MDD辰达半导体

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• 发布了文章 2025-11-13 10:04

  MDD MOSFET故障的快速定位与修复方法（通用电路篇）

  

  在各类电源、电机驱动及控制电路中，MDD辰达半导体MOSFET是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快，一旦出现故障，往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDDFAE，如何快速定位问题、判断失效类型并指导客户恢复，是关键技能。一、常见故障类型分类在实际应用中，MOSFET的典型失效类型包括：短路失效（D-S导通）：漏源极间电阻近似为零

  MOS MOSFET 通用电路板

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• 发布了文章 2025-11-12 11:02

  MDD MOS导通电阻对BMS系统效率与精度的影响

  

  在电池管理系统（BMS）中，MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件，其导通电阻（RDS(on)）参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE，在支持客户调试或可靠性验证过程中，经常遇到因导通电阻选型不当导致效率降低、采样偏差或误动作的问题。一、RDS(on)的基本定义与作用MOSFET的导通电阻RDS(on)是指器件在完全导

  bms MOS 导通电阻

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• 发布了文章 2025-11-03 11:24

  感性负载应用中整流二极管的典型问题与解决方案

  

  在各种电源、电机控制、继电器驱动及工业控制系统中，普通整流二极管常被用于抑制感性负载的反向电动势，保护驱动电路安全。然而，很多工程师在实际设计中只关注“电流够不够、耐压够不够”，忽视了电路动态特性、器件响应时间及散热问题，导致整流二极管出现发热、损坏或保护失效等问题。本文将从FAE角度，结合典型案例，分析感性负载应用中整流二极管常见问题及优化建议。一、典型应

  fae 感性负载 整流二极管

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• 发布了文章 2025-10-30 09:49

  MDD 逻辑IC的功耗管理与优化策略

  

  随着数字电路设计的复杂度不断提升，功耗管理成为了系统设计中不可忽视的重要议题。尤其是在移动设备、消费电子、嵌入式系统等领域，如何降低功耗以提高能源效率和延长电池寿命，已成为设计过程中关键的考虑因素之一。对于MDD辰达半导体逻辑IC（集成电路）而言，合理的功耗管理不仅能提升系统性能，还能有效延长设备的使用寿命。因此，作为FAE，在客户的设计过程中，协助优化功耗

  功耗管理 电路设计 逻辑IC

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• 发布了文章 2025-10-29 09:39

  MDD 逻辑IC的逻辑电平不兼容问题与解决方案

  

  在现代电子系统中，MDD辰达半导体逻辑IC（集成电路）扮演着至关重要的角色，广泛应用于数据处理、时序控制、信号转换等各类电路中。随着技术的进步，不同逻辑系列的IC（如TTL、CMOS、BiCMOS等）不断被引入市场，它们具有各自的优势，但也带来了逻辑电平不兼容的问题，尤其是在多个不同类型的逻辑IC互联时，电平不匹配的问题显得尤为突出。作为FAE，帮助客户理解

  逻辑IC 逻辑电平 集成电路

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• 发布了文章 2025-10-23 09:54

  MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

  

  在功率电子系统中，MOSFET以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而，FAE在现场调试和失效分析中发现，栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控制端，虽然不直接承载大电流，但其电压的稳定性却直接决定了MOS的导通状态与系统安全。任何一次“栅极失控”，都可能导致器件击穿、短路甚至整机损坏

  MOSFET MOSFET管 功率电子 栅极电压

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• 发布了文章 2025-10-22 10:17

  多颗MOS并联时热分布不均，导致个别器件过热失效的原因与对策

  

  在高功率应用中，为了分担电流、降低损耗，工程师往往会将多颗MOSFET并联使用。例如在DC-DC电源、马达驱动或逆变器电路中，通过并联MOS实现更大的电流承载能力与更低的导通阻抗。然而，MDDFAE在现场常遇到这样的问题：虽然设计理论上电流均分，但实测发现某颗MOS温度明显偏高，最终提前热失效。这种“热分布不均”的现象是并联设计中最常见、也最容易被忽视的隐患

  MOS MOSFET 器件

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• 发布了文章 2025-10-16 10:08

  MDD桥堆开路失效或单向导通的原因与解决方案

  

  MDD辰达半导体桥堆（BridgeRectifier）是电源电路中最基础也是最关键的整流器件，它负责将交流电（AC）转换为直流电（DC），为后级电路提供稳定的电源。然而在长期的客户应用中，FAE常常接到反馈：电源输出异常、波形畸变或设备无法启动。经排查后发现，根本原因多是桥堆出现了开路失效或单向导通的问题。这类故障虽然常见，但诊断难度较大，若处理不当可能导致

  半导体 整流器 桥堆

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• 发布了文章 2025-10-15 11:11

  MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案

  

  在电源电路中，桥堆（BridgeRectifier）是将交流电（AC）转换为直流电（DC）的关键器件。它由四个二极管组成，按特定结构连接成全波整流电路，输出经过滤波后即可得到稳定的直流电压。然而，在现场应用中，工程师常会遇到桥堆整流输出电压异常、波形畸变或不稳定等问题。这类现象不仅影响电源效率，还可能导致后级电路异常甚至损坏。作为MDD辰达半导体的FAE，我

  整流桥堆 桥堆 直流电

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• 发布了文章 2025-09-26 11:02

  三极管漏电流偏大问题解析与解决方案

  

  在电子电路应用中，MDD辰达半导体三极管作为常见的基础器件，被广泛用于放大与开关控制。然而，工程师在测试与使用中，经常会遇到一个典型现象：三极管的漏电流（主要指反向漏电流I_CBO、I_CEO）偏大。这种现象轻则带来电路功耗上升、静态电压漂移，重则导致器件发热、失效甚至影响系统稳定性。作为FAE，我们需要帮助客户理解其原因并提供优化建议。一、漏电流偏大的原因

  三极管 器件 电流

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