Onsemi互补功率晶体管MJB44H11和MJB45H11：特性与应用解析

在电子工程师的日常工作中，功率晶体管是电路设计里极为关键的元件，特别是在功率放大和开关应用方面。今天我们来深入了解Onsemi的互补功率晶体管MJB44H11（NPN）、NJVMJB44H11（NPN）、MJB45H11（PNP）和NJVMJB45H11（PNP），看看它们有哪些独特之处。

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产品概述

这些互补功率晶体管采用D2PAK表面贴装封装，适用于通用功率放大和开关应用，像开关稳压器、转换器和功率放大器的输出或驱动级。

产品特性

低饱和电压

其集电极 - 发射极饱和电压 (V_{CE(sat)}) 在8.0A时最大为1.0V，这一特性有助于降低功耗，提高效率，在对功耗敏感的应用中表现出色。大家想想，在一些需要长时间运行的设备里，低饱和电压能为整体节能做出多大贡献呢？

快速开关速度

具备快速的开关速度，能满足高速开关应用的需求，比如在高频开关电源中，快速开关可以减少开关损耗，提高电源的效率和响应速度。

互补对设计

互补对的设计简化了电路设计，工程师在设计电路时可以更方便地实现推挽放大等功能，减少了设计的复杂度和成本。

环保材料

环氧树脂符合UL 94 V - 0标准（0.125英寸），并且有ESD防护能力，人体模型评级大于8000V，机器模型大于400V，能有效保护晶体管免受静电损坏。同时，还有NJV前缀的产品适用于汽车等有特殊要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。此外，还有无铅封装可供选择，符合环保要求。

最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})	80	(V_{dc})
发射极 - 基极电压	(V_{EB})	5	(V_{dc})
集电极电流（连续/峰值）	(I_{C})	10/20	(A_{dc})
总功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)及以上降额）	(P_{D})	50/0.4	(W/W/^{circ}C)
总功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)及以上降额）	(P_{D})	2.0/0.016	(W/W/^{circ}C)
工作和存储结温范围	(T{J},T{stg})	-55至150	(^{circ}C)

在实际设计中，我们必须严格遵守这些最大额定值，否则可能会损坏器件，影响其可靠性。大家在选型和使用时，有没有遇到过因为超过额定值而导致器件损坏的情况呢？

热特性

热阻方面，结到外壳的热阻 (R{theta JC}) 为2.5 (^{circ}C/W) ，结到环境的热阻 (R{theta JA}) 文档未给出具体数值。在设计散热方案时，我们需要根据这些热特性来确保晶体管在合适的温度范围内工作。热阻越小，散热性能越好，那么如何根据热阻来设计散热片的大小和形状呢？这是我们在实际设计中需要考虑的问题。

电气特性

关断特性

• 集电极 - 发射极维持电压 (V{CEO(sus)}) 在 (I{C}=30mA) ，(I{B}=0) 时为80 (V{dc}) 。
• 集电极截止电流 (I{CES}) 在 (V{CE}) 为额定 (V{CEO}) ，(V{BE}=0) 时为10 (A) 。
• 发射极截止电流 (I{EBO}) 在 (V{EB}=5V_{dc}) 时最大为50 (A) 。

导通特性

• 集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(sat)}) 在 (I{C}=8A{dc}) ，(I{B}=0.4A{dc}) 时最大为1.0 (V{dc}) 。
• 基极 - 发射极饱和电压 (V{BE(sat)}) 在 (I{C}=8A{dc}) ，(I{B}=0.8A{dc}) 时最大为1.5 (V{dc}) 。
• 直流电流增益 (h{FE}) 在 (V{CE}=1V{dc}) ，(I{C}=2A{dc}) 时为60，在 (V{CE}=1V{dc}) ，(I{C}=4A_{dc}) 时为40。

动态特性

• 集电极电容 (C{cb}) 在 (V{CB}=10V{dc}) ，(f{test}=1MHz) 时，MJB44H11和NJVMJB44H11为130pF，MJB45H11和NJVMJB45H11为230pF。
• 增益带宽积 (f{T}) 在 (I{C}=0.5A{dc}) ，(V{CE}=10V_{dc}) ，(f = 20MHz) 时，MJB44H11和NJVMJB44H11为50MHz，MJB45H11和NJVMJB45H11为40MHz。

开关时间

• 延迟和上升时间 (t{d}+t{r}) 在 (I{C}=5A{dc}) ，(I{B1}=0.5A{dc}) 时，MJB44H11和NJVMJB44H11为300ns，MJB45H11和NJVMJB45H11为135ns。
• 存储时间 (t{s}) 在 (I{C}=5A{dc}) ，(I{B1}=I{B2}=0.5A{dc}) 时，MJB44H11、NJVMJB44H11、MJB45H11和NJVMJB45H11均为500ns。
• 下降时间 (t{f}) 在 (I{C}=5A{dc}) ，(I{B1}=I{B2}=0.5A{dc}) 时，MJB44H11和NJVMJB44H11为140ns，MJB45H11和NJVMJB45H11为100ns。

这些电气特性是我们在设计电路时进行参数计算和性能评估的重要依据。不同的应用场景对这些特性的要求也不同，大家在实际应用中是如何根据这些特性来优化电路设计的呢？

封装与订购信息

采用D2PAK封装，有不同的订购选项，如MJB44H11G采用50个/导轨包装，MJB44H11T4G、NJVMJB44H11T4G、MJB45H11T4G和NJVMJB45H11T4G采用800个/卷带包装。在选择封装和订购方式时，我们需要考虑生产规模、成本和使用便利性等因素。

机械尺寸与标记信息

文档还给出了D2PAK封装的机械尺寸和标记信息，这对于电路板的布局和焊接非常重要。在进行PCB设计时，我们要严格按照这些尺寸和标记要求来进行，确保晶体管能够正确安装和使用。

Onsemi的这些互补功率晶体管在性能和特性上有很多优势，适用于多种功率应用场景。作为电子工程师，我们需要充分了解这些产品的特点，根据具体的设计需求合理选型和应用，以实现最优的电路性能。大家在使用这些晶体管时，有没有发现一些独特的应用技巧或者遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享交流。