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联合电子嵌入式逆变砖产品解析

联合电子 来源:联合电子 2025-11-05 11:38 次阅读
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新能源汽车动力系统效率与功率密度是核心技术指标,第三代宽禁带半导体(如SiC)已经在车用逆变器中广泛应用,但高开关速度对功率回路寄生杂感要求严苛。近年来,通过模块内部结构优化设计,传统的功率模块封装已经可以实现较低的杂感,以联合电子的PM6模块为例,模块的寄生杂感低于4nH。然而传统功率模块已触及封装瓶颈——进一步降杂感会导致结构复杂、成本激增等问题,需要创新技术,降低寄生杂感,释放宽禁带半导体性能。

联合电子嵌入式逆变砖:四大核心技术突破

为将嵌入式PCB封装技术从理论转化为可量产的核心产品,联合电子基于嵌入式功率PCB技术的逆变砖产品(Embedded Power Brick Edge),通过四项关键技术创新,全面破解了行业难题。

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嵌入式功率PCB

(一)散热设计革新:

实现热阻最优

联合电子以“结构简化+工艺创新”破解散热难题:创新采用非对称嵌埋技术配合外绝缘连接,采用已量产验证的高导绝缘压接技术,实现嵌入式PCB与水冷板高效热传导,实测热阻可追平最短散热路径的传统功率模块封装。

(二)低杂感设计:

实现1nH极致水准

联合电子通过系统全局优化设计实现低杂感:PCB内部通过多层精密叠层实现主功率回路正负极最大化重叠;功率端子采用厚铜嵌埋并直连母线电容铜排,配合母线电容内部铜排全叠层设计,构建最短导流路径。功率模块寄生杂感低至1nH。

(三)可靠性强化:

成熟技术复用与跨界合作赋能

可靠性方面,功率模块水道连接采用高导绝缘压接技术,该技术已经在联合电子的上一代功率模块中量产,技术成熟度高;与顶尖PCB供应商深度合作,融合双方功率模块封装设计和PCB生产工艺,提升PCB抗温变分层能力、高电压应力的能力。

(四)超高集成度:

集成驱动、保护与控制

联合电子嵌入式逆变砖采用嵌入式功率PCB与驱动电路集成技术,在嵌入功率PCB上集成了驱动电路、保护电路信号采集和辅助电源等,使功率模块与驱动电路的高度降低70%,实现极致高功率密度。

客户核心收益:效率与密度的双重飞跃

联合电子嵌入式逆变砖的技术创新,最终转化为客户可直接感知的核心价值,集中体现在极致效率与超高功率密度两大维度,为新能源汽车整车企业带来了显著的产品竞争力提升。

(一)超低开关损耗,极致高效率

随着系统寄生杂感的显著降低,SiC的开关速度可以调得更加激进,有利于大幅度降低功率模块的开关损耗。联合电子试制的第一阶段嵌入式功率PCB逆变砖样品实测开关波形、三相电流波形如下。

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实测开关波形

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实测电流波形

极致低寄生杂感对于逆变器的好处多多。

极致高效率。由于更高的开关速度,嵌入式逆变砖可将SiC开关损耗做到最低,将SiC的效率发挥到极致,CLTC工况效率约为99.5%。

极致高性能。逆变器输出相同峰值电流所需要的SiC芯片面积更小。从联合电子的试制样品的实测数据来看,峰值电流工况下,嵌入式逆变砖对比未优化杂感的功率模块,开关损耗降低超过一半;对比极致优化杂感设计的功率模块,开关损耗仍降低30%,约占总损耗的13%。

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更高的工作电压。由于低寄生杂感,SiC开关产生的电压尖峰小,相同耐压的功率芯片,可支持更高的母线工作电压。

(二)超高集成度,极致高功率密度

除了在性能具备优势,嵌入式功率PCB还具备集成驱动与控制的可能性。联合电子第二阶段试制的嵌入式功率PCB逆变砖集成了控制电路,并引入多项新技术:

超高集成度:嵌入式功率PCB深度集成辅助电源、驱动电路、保护电路、传感器及采样电路;采用系统封装电源芯片以及无磁芯电流传感器。

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集成控制的嵌入式逆变砖

得益于多项新技术的应用以及超高集成度的产品解决方案,联合电子的嵌入式逆变砖功率密度有了显著的提升。联合电子开发的嵌入式逆变砖功率覆盖100kw~350kw,峰值功率密度最高达到200kW/L,与当前市面上最高功率密度的逆变器比提升了66%。

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在新技术探索的道路上,联合电子始终致力于打造极致高效率、极致高功率密度的逆变器产品。我们将继续关注市场和客户的需求,为客户提供多样化产品和服务,持续引领未来出行。

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原文标题:U新技术 | 联合电子嵌入式逆变砖深度解析

文章出处:【微信号:联合电子,微信公众号:联合电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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