QLC闪亮登场，与其他闪存的区别是什么？

2018年8月7日的美国闪存峰会（FMS）上，海力士，三星，东芝，西部数据，Intel等NAND厂商纷纷发布QLC架构的快闪存储器或基于QLC NAND的SSD产品，满足市场对存储容量日益激增的需求，那么QLC是什么呢？它的性能真的比SLC、MLC、TLC要好吗？

首先我们先来回顾下SLC、MLC及TLC。

SLC：全称Single-Level Cell，每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低，成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。

MLC：全称是Multi-Level Cell，它实际上是跟SLC对应的，SLC之外的NAND闪存都是MLC类型，而我们常说的MLC是指2bit MLC，每个cell单元存储2bit信息，电压有000,01,10,11四种变化，所以它比SLC需要更复杂的电压控制，加压过程用时也变长，意味着写入性能降低了，同时可靠性也下降了，P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等，有的还更低。

TLC：也就是Trinary-Level Cell了，准确来说是3bit MLC，每个cell单元存储3bit信息，电压从000到111有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。

最新上市的QLC则是Quad-Level Cell，或者叫4bit MLC，电压从0000到1111有16种变化，容量增加了33%，但是写入性能、P/E寿命会再次减少。

QLC相对于其他三个闪存类型

性能进一步下降

可为什么各大厂家还纷纷推出呢？

技术的进步促使QLC被广泛接受

正如TLC闪存刚问世时一样，QLC同样面临性能、可靠性下降的缺点，按理说应该对此技术感到担忧甚至排斥，但幸运的是NAND闪存已进去3D NAND时代，并非2D NAND时代，所以3D NAND时代的QLC与2D NAND的TLC存在着很大的不同。

2D NAND闪存时代，为了NAND容量的提升，需要不断提升NAND制程工艺，从而提高晶体管密度，提升NAND容量，降低成本，但NAND工艺提升导致可靠性变差。而3D NAND时代，提升NAND容量通过堆栈的层数，在工艺不变的情况下，可以拥有更大容量，并使可靠性得到维持。

而且最初的TLC闪存P/E寿命只有100-150次，而QLC直接使用了3DNAND技术，P/E寿命就达到了1000次，完全不输于现在的3D TLC闪存,满足日常用户的需求。

超大容量SSD需求促使QLC成为主流

随着市场的需求，超大容量的SSD已成为主要需求，TB级的SSD将成为起步水平，纵然超大容量的SSD性能无法胜过现有的MLC/TLC闪存硬盘，但作为代替HDD硬盘并非不可能。QLC闪存硬盘写入速度大概在200-300MB/s左右，写入性能已远高于HDD硬盘，同时容量可达10-100TB，不管是性能还是容量，都已高于现有的HDD硬盘。

QLC时代已经到来，也许在性能上比MLC、TLC要差，但3D NAND 时代的QLC闪存解决了市场大容量的需求，同时克服HDD硬盘的缺点，因此QLC将有很大的可能成为未来存储市场的主流。