在路 + 离线两种方式，精准判断 MOS 管好坏避坑要点

很多人测 MOS 管容易误判，主要是没分清在路测量和离线测量，被周边电阻、电容、二极管干扰，导致误判良品为坏件、坏件漏检。下面分两种场景给标准化判断方法。

离线单独测量（最准、推荐首选）

1）拆下 MOS 管，悬空三个引脚

2）二极管档红黑表笔轮换测量 G、D、S 两两之间

3）合格标准

G 与 D、G 与 S：双向均不导通

D 到 S：正向有二极管压降

S 到 D：反向截止无读数

4）只要不符合以上任意一条，直接判定不良

电路板在路测量（不拆件快速初判）

1）不用拆件，直接在板上测量

2）若测出 D、S 已经直通短路，可直接判定击穿，无需拆件

3）若测量数值正常，不能百分百确定，需拆下来复测，防止周边器件并联干扰

常见误判原因

1）周边肖特基二极管、电阻并联，拉低阻值造成误判

2）栅极残留静电，导致第一次测量数值异常

3）未完全断电，电路余电影响读数

维修更换注意事项

1）MOS 管击穿后，必须顺带检查前级驱动三极管、肖特基二极管是否连带损坏

2）替换同封装时，核对引脚定义，避免 G、D、S 装反

3）焊接做好防静电，防止新 MOS 管栅极静电击穿

快速判断 MOS 管好坏，优先离线万用表二极管档检测，记住 “G 极完全绝缘、D-S 单向导通” 核心标准即可。在路只能做初步筛查，疑似异常一定要拆件复测，避免误判返工。

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