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‌STSPIN32G0系列无刷电机控制器技术解析

科技观察员 2025-10-16 15:54 次阅读
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STMicroelectronics STSPIN32G0无刷电机控制器是一系列高度集成的系统级封装解决方案,适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机,极大地减少了BOM成本和占用面积。该系列包含四种型号,能够完全灵活地平衡电流检测运算放大器、GPIO以及专用功能(如ADC的精确基准)之间的资源分配。

数据手册:*附件:STMicroelectronics STSPIN32G0无刷电机控制器数据手册.pdf

器件内置3个半桥栅极驱动器电流容量为600mA(灌/拉),能够驱动功率MOSFET。产品集成有互锁功能,因此同一半桥的高、低侧开关不会同时导通。

内置的DC-DC降压转换器提供3.3V电压,可为MCU和外部元器件供电。而其内置LDO线性稳压器则可为栅极驱动器供电。集成运算放大器可用于信号调理,例如分流电阻器间的电流检测。内置比较器支持过流保护功能。

集成的MCU (STM32G031x8) 能够执行磁场定向控制、6步无传感器算法以及其他高级驱动算法,包括速度控制环。该器件还具有针对嵌入式闪存的读取保护和写入保护功能,以防止不必要的写入和/或读取操作。

STMicroelectronics STSPIN32G0还具有过热和欠压锁定保护功能,并支持待机模式以降低功耗。该器件拥有23个通用I/O端口 (GPIO)、1个多达11通道的12位模数转换器(可在单次模式或扫描模式下进行转换)、5个可同步的通用定时器,以及一个易于使用的调试串行接口 (SWD)。嵌入式自举程序支持通过UART和I^2^C接口对闪存和选项字节进行管理。

特性

  • 工作电压:6.7V至45V
  • 三相栅极驱动器
    • 600mA灌/拉电流
    • 集成自举二极管
    • 防跨导
  • 32位Arm^®^ Cortex ^®^ -M0+内核
    • 时钟频率高达64MHz
    • 8KB SRAM支持硬件奇偶校验
    • 64KB闪存带保护功能和安全区域
  • 3.3V DC-DC降压转换器稳压器,具有过流、短路和热保护功能
  • 12V LDO线性稳压器,具有热保护功能
  • 高速I/O端口 (GPIO) 多达23个
  • 支持灵活映射的5通道DMA控制器
  • 12位ADC(多达11个外部通道),转换速率为2.5Msps
  • 专为电机控制设计的高级控制定时器
  • 多达5个通用定时器(1个32位+4个16位)
  • I^2^C、USART和SPI接口
  • 多达3个轨至轨运算放大器,用于信号调理
  • 用于过流保护的比较器
  • 支持低功耗的待机模式
  • 每个电源(V M 、V DD、 VREG和V BOOTx )均具有UVLO保护
  • 支持通过SWD和嵌入式自举程序进行片上调试,支持UART和I^2^C接口
  • 宽温度范围:-40°C至+125°C

框图

1.png

STSPIN32G0系列无刷电机控制器技术解析

一、核心特性概述

STMicroelectronics推出的STSPIN32G0系列是高度集成的三相无刷电机驱动解决方案,包含A1/A2/B1/B2四个型号,主要特性如下:

  • 宽电压输入‌:6.7V至45V工作范围,支持峰值驱动电流600mA(灌/拉电流)。
  • 集成MCU‌:内置STM32G031x8微控制器(ARM Cortex-M0+内核,64MHz主频,64KB Flash,8KB SRAM),支持FOC、6步无感控制等算法。
  • 电源管理‌:
    • 3.3V DC-DC降压转换器(70mA输出能力,带过流/短路保护)。
    • 12V LDO线性稳压器(为栅极驱动器供电)。
  • 保护机制‌:逐周期过流保护、热关断、UVLO(各电源独立监测)。

二、关键模块详解

1. ‌栅极驱动电路

  • 三路半桥驱动‌:集成自举二极管,支持N沟道MOSFET/IGBT,具有交叉传导预防功能。
  • 时序控制‌:输入到输出的传播延迟典型值20ns,高低侧驱动匹配误差±10ns。
  • UVLO响应‌:当VBOOT电压不足时,高侧驱动强制关闭,低侧驱动保持激活状态(见图12)。

2. ‌电流检测与保护

  • 运放配置‌:3个轨到轨运算放大器(OP1P/OP1N/OP1O等)用于分流电阻信号调理。
  • 过流比较器‌:阈值255mV±20mV(典型值),支持硬件锁存或MCU中断两种保护模式(通过OC_SEL引脚选择)。

三、典型应用设计要点

  1. PCB布局建议
    • 功率路径(VM至电机)采用短而宽的走线,减少寄生电感。
    • 信号线与功率线分层布局,避免交叉干扰。
  2. 外围元件选型
    • 自举电容‌:推荐220nF陶瓷电容(耐压≥VM)。
    • 栅极电阻‌:0.1Ω(平衡开关速度与EMI)。
    • 电流检测‌:差分放大电路需匹配运放输入阻抗(推荐100kΩ级电阻)。
  3. 保护电路配置
    • 过流保护‌:通过OCCOMP引脚连接分流电阻,阈值电压可通过外部电阻分压调整。
    • 热管理‌:结温超过140℃触发关断,需确保散热焊盘与地平面充分连接(热阻45.6°C/W)。

四、型号差异与选型指南

型号运放数量GPIO数量VREF+引脚适用场景
A1/A2323独立多相电流检测
B1/B2123内部绑定VDD单相低成本方案

‌:A2/B2版本未引出VBAT和VREF+引脚,需通过内部电压基准缓冲器禁用。

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