我国成功研制100G硅光收发芯片,推动我国自主硅光芯片技术快速发展

我国自行研制的“100G硅光收发芯片”日前在武汉投产使用，并通过了用户现网测试，性能稳定可靠。这标志着我国商用100G硅光芯片正式研制成功，将推动我国自主硅光芯片技术迈上新台阶。

这款硅光芯片由国家信息光电子创新中心、光纤通信技术和网络国家重点实验室、武汉光迅科技股份有限公司以及中国信息通信科技集团联合研制，在一个不到30平方毫米的硅芯片上集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件。芯片具备超小型、高性能、低成本、通用化等优点，可广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。

国家信息光电子创新中心专家委员会主任、中国工程院院士余少华表示，100G硅光芯片的产业化商用，表明我国已经具备硅光产品商用化设计的条件和基础。未来，硅光技术将在光通信系统中大规模部署和应用，推动我国自主硅光芯片技术向超高速、超大容量、超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向发展。