高速串行SPI SRAM存储器解决方案

很多单片机（MCU）在进行数据采集、图像处理或协议转换时，经常会遇到内置RAM容量不够用的尴尬。虽然可以外扩内存，但传统并口SRAM往往需要占用大量I/O引脚，对于本就管脚紧张的小型MCU来说，布线成本和PCB空间都有点吃不消。所以通过串行接口来扩展片外RAM，就可以很好地兼顾容量与引脚开销。而SPI SRAM（串行静态随机存取存储器）正是这种场景下的理想选择。

相比并行SRAM，SPI SRAM仅需4根信号线（时钟、数据输入、数据输出、片选）即可完成通信，大大节省了MCU的宝贵引脚资源。同时，SPI SRAM保留了传统SRAM的随机存取、无需刷新、读写速度快等优点，非常适合作为数据缓存、帧缓冲或网络协议栈的内存池。目前市面上已有不少国产SPI SRAM方案，性价比和供货稳定性都表现出色。

通过MCU的标准SPI外设即可访问该存储器。所需总线信号非常简单：时钟线（SCK）、数据输入（SI）、数据输出（SO）以及片选（CS）。MCU只需发送标准的读/写指令和目标地址，SPI SRAM芯片便会自动完成内部存储阵列的操作，使用起来和操作普通SPI Flash一样简单，但速度更快、且无需擦除。

以英尚微电子代理的EMI公司型号EMI7008WSMI为例，这是一颗采用低功耗CMOS工艺的串行SPI SRAM，容量为8Mbit（即1M字节）。它支持2.7V~3.6V宽电压工作，时钟频率最高可达50MHz，并兼容标准SPI与QPI（四线SPI）两种接口模式——既可以用传统的SI/SO分离双线传输，也可配置为4位I/O双向传输，提升吞吐量。

该SPI SRAM芯片内置了完整的刷新管理逻辑，外部主控无需额外操作即可直接读写任意地址。封装方面SPI SRAM EMI7008WSMI采用常见的8引脚SOP-8，占板面积很小，焊接方便。EMI7008WSMI的工作温度范围覆盖-40℃至85℃，满足工业级应用需求。

英尚微电子作为EMI公司的一级代理商，能够提供从选型指导到应用支持的完整SPI SRAM存储器解决方案。该系列SPI SRAM芯片具有低功耗、小尺寸、高可靠性的特点，在物联网终端、工业控制器、便携设备等领域获得了大量实际应用验证。如果您正在为MCU寻找经济灵活的大容量RAM扩展方案，可以关注英尚微电子网站的产品中心页面，获取更多技术资料和样品支持。

审核编辑 黄宇