临近植树节,万物萌新。在科技的疆域里,罗姆同样耕耘着更深层的绿意——以创新之力探索能效边界,为地球的可持续未来注入持久的动力。多年技术深耕,构建起覆盖多功率等级、贯通多元应用场景的节能产品矩阵,让绿色能量驱动未来。
本文聚焦罗姆发布的多款节能产品解决方案,看它们如何从不同维度,为构建绿色低碳社会提供支持。
功率密度革新:SiC模块与器件
SiC技术正引领能源转换进入高密度时代,罗姆通过创新的模块化封装,让大功率系统在更小的空间内释放更高效率。
1二合一SiC模块DOT-247
DOT-247采用将两个TO-247封装相连的造型,通过配备在TO-247结构上难以容纳的大型芯片,并采用罗姆自有的内部结构,实现了更低导通电阻。另外,通过优化封装结构,其热阻比TO-247降低了约15%,电感降低了约50%。
2TOLL封装的SiC MOSFET
SCT40xxDLL系列与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。

数据中心能耗克星:高可靠功率MOSFET
在AI算力爆发的背后,是数据中心惊人的能耗。罗姆的MOSFET为服务器电源提供了可靠且高效的“心脏”,助力实现电能的高效转换。
1宽SOA范围
5×6mm小尺寸MOSFET
RS7P200BM在VDS=48V工作条件下,可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围,同时,还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))4.0mΩ(条件:VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热,有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷,进而进一步降低电力成本。

2100V功率MOSFET
为了兼顾服务器的稳定运行和节能,热插拔电路必须具有较宽的SOA范围,以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路,与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A,实现业界超优性能,能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。
从智能家居到工业自动化,从电动汽车到精密医疗设备,电机驱动着现代社会的各个角落。面对无处不在的能耗挑战,罗姆的电机驱动器助力降低电机待机与运行能耗,为绿色未来注入动能。
BD67871MWV-Z采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3”,能够高速感测来自FET的电压信息,并实时进行栅极控制。采用这种控制方式,不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量,同时还抑制了振铃的产生,实现了低EMI特性。

2通用电机驱动器IC
BD60210FV/BD64950EFJ均采用通用性好的封装形式,不仅易于引入新设计中,还可显著提升电路变更、衍生型号开发以及设计标准化的效率。另外,还能实现低待机电流(Typ:0.0μA,Max:1.0μA),可大幅提升应用产品待机时的节能性能。

每一颗节能芯片的落地应用,都是一次对未来的绿色投资。罗姆的产品如同精心培育的“节能森林”,在不同层级为全球能源效率提升贡献着坚实力量。在这个植树节,让我们共同关注科技领域的“节能造林”,共筑一个高效、清洁、可持续的数字未来。
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原文标题:为地球“植”入节能芯,罗姆助力绿色未来
文章出处:【微信号:罗姆半导体集团,微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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罗姆节能产品矩阵为构建绿色低碳社会提供支持
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