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HV56266高电压触觉驱动评估套件技术解析与应用指南

科技观察员 2025-10-10 15:47 次阅读
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Microchip Technology EV86G67A触觉评估套件是一款演示平台,用于采用HV56266高压运算放大器的触觉应用。EV86G67A 套件包括一个控制器板和一个驱动器板。控制器板使用ATSAML21J18B-MNT SAM MCU微芯片开发,并提供了图形用户界面 (GUI)。GUI通过USB端口和命令发送波形图到MCU。该驱动器板提供B类缓冲器、HV56266高压运算放大器、5V线性稳压器、12V至130V升压转换器。EV86G67A触觉评估套件具有4MB闪存、12V至5V线性稳压器以及高达3.4μF的电容式负载。EV86G67A触觉评估套件工作在12V输入电源±5%电源电压轨上。

数据手册:*附件:Microchip Technology EV86G67A触觉评估套件数据手册.pdf

特性

  • 115mm x 85mm驱动器板尺寸
  • 51mm x 42mm控制器板尺寸
  • 8引脚2.54mm间距排针连接器
  • 用于ICE编程器的10引脚1.27mm间距连接器
  • 4Mbit闪存
  • 4引脚2.54mm间距水平排针连接器

EV86G67A评估板图示(控制器板)

1.png

EV86G67A评估板图示(驱动器板)

2.png

驱动器板原理图

3.png

HV56266高电压触觉驱动评估套件技术解析与应用指南

一、产品核心架构解析

HV56266评估套件‌由驱动板与控制器板组成完整系统,专为触觉反馈应用设计。驱动板核心采用HV56266单通道+300V高压运算放大器,配合Class B缓冲级提升驱动能力,关键特性包括:

  • 高压放大模块‌:HV56266可将低压输入信号转换为最高295V输出,闭环增益由外部电阻配置
  • 增强驱动设计‌:4对N/P沟道高压MOSFET(TN2130MF-G/TP5335MF-G)并联构成缓冲级,支持3.4μF容性负载驱动
  • 电源管理系统‌:集成12V→130V DC/DC升压转换器(MCP1633控制器)和12V→5V LDO(MCP1799T)

控制器板基于ATSAML21J18B-MNT微控制器,提供:

  • 波形生成‌:内置12位DAC,支持正弦波(100-400Hz)和用户自定义波形
  • 人机交互‌:通过USB接口连接PC端GUI软件实现参数配置
  • 扩展接口‌:10pin 2.54mm间距连接器支持第三方控制器接入

二、硬件设计要点

1. 关键电路实现

  • Class B缓冲级‌:采用四路TN2130K1/TP5335K1 MOSFET阵列,每路配置51Ω栅极电阻(R1/R6/R7/R8)和12V齐纳二极管(D1-D9)保护
  • PCB热管理‌:44×22mm裸露铜区域(顶层和底层各两块)配合2.5oz厚铜设计,确保MOSFET散热需求
  • 安全设计‌:
    • 红色LED故障指示(HV<80V时触发)
    • 所有高压区域明确标注警告标识
    • 关键测试点间距符合高压爬电距离要求

2. 接口定义

接口引脚信号类型功能描述
J1输出1-4模拟信号高压输出(HVOUT_B)及接地
J2控制1-10混合信号包含EN_AMP使能、VREF_AMP参考电压等控制信号

三、软件开发与调试

1. 软件工具链

  • MPLAB IPE‌:用于固件烧录(支持PICkit4/ICE编程器)
  • 专用GUI软件‌:提供波形配置界面,主要功能包括:
    • 预设正弦波(90V/100Hz至120V/400Hz组合)
    • CSV格式用户波形导入(支持8000点/秒采样率)
    • 实时启停控制
  1. 硬件触发模式‌:
    • 板载按钮循环切换三种内置波形
    • 无需PC连接即可快速验证

四、典型应用场景

1. 触觉反馈系统设计

  • 参数配置建议‌:
    • 驱动电压:80-120V(根据执行器规格调整)
    • 工作频率:100-250Hz(触觉最佳感知范围)
    • 占空比:1:4(10周期工作/40周期休息)
  • 波形优化技巧‌:
    • 采用缓启动波形减少冲击电流
    • 叠加高频谐波(>200Hz)增强触觉清晰度

2. 高压驱动设计参考

  • 布局规范‌:
    • 高压走线间距≥1.5mm/100V
    • 采用星型接地分离数字/模拟地
    • 关键路径使用Guard Ring保护
  • 元件选型‌:
    • 升压电感:Wurth 750319873(1:5绕制比)
    • 功率MOSFET:TN2130MF-G(300V/85mA)

五、测试验证方法

  1. 基础测试项‌:
    • 电源时序验证(12V→5V→130V上电顺序)
    • 空载功耗测试(待机电流<50mA)
    • 满负载温升测试(MOSFET结温<85℃)
  2. 波形质量评估‌:
    • 使用高压差分探头(带宽≥500MHz)
    • 关注指标:
      • 上升时间(典型值<5μs)
      • 过冲(要求<5%)
      • THD(100Hz时<3%)
  3. 可靠性测试‌:
    • 连续工作8小时老化测试
    • 高低温循环(-40℃~85℃)
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