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探索BAS21XV2高压开关二极管:小封装大作用

lhl545545 2026-05-28 16:45 次阅读
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探索BAS21XV2高压开关二极管:小封装大作用

在电子设计领域,开关二极管是一种常见且关键的元件,它在电路中起着快速切换电流方向的重要作用。今天,我们就来详细了解一下安森美(ON Semiconductor)推出的BAS21XV2高压开关二极管。

文件下载:BAS21XV2-D.PDF

产品概述

BAS21XV2是一款基于流行的SOT - 23三引脚器件衍生而来的开关二极管,采用SOD - 523表面贴装封装。这种封装形式非常适合低功耗表面贴装应用,尤其在电路板空间有限的情况下,它能充分发挥其优势。

产品特性

超小封装

SOD - 523封装尺寸极小,这使得它在对空间要求极高的设计中表现出色,能够帮助工程师在有限的电路板空间内实现更多功能。

汽车及特殊应用适用性

具有NSV前缀,适用于汽车和其他对独特场地和控制变更有要求的应用。并且该器件通过了AEC - Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力,这意味着它在汽车等对可靠性要求极高的领域也能稳定工作。

环保合规

该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准,满足环保要求,体现了安森美在产品设计上的环保理念。

产品参数

最大额定值

项目 参数 单位
IF(脉冲波 = 1秒,占空比 = 66%) - mAdc
t = 1s时的IFSM 0.5 -

热特性

条件 参数 最大值 单位
$T_{A}=25^{circ} C$ PD 250 mW
(注1) - 500 -
$T{J}, T{stg}$ - - °C

注1:安装在4英寸方形FR - 4板上(10毫米见方,1盎司铜,0.06英寸厚单面),达到稳态运行。

电气特性($T_{A}=25^{circ} C$,除非另有说明)

  • 反向电压泄漏电流(IR)
    • 当$VR = 200 Vdc$时,$IR$范围为0.01 - 10 Adc
    • 当$VR = 200 Vdc$,$TJ = 150^{circ}C$时,$IR$范围为0.1 - 100 Adc。
  • 反向击穿电压(V(BR)):当$IBR = 100 Adc$时,$V(BR)$为250 Vdc。
  • 正向电压(VF)
    • 当$IF = 100 mAdc$时,$VF$为1000 mV。
    • 当$IF = 200 mAdc$时,$VF$为1250 mV。
  • 二极管电容(CD):当$VR = 0$,$f = 1.0 MHz$时,$CD$为5.0 pF。
  • 反向恢复时间(trr):当$IF = IR = 30 mAdc$,$RL = 100$时,$trr$为50 ns。

封装与订购信息

封装尺寸

SOD - 523封装的详细尺寸如下表所示: 尺寸 最小值(mm) 标称值(mm) 最大值(mm)
A 0.50 0.60 0.70
b 0.25 0.30 0.35
c 0.07 0.14 0.20
D 1.10 1.20 1.30
E 0.70 0.80 0.90
H E 1.50 1.60 1.70
L 0.30 REF - -
L2 0.15 0.20 0.25

订购信息

器件型号 封装 包装数量
BAS21XV2T5G SOD - 523(无铅) 8000 / 卷带包装
NSVBAS21XV2T5G SOD - 523(无铅) 8000 / 卷带包装

测试与注意事项

恢复时间等效测试电路

文档中给出了恢复时间等效测试电路的说明,测试时需注意:

  1. 使用2.0 k可变电阻调整正向电流(IF)为30 mA。
  2. 调整输入脉冲使$I_{R(peak)}$等于30 mA。
  3. 满足$t{p} gg t{m}$条件。

注意事项

在使用BAS21XV2时,需注意不要超过最大额定值表中列出的应力,否则可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。同时,产品的电气特性是在特定测试条件下给出的,如果在不同条件下使用,实际性能可能会有所不同。

总结

BAS21XV2高压开关二极管凭借其超小封装、适用于特殊应用以及环保合规等特性,在电子设计中具有很大的优势。无论是对空间要求苛刻的低功耗应用,还是对可靠性要求极高的汽车等领域,它都能提供稳定可靠的性能。作为电子工程师,在进行相关设计时,可以充分考虑这款二极管的特性,以实现更优化的电路设计。你在实际设计中是否使用过类似的开关二极管呢?遇到过哪些问题?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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