于在 EEPROM 或 EEPROM/TS 组合设备中传输数据。
DQS_t DQS_c DQSU_t DQSU_c DQSL_t DQSL_c	I/O	数据选通：与读数据一起输出，与写数据一起输入。
ALERT_n	Output	警报输出：具有 CRC 错误标志和命令与地址奇偶校验错误标志等功能。
EVENT_n	Output	温度事件：当温度超过临界阈值时，温度传感器会断言 EVENT_n 引脚。

五、功能框图与拓扑结构