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MDD辰达半导体

匠人作 用良芯 高品质 选MDD

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动态

  • 发布了文章 2025-11-13 10:04

    MDD MOSFET故障的快速定位与修复方法(通用电路篇)

    在各类电源、电机驱动及控制电路中,MDD辰达半导体MOSFET是最常见的功率器件之一。由于其工作频率高、电流大、温升快,一旦出现故障,往往会造成系统停机甚至连带烧毁其他元件。作为MDDFAE,如何快速定位问题、判断失效类型并指导客户恢复,是关键技能。一、常见故障类型分类在实际应用中,MOSFET的典型失效类型包括:短路失效(D-S导通):漏源极间电阻近似为零
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  • 发布了文章 2025-11-12 11:02

    MDD MOS导通电阻对BMS系统效率与精度的影响

    在电池管理系统(BMS)中,MDD辰达半导体MOSFET作为电池组充放电的开关与保护核心元件,其导通电阻(RDS(on))参数对系统性能有着直接且深远的影响。作为MDDFAE,在支持客户调试或可靠性验证过程中,经常遇到因导通电阻选型不当导致效率降低、采样偏差或误动作的问题。一、RDS(on)的基本定义与作用MOSFET的导通电阻RDS(on)是指器件在完全导
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  • 发布了文章 2025-11-03 11:24

    感性负载应用中整流二极管的典型问题与解决方案

    在各种电源、电机控制、继电器驱动及工业控制系统中,普通整流二极管常被用于抑制感性负载的反向电动势,保护驱动电路安全。然而,很多工程师在实际设计中只关注“电流够不够、耐压够不够”,忽视了电路动态特性、器件响应时间及散热问题,导致整流二极管出现发热、损坏或保护失效等问题。本文将从FAE角度,结合典型案例,分析感性负载应用中整流二极管常见问题及优化建议。一、典型应
  • 发布了文章 2025-10-30 09:49

    MDD 逻辑IC的功耗管理与优化策略

    随着数字电路设计的复杂度不断提升,功耗管理成为了系统设计中不可忽视的重要议题。尤其是在移动设备、消费电子、嵌入式系统等领域,如何降低功耗以提高能源效率和延长电池寿命,已成为设计过程中关键的考虑因素之一。对于MDD辰达半导体逻辑IC(集成电路)而言,合理的功耗管理不仅能提升系统性能,还能有效延长设备的使用寿命。因此,作为FAE,在客户的设计过程中,协助优化功耗
  • 发布了文章 2025-10-29 09:39

    MDD 逻辑IC的逻辑电平不兼容问题与解决方案

    在现代电子系统中,MDD辰达半导体逻辑IC(集成电路)扮演着至关重要的角色,广泛应用于数据处理、时序控制、信号转换等各类电路中。随着技术的进步,不同逻辑系列的IC(如TTL、CMOS、BiCMOS等)不断被引入市场,它们具有各自的优势,但也带来了逻辑电平不兼容的问题,尤其是在多个不同类型的逻辑IC互联时,电平不匹配的问题显得尤为突出。作为FAE,帮助客户理解
  • 发布了文章 2025-10-23 09:54

    MOSFET栅极电压异常或失控的原因与对策

    在功率电子系统中,MOSFET以其高开关速度和低导通损耗而被广泛应用于电源管理、马达驱动及DC-DC转换等领域。然而,FAE在现场调试和失效分析中发现,栅极电压异常或失控是造成MOSFET失效的常见原因之一。栅极作为控制端,虽然不直接承载大电流,但其电压的稳定性却直接决定了MOS的导通状态与系统安全。任何一次“栅极失控”,都可能导致器件击穿、短路甚至整机损坏
  • 发布了文章 2025-10-22 10:17

    多颗MOS并联时热分布不均,导致个别器件过热失效的原因与对策

    在高功率应用中,为了分担电流、降低损耗,工程师往往会将多颗MOSFET并联使用。例如在DC-DC电源、马达驱动或逆变器电路中,通过并联MOS实现更大的电流承载能力与更低的导通阻抗。然而,MDDFAE在现场常遇到这样的问题:虽然设计理论上电流均分,但实测发现某颗MOS温度明显偏高,最终提前热失效。这种“热分布不均”的现象是并联设计中最常见、也最容易被忽视的隐患
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  • 发布了文章 2025-10-16 10:08

    MDD桥堆开路失效或单向导通的原因与解决方案

    MDD辰达半导体桥堆(BridgeRectifier)是电源电路中最基础也是最关键的整流器件,它负责将交流电(AC)转换为直流电(DC),为后级电路提供稳定的电源。然而在长期的客户应用中,FAE常常接到反馈:电源输出异常、波形畸变或设备无法启动。经排查后发现,根本原因多是桥堆出现了开路失效或单向导通的问题。这类故障虽然常见,但诊断难度较大,若处理不当可能导致
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  • 发布了文章 2025-10-15 11:11

    MDD桥堆整流后电压异常或波形畸变的原因与解决方案

    在电源电路中,桥堆(BridgeRectifier)是将交流电(AC)转换为直流电(DC)的关键器件。它由四个二极管组成,按特定结构连接成全波整流电路,输出经过滤波后即可得到稳定的直流电压。然而,在现场应用中,工程师常会遇到桥堆整流输出电压异常、波形畸变或不稳定等问题。这类现象不仅影响电源效率,还可能导致后级电路异常甚至损坏。作为MDD辰达半导体的FAE,我
  • 发布了文章 2025-09-26 11:02

    三极管漏电流偏大问题解析与解决方案

    在电子电路应用中,MDD辰达半导体三极管作为常见的基础器件,被广泛用于放大与开关控制。然而,工程师在测试与使用中,经常会遇到一个典型现象:三极管的漏电流(主要指反向漏电流I_CBO、I_CEO)偏大。这种现象轻则带来电路功耗上升、静态电压漂移,重则导致器件发热、失效甚至影响系统稳定性。作为FAE,我们需要帮助客户理解其原因并提供优化建议。一、漏电流偏大的原因
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企业信息

认证信息: MDD辰达半导体

联系人:陈小姐

联系方式:
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地址:龙华区民塘路328号鸿荣源北站中心B座13楼

公司介绍:      深圳辰达半导体是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。      公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。      公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。      展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

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