Qorvo以琳琅满目的新品展示，领先世界的RF技术“C位出道”！

国际微波研讨会(IMS)是RF、微波和毫米波(mmWave)行业内规模最大、最重要的活动之一，将所有关心RF的人与最新话题、技术、趋势和新产品联系起来。今年的IMS上，Qorvo以琳琅满目的新品展示，领先世界的RF技术“C位出道”！不信就一起随着Qorvo基础设施和国防部战略营销经理Katie Caballero的记录来看看吧。

1面向GaN和5G的新产品

关于GaN最令人激动的地方是它不再是新兴技术，它已经问世并且在国防和商业领域有了广泛应用。最值得注意的是5G和下一代基站部署，因为业界已开始推广5G基础设施，以在2020年支持首批5G手机。

Qorvo已进入稳速位置并掌握数十个客户的现场测试，同时宣布5G FEM (39 GHz)且拥有最丰富的产品组合。

2面向6 GHz以下频段的大规模MIMO和5G无线基础设施解决方案

Qorvo一直处于新型小基站、大规模MIMO、5G和毫米波基站技术的前沿。展会第一天，我们宣布了五个新型放大器和开关LNA模块，它们将为客户提供更多面向5G应用的RF产品组合选项：

适合6 GHz以下5G应用的：QPA4501、QPA3506

Doherty放大器：QPA4501、QPA3506、QPB9329、QPB9319

适合6 GHz以下5G应用的开关LNA模块：QPA9120

适合6 GHz以下5G应用的宽带驱动放大器：QPA9120

3适合AESA雷达系统的GaN X频段FEM

高功率国防解决方案始终是IMS展会的亮点，且我们的二次产品发布重点介绍了适合高级有源电子扫描阵列(AESA)雷达系统的新产品。

Qorvo的两款新型超紧凑GaN X频段前端模块(FEM)QPM2637和QPM1002符合EAR99出口要求，在紧凑的单封装中集成了四种功能，包括RF开关、功率放大器、低噪声放大器和限幅器。典型的GaAs LNA在不到100 mW的输入功率条件下都会受损，与之相比，GaN FEM有了很大改善，接收端可承受高达4 W的输入功率，且不会造成永久损坏。

4聚焦QPD1025L，L频段1800 W GaN晶体管

2018年IMS展会上备受关注的另一款Qorvo产品是QPD1025L 1800 W、双通道分立式GaN-on-SiC HEMT。在《微波杂志》钻石周年纪念(60)版中采用的QPD1025L提供出色的信号完整度和更大的范围，这对L频段航空电子和敌我识别应用来说至关重要。它还采用无耳式NI-1230封装，如同QPD1025。

Qorvo 的 QPD1025L 输入匹配 GaN 晶体管出现在全球渠道合作伙伴 Mouser Electronics 的展位上。

5与Keysight Technologies和National Instruments合作演示5G

由于设备制造商正在构建用于支持5G的无线基础设施，他们需要测试设备，以确保其设计能够满足商用部署要求。我们与两大测试/测量公司Keysight Technologies和National Instruments合作，演示使用5G FEM实现手机和基站的优势。

与Keysight Technologies合作演示使用Qorvo QPF4006的5G波束形成测试，业界首款适合39GHz相控阵5G基站的GaN FEM。

National Instruments 使用 Qorvo QM19000 - 适合移动设备的 5G RF FEM 演示移动 5G PA 测试。

经过多年针对5G的探讨和规划，2017年12月发布了非独立(NSA) 5G规范，今年6月又发布了独立(SA) 5G规范，虽然开发5G的工作还没有完成，但现在是基础设施制造商和运营商实现这一愿景的时候。Qorvo已迫不及待为微波行业做准备，期待在2019年的IMS展会上呈现更多创造性的RF技术了！