LMP92066 核心产品信息总结

该LMP92066是一款高度集成的温控双通道DAC。两个DAC都可以是 由两个独立的、用户定义的温电压传递函数编程，存储在 内部EEPROM，允许校正任何温度影响，而无需额外的外部 电路。通电后，设备自主运行，无需系统干预 控制器，为设置和补偿偏置电压和电流提供完整的解决方案 在控制应用中。

该LMP92066有两个模拟输出，支持两个输出范围：零到加五 伏特和零到负五伏。每个输出都可以通过 使用专用控制引脚。输出开关设计用于快速响应，使 该器件适用于射频功率放大器偏置应用。
*附件：lmp92066.pdf

EEPROM 经过 100 次写入作验证，可实现重复现场更新。这 EEPROM 编程在用户发布的 I^2^C 命令。

LMP92066的数字端口与各种系统控制器接口，如 专用 VIO 引脚设置数字 I/O 电平。该设备具有热增强型 PowerPAD™ 封装，可实现精确的 PCB温度测量。

特性

• 内置 12 位温度传感器
  • 精度（–40°C 至 120°C），±3.2°C
    （最大值）
• EEPROM 中
  存储的两个独立传递函数
• 双模拟输出
  • 两个 12 位
  • 输出范围 0 V 至 5 V 或 0 V 至 –5 V
  • 高电容负载容限，高达 10 μF
  • 校准后精度 ±2.4 mV（典型值）
• 输出开/关控制开关时间 50 ns（典型值）
  • 开关时间 50 ns（典型值）
  • RDSON 5 Ω（最大）
• 我^2^C 接口：标准和快速
  • 九个可选从地址
  • TIMEOUT 函数
• VDD 电源范围 4.75 V 至 5.25 V
• VIO 范围 1.65 V 至 3.6 V
• 指定温度范围 –25°C 至 120°C
• 工作温度范围 –40°C 至 125°C

参数

方框图

LMP92066 是德州仪器推出的双路温度控制数模转换器（DAC），集成 EEPROM 与输出开关控制，核心优势为温度补偿自校准、高容性负载驱动及快速输出切换，专为 GaN/LDMOS 功率放大器偏置控制、传感器温度补偿等场景设计。

一、核心产品参数

1. 基础规格

• 分辨率与输出：双 12 位 DAC 通道，支持 0V-5V 或 0V--5V 输出范围；单通道连续输出电流最大 10mA
• 封装与温度：16 引脚 HTSSOP 封装（5.0mm×4.4mm），带散热焊盘；工作温度 -40°C 至 125°C，结温最高 150°C
• 电源与功耗：主电源（VDD）4.75V-5.25V，数字 I/O 电源（VIO）1.65V-3.6V；典型功耗 20mW，EEPROM 操作时峰值电流 10mA

2. 性能特性

• 静态精度：微分非线性（DNL）最大 ±1 LSB，积分非线性（INL）最大 ±2.78 LSB；校准后残余误差典型 ±2.4 mV
• 温度传感：内置 12 位温度传感器，分辨率 0.0625°C/LSB，-40°C 至 120°C 范围内误差最大 ±3.2°C，转换周期 25ms
• 动态特性：输出开关切换时间典型 50ns，开关导通电阻（RDRV）最大 6Ω；DAC 建立时间（10μF 负载）典型 250μs
• 负载能力：支持最高 10μF 容性负载，输出阻抗典型 3Ω

3. 关键功能参数

• 存储与校准：内置 EEPROM 存储 2 组独立温度 - 电压转换函数，支持 100 次写入；支持单点校准，补偿温漂与增益误差
• 接口与控制：I2C 接口（标准 / 快速模式），9 种可选从机地址；独立 DRVEN 引脚控制输出开关，支持异步开关操作
• 保护与可靠性：ESD 防护（HBM ±2500V、CDM ±1000V）；内置地址锁定、超时功能，EEPROM 数据传输带错误校验与修正

二、关键功能特性

1. 温度补偿与自主运行

• 温度 - 电压转换：通过 EEPROM 存储 4°C 步长的温度系数，结合 ALU 线性插值算法，自动生成目标补偿曲线
• 多工作模式：支持默认自主运行（上电自动加载 EEPROM 配置）、温度传感器 Override、DAC 输入 Override、ALU 旁路模式
• 双极性输出：通过 VDDB/VSSB 电源配置，可切换 0V-5V（LDMOS 模式）或 0V--5V（GaN 模式）输出，适配不同类型功率放大器

2. 高灵活性与可靠性设计

• 输出控制：独立通道开关，支持 “先断后合” 切换逻辑，避免短路电流；FETDRV 引脚可直接驱动外部场效应管
• 存储与校准：20 字节记事本存储区，支持用户自定义数据；增益 / 偏移误差温度系数分别低至 20 ppm/°C 和 43 μV/°C
• 接口优化：支持块数据传输，减少 I2C 通信开销；地址锁定功能防止总线地址冲突

3. 工业级适配能力

• 抗干扰设计：电源抑制比优异，容性负载驱动能力达 10μF，适配长距离布线场景
• 快速响应：输出开关切换时间仅 50ns，满足射频功率放大器快速偏置切换需求
• 校准简化：单点校准后残余误差典型 ±2.4 mV，大幅降低系统校准复杂度

三、典型应用场景

• 射频通信：GaN/LDMOS 功率放大器（PA）偏置电压控制与温度补偿
• 传感器系统：压力、流量传感器的温度漂移补偿
• 时序电路：高精度时钟、振荡器的温度稳定性校准

四、设计与使用建议

1. 接口与配置

• I2C 通信：建议启用地址锁定功能，避免多设备总线冲突；块传输模式适用于批量更新 LUT 系数
• 模式选择：自主运行模式适用于无需主机干预的场景，Override 模式可用于系统调试与校准
• EEPROM 操作：写入后需等待 125ms 完成固化，避免频繁写入超出 100 次寿命限制

2. 电源与布线

• 电源设计：VDD 引脚需并联 10μF-47μF 电解电容与 0.1μF 陶瓷电容，保证 EEPROM 操作时供电稳定
• 散热布局：散热焊盘需焊接至 PCB 接地铜层，缩短与被控器件（如 PA）的热路径，提升温度传感精度
• 噪声抑制：模拟地（GNDA）与数字地（GNDD）单点连接；DAC 输出引脚远离数字信号线，减少耦合干扰

3. 负载与切换

• 容性负载：驱动大于 10μF 负载时，建议串联 5Ω 限流电阻，避免开关切换时电流过大
• 快速切换：DRVEN 引脚控制信号需保证上升沿陡峭，减少切换延迟；外部场效应管驱动时，建议搭配 10nF 加速电容。