Apacer 2GB DDR3 SDRAM 72bit SO - DIMM 内存模块技术解析

一、产品概述

Apacer 为研华股份有限公司提供的这款 2GB DDR3 SDRAM 72bit SO - DIMM 内存模块，型号为 78.A2GCF.AF10C，于 2010 年 12 月 23 日获得批准（批准号 90002 - T0066）。其核心 IC 品牌为 Hynix，具体描述为 DDR3 SO - CDIMM 10600 - 9 256x8 2GB HYN G。

文件下载：96SD3-2G1333E-AP.pdf

二、规格参数

基本参数

• 带宽与速度：带宽达 10.6GB/sec，速度等级为 1333Mbps（666MHz），CAS 延迟为 CL9。
• 容量与组织：容量 2GB，组织形式为 256 Mx72，由 9 片 2G 位 DDR3 SDRAM 密封 FBGA 组成，为 1 个 Rank。
• 封装形式：采用 204 - 引脚的小外形双列直插式内存模块（SO - DIMM）封装，PCB 高度 30.0mm，引脚间距 0.6mm，且符合无铅（RoHS）标准。

电气特性

• 电源供应：电源电压 (VDD = 1.5V pm 0.075V)，串行存在检测（SPD）电源 (VDDSPD = 3.0V) 至 (3.6V)。
• 接口标准：接口为 SSTL_15。
• 突发长度：支持突发长度 8 和 4 以及突发截断（BC）。
• 延迟参数：CAS 延迟（CL）可选 6、7、8、9；CAS 写延迟（CWL）可选 5、6、7。
• 预充电与刷新：支持自动预充电，刷新方式包括自动刷新和自刷新。在不同温度下，平均刷新周期不同，(0^{circ}C leq TC leq +85^{circ}C) 时为 (7.8mu s)，(+85^{circ}C < TC < +95^{circ}C) 时为 (3.9mu s)。
• 工作温度范围：工作外壳温度范围为 (0^{circ}C) 至 (+95^{circ}C)。

三、产品特性

数据传输架构

采用双数据速率架构，每个时钟周期进行两次数据传输。通过 8 位预取流水线架构实现高速数据传输。

数据同步机制

双向差分数据选通（DQS 和 /DQS）与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据。读操作时 DQS 与数据边缘对齐，写操作时与数据中心对齐。

时钟与命令机制

采用差分时钟输入（CK 和 /CK），DLL 使 DQ 和 DQS 转换与 CK 转换对齐。命令在每个正 CK 边缘输入，数据和数据掩码参考 DQS 的两个边缘。

其他特性

• 数据掩码：用于写数据。
• Posted /CAS：通过可编程附加延迟提高命令和数据总线效率。
• ODT 技术：包括同步 ODT、动态 ODT 和异步 ODT，用于改善信号质量。
• MPR 寄存器：用于温度读取。
• ZQ 校准：用于 DQ 驱动和 ODT 校准。
• PASR 功能：可编程部分阵列自刷新。
• /RESET 引脚：用于上电序列和复位功能。
• SRT 范围：支持正常/扩展、自动/手动自刷新。
• 可编程输出驱动器阻抗控制。

四、产品描述

该 78.A2GCB.AF10C 模块是 256MX72 DDR3 SDRAM 高密度 SO - UDIMM，由 18 个 CMOS 256MX8 位、8 个银行的 DDR3 同步 DRAM（BGA 封装）和一个 2K EEPROM（8 引脚 MLF 封装）组成。模块为 204 引脚，用于安装到连接器插座中，每个 DDR3 SDRAM 在印刷电路板上都安装有去耦电容。

五、引脚配置与描述

引脚配置

详细列出了 204 引脚 DDR3 SO - UDIMM 前后两面的引脚名称和编号，部分引脚在本模块中未使用。

引脚描述

对各个引脚的功能进行了说明，如地址输入（A0 - A14）、数据输入/输出（DQ0 - DQ63）、控制命令引脚（/RAS、/CAS、/WE 等）、时钟相关引脚（CK0、CK1 等）以及电源和接地引脚等。

六、功能框图与尺寸

功能框图

图 2 展示了功能框图，每个 DDR3 组件上的 ZQ 球连接到一个外部 240Ω ±1% 电阻并接地，用于组件的 ODT 和输出驱动器校准。

尺寸

文档未详细给出具体尺寸，但强调了 PCB 高度为 30.0mm 等关键信息。

在实际设计中，电子工程师需要综合考虑这些参数和特性，确保该内存模块能与系统其他部分良好配合。你在使用这款内存模块进行设计时，是否也遇到过一些特殊的挑战呢？欢迎在评论区分享你的经验。