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MDD辰达半导体

匠人作 用良芯 高品质 选MDD

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动态

  • 发布了文章 2025-12-02 10:16

    如何判断二极管的热失效情况

    在电子产品的设计和应用中,二极管作为关键的辰达半导体元件,广泛应用于整流、保护、开关等各种电路中。然而,由于二极管的工作条件(如电流、温度和功率)可能超过其额定值,容易导致热失效。二极管的热失效是指由于温度过高而引起的性能下降或结构破坏。如何判断MDD辰达半导体二极管是否因热失效而导致故障,是每个FAE工程师需要掌握的技能。本文将介绍常见的二极管热失效判断方
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  • 发布了文章 2025-12-01 10:51

    高频整流应用中常用的MDD二极管选择及特点

    高频整流广泛应用于现代开关电源、逆变器、RF电路以及通信设备中。与低频整流不同,高频整流要求二极管具备更高的开关速度、更低的反向恢复时间和更低的导通损耗。根据不同的电路需求,选用合适的MDD二极管对于提高效率、减少损耗、保持信号完整性至关重要。本文MDD将介绍在高频整流情况下常用的几种二极管类型及其性能特点。1.肖特基二极管(SchottkyDiode)肖特
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  • 发布了文章 2025-11-25 10:56

    快速定位MOS故障的常见方法与解决方案

    在电路设计和应用中,MDD的MOS晶体管是重要的开关元件。当MOS晶体管出现故障时,可能会导致系统无法正常工作,甚至引发损坏。对于MDDFAE工程师来说,快速定位和修复MOS故障是确保系统稳定运行的关键。本文MDD将探讨常见的MOS故障类型、故障排查方法以及相应的修复方案。一、常见的MOS故障类型MOS管无法导通或无法关断这种故障通常是由栅极驱动信号异常或M
  • 发布了文章 2025-11-24 15:56

    PMOS 和 NMOS 的区别及其在实际应用中的选择

    PMOS(正极性金属氧化物半导体)和NMOS(负极性金属氧化物半导体)是两种基本的MDD辰达半导体的场效应晶体管(FET),它们的结构、工作原理和应用都有显著的差异。理解这两种晶体管的特点以及如何选择它们,在实际的电子设计和电路调试中非常重要,尤其是在高频、高效能电路和集成电路中。一、基本工作原理对比NMOS(负极性):NMOS晶体管通常是由N型半导体材料构
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  • 发布了文章 2025-11-18 10:50

    高频整流应该选用哪些MDD二极管?核心参数与物理机制详解

    在高频整流应用中,选择什么MDD二极管不是简单的“耐压够就行”,而是必须综合考虑反向恢复、正向压降、漏电、温升、浪涌能力,以及最终电路效率与EMI。许多工程师在几十kHz以下仍然可以采用普通整流管,但当频率提升到40kHz、100kHz、300kHz甚至1MHz时,二极管的物理特性会完全改变整流行为,导致损耗暴涨、波形畸变,甚至烧毁器件。一、普通整流二极管在
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  • 发布了文章 2025-11-17 10:10

    BMS主动均衡与被动均衡的工程设计差异及核心元器件解析

    在电池管理系统(BMS)设计中,均衡策略始终是工程团队必须优先处理的问题之一。无论是电动两轮车、储能系统还是消费类锂电产品,电芯一致性差都会导致容量无法完全释放、整包寿命降低甚至触发过充风险。工程上最常见的两类方案是主动均衡与被动均衡。从工程实现角度拆解两种策略的核心器件、设计难点及应用场景,MDD辰达半导体帮助研发工程师在产品架构选型上做出更具成本与可靠性
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  • 发布了文章 2025-11-13 10:04

    MDD MOSFET故障的快速定位与修复方法(通用电路篇)

    在各类电源、电机驱动及控制电路中,MDD辰达半导体MOSFET是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快,一旦出现故障,往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDDFAE,如何快速定位问题、判断失效类型并指导客户恢复,是关键技能。一、常见故障类型分类在实际应用中,MOSFET的典型失效类型包括:短路失效(D-S导通):漏源极间电阻近似为零
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  • 发布了文章 2025-11-12 11:02

    MDD MOS导通电阻对BMS系统效率与精度的影响

    在电池管理系统(BMS)中,MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件,其导通电阻(RDS(on))参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE,在支持客户调试或可靠性验证过程中,经常遇到因导通电阻选型不当导致效率降低、采样偏差或误动作的问题。一、RDS(on)的基本定义与作用MOSFET的导通电阻RDS(on)是指器件在完全导
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  • 发布了文章 2025-11-03 11:24

    感性负载应用中整流二极管的典型问题与解决方案

    在各种电源、电机控制、继电器驱动及工业控制系统中,普通整流二极管常被用于抑制感性负载的反向电动势,保护驱动电路安全。然而,很多工程师在实际设计中只关注“电流够不够、耐压够不够”,忽视了电路动态特性、器件响应时间及散热问题,导致整流二极管出现发热、损坏或保护失效等问题。本文将从FAE角度,结合典型案例,分析感性负载应用中整流二极管常见问题及优化建议。一、典型应
  • 发布了文章 2025-10-30 09:49

    MDD 逻辑IC的功耗管理与优化策略

    随着数字电路设计的复杂度不断提升,功耗管理成为了系统设计中不可忽视的重要议题。尤其是在移动设备、消费电子、嵌入式系统等领域,如何降低功耗以提高能源效率和延长电池寿命,已成为设计过程中关键的考虑因素之一。对于MDD辰达半导体逻辑IC(集成电路)而言,合理的功耗管理不仅能提升系统性能,还能有效延长设备的使用寿命。因此,作为FAE,在客户的设计过程中,协助优化功耗

企业信息

认证信息: MDD辰达半导体

联系人:陈小姐

联系方式:
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地址:龙华区民塘路328号鸿荣源北站中心B座13楼

公司介绍:      深圳辰达半导体是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。      公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。      公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。      展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

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