NAND的生产工艺提升或将推动智能手机很快进入TB时代

2018年9月19日，由深圳市闪存市场资讯有限公司主办的中国闪存市场峰会（CFMS2018）在深圳华侨城洲际大酒店圆满结束。峰会当天来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储、紫光存储、谷歌、慧荣、群联、江波龙、雷克沙等存储产业大咖聚首，一起探讨3D NAND技术发展，存储产业市场新契机，存储产品创新应用。同时，除了演讲企业参展，紫光存储、京东、矽统、点序也携全系列存储产品展出。

此次峰会的参会观众达到了1500人，除了本次峰会的演讲企业和嘉宾，还吸引华为、联想、OPPO、VIVO、中兴、小米等终端，金士顿、紫光存储等存储厂商，腾讯、阿里巴巴等互联网企业，以及金融、资本、研究机构等企业的重要人士参会。CFMS2018是一场聚焦技术、市场、创新、应用的存储盛会，也是一场存储业内人士交流的盛会。

2018年全球半导体市场规模达到1500亿美金，其中NAND Flash将超过570亿美金，而中国消耗了全球产能的32%，这意味着中国目前已经是全球存储产业中最为重要的市场。目前全球半导体存储芯片生产、制造都还集中在美国、日本、韩国，中国在存储器产业也在积极的发展。以长江存储、合肥长鑫、福建晋华为代表的企业分工发展，目前长江存储的3D NAND也已问世，福建晋华很快开始试产PC DRAM，这将从根本上解决中国在存储器芯片长期高度依赖海外的现状。

中国闪存市场总经理邰炜首先就存储产业市场状况进行了介绍，他表示：

目前全球主要的NAND生产厂商包括三星、东芝、西部数据、美光以及中国长江存储，这些原厂的每一次产能调整都对供需有着极为深远的影响。目前各企业都在加大3D NAND投产，积极应对不断增长的市场需求。其中三星除了FAB18这个大型工厂外，还规划西安工厂二期工程，东芝新建Fab 7，美光新建Fab10三期，还有SK海力士M15新工厂。另外，长江存储武汉基地也开始逐步生产，未来NAND Flash供应会大幅增加。我们预计2018年NAND Flash存储密度预计将较2017年增长42%，达到2300亿Gbyte当量，预计后续价格在新技术的推动下仍将持续下滑。

技术方面，今年上半年各个原厂主要以量产64层为主，下半年部分原厂已经转为96或者64层QLC，从目前情况来看，大规模的量产将集中在2019年上半年，量产容量基本是256Gb或者512Gb，也有部分原厂采用64层QLC量产1Tb技术。

NAND的生产工艺每一次提升都使得存储产品容量提升，目前NAND从2D极限容量128Gb上升到现在64层512层Gb，96层也会以512Gb作为过渡，技术成熟以后将量产1Tb 96层NAND。值得一提的是QLC 4b相较于TLC 3b容量更大，所以即使采用64层QLC也会量产1T的。这个技术生产会推动智能手机很快迈入TB时代。

从3D技术角度分析，在2D技术时期，一片12英寸的wafer晶圆可以切割出600多颗128Gbit的Die，现在主流的64层3D技术量产256Gbit就可切出约1000颗，不仅单位容量增长了一倍，而且切割出的Die量也增长约6成，3D技术的快速推进将意味着我们可以在更小的设备上采用更大容量、更高性能以及更低成本的存储产品。

目前3D NAND已经是各个原厂主要量产产品，三星的3D NAND已经占到85%，东芝、西部数据是75%、美光是90%，SK、hymix是60%，更大性能、更高存储量的产品将会在不久的将来产生。

供应增加了，同样市场需求也在不断增长，以EMMC、UFS为主的嵌入式产品，在2018年消耗全球总产能43%，SSD在消费类市场、行业市场、企业级市场也在快速增长，嵌入式产品和SSD产品在2018年合计消耗超过85%全球总产能，到2019年同样会以嵌入式产品和SSD为主。

手机是嵌入式存储产品的主力应用市场，预计2018年全球智能手机出货量将达到14.6亿部，高端手机从2013年存储容量6G、16G上升到512G，部分智能型手机也逐步向UFS发展，未来5G市场推动下，相信存储市场会迎来新一轮高增长点。

预计2018年SSD总出货量有望达到2亿台，相比2017年提升了大约22%，在消费类市场上我们可以看到价格也开始下滑，目前240G的SSD产品销售价格已经低于30美金，这个价格大大刺激了市场容量需求。同样在PC市场因为受到SSD挤压，数据有明显下滑，但是在数据总量上，不管是SSD或者是HDD都保持较高增长，这说明市场存储需求在任何领域都保持着很高的增长率。

而企业级数据中心等数据存储的需求也在不断增长，2018年预计企业级SSD总出货量将超过2800万个，平均容量达到2T。从这个数字可以算出来，仅仅是企业级的SSD就消耗了全球总产能的25%。