引言
2ns时间分辨率、500MSa/s采样率:S3033C将为半导体器件瞬态测试提供新的解决方案
随着半导体工艺的进步,市场要求仪器制造商提供更快速,更准确的任意线性波形产生及快速测量解决方案。而今天,我们隆重的推出高端PXIe模块化波形发生器及快速测量单元——S3033C。
该产品凭借卓越的技术性能和创新的设计理念,将为半导体器件瞬态测试领域提供新的解决方案。特别是在NBTI/PBTI可靠性研究、RTN噪声分析、新型存储器RRAM、MRAM、PCRAM研发等前沿领域,S3033C将助力科研人员与工程师突破测试瓶颈,加速创新进程。
产品优势
S3033C如何实现半导体器件瞬态测试领域的突破

任意线性波形生成(Arbitrary linear waveform generator)系统
波形精度:±(3% + 2ns)
支持波形类型:支持三角波,正弦波,方波,脉冲等。
任意线性波形生成:S3033C配备序列存储器,最多可构建包含512个波形的输出序列。每个波形序列可由2048个波形向量组成。
输出电压与电流范围
电压范围:Vpp 20V(-10V~+10V, -20V~0V, 0V~+20V)
电流范围:±(100mA)
电压与电流可同时测量,单卡即可轻松实现Fast BTI测试、Pulsed IV测试和RTN测试。
高速采样与大存储深度,提供宽阔视野,捕获瞬态细微变化
最大采样率:500MSa/s
最大存储点数:64M数据点/通道
最佳电压测量分辨率:680μV
最佳电压测量精度:±5mV
最佳电流测量分辨率:0.13nA
最佳电流测量精度:±2nA
极速响应可减少信号延时与失真,覆盖高频测试
PG Mode上升/下降时间: 30ns(0->10V, open)
FIV Mode上升/下降时间: 80ns(0->10V, 100Ω, 100mA)
采用PXIe模块化架构,支持自定义大批量集成
基于PXIe协议,支持多卡级联扩展与硬件同步触发;单机箱最大支持5张S3033C集成(18槽机箱)。
可以与其它PXIe模块化仪器混合集成,自定义半导体参数测试分析设备。
采用标准SCPI进行控制,提供C#、Python、C/C++、LabVIEW编程语言接口,大幅降低测试系统中的软件集成难度。


典型应用
谁需要S3033C?
先进工艺可靠性研究(NBTI/PBTI)
随着工艺节点推进到28nm及以下,负偏压温度不稳定性(NBTI)和正偏压温度不稳定性(PBTI)成为影响芯片寿命的核心可靠性问题。同时测试面临下述问题:
测不准:传统的DC测试方法太慢,应力移除后阈值电压(Vth)会快速恢复(快速恢复效应),测到的是"幸存者偏差",不是真实的退化量。
测不全:实际芯片工作在交流状态下,但传统设备难以模拟真实的AC应力条件。
S3033C具备2ns的时间分辨率和500MSa/s的采样率,通过硬件同步,能在应力移除后1us内完成阈值电压测量,完美捕获快速恢复效应前的真实退化量。同时支持任意波形的AC应力生成,模拟芯片真实工作状态。

随机电报噪声(RTN)分析
随机电报噪声(RTN)在CMOS图像传感器中会导致本该是黑色的地方产生错误的白点。随着器件尺寸微缩,单个缺陷就能引起电流大幅波动,RTN问题越来越严重。与此同时,测试方案又需面对以下问题:
传统方案复杂:需要低噪声电源、变压器、示波器等多个设备搭建,校准困难,结果一致性差。
噪声干扰大:多设备级联引入的随机噪声容易造成测量错误
捕捉范围窄:无法同时覆盖低频到高频的宽频范围
单台S3033C结合自身配备的RSU模块即可独立完成RTN测量,无需任何附加设备。超低本底噪声确保微弱信号不被淹没,500MSa/s高速采样可覆盖从<1Hz到MHz的宽频范围。

新型存储器研发
RRAM、MRAM、PCRAM等新型非易失存储器是学术界和产业界的研究热点。这些器件的核心特性是阻值在纳秒级脉冲下的快速可逆变化。而测试方案则需要解决以下技术痛点:
精密脉冲控制需求:编程/擦除操作需要特定幅度、宽度、形状的脉冲序列。
同步测量需求:施加脉冲后需要立即读取器件状态,观察阻值变化。
迭代优化效率低:传统方案难以灵活调整脉冲参数,研发效率低。
S3033C可生成任意复杂的脉冲序列进行编程/擦除操作,并同步测量器件的瞬态响应,评估其开关速度和耐久性。2ns可编程分辨率让脉冲精细可调。
联讯仪器,不止仪器
我们明白,使用这样的高精度工具需要一定的经验。因此,我们准备了:
开箱即用的测量软件:内置针对常见半导体器件的测试算法,减少您的设置时间。
详尽的应用笔记:围绕常见的测量应用场景与问题,提供一步步的操作方法和数据分析建议。
专业的技术支持:我们的应用工程师团队随时准备为您解答在测量搭建和数据分析中遇到的具体问题。
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