‌74SSTUB32868 28位至56位带地址奇偶校验的注册缓冲器技术文档总结

这款 28 位 1：2 可配置寄存器缓冲器设计用于 1.7V 至 1.9V VCC操作。每个 DIMM 需要一个设备来驱动多达 18 个 SDRAM 负载，或者每个 DIMM 需要两个设备来驱动多达 36 个 SDRAM 负载。

除芯片选择栅极使能 （CSGEN）、控制 （C） 和复位 （RESET） 输入外，所有输入均SSTL_18。 它们是 LVCMOS。所有输出都是边沿控制电路，针对未端接的DIMM负载进行了优化，符合SSTL_18规格，但漏极开路误差（QERR）输出除外。
*附件：74sstub32868.pdf

74SSTUB32868 采用差分时钟（CLK 和 CLK）供电。数据在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉点上记录。

74SSTUB32868 在奇偶校验位 （PAR_IN） 输入端接受来自存储器控制器的奇偶校验位，将其与独立于 DIMM 的 D 输入（C = 0 时为 D1-D5、D7、D9-D12、D17-D28;C = 1 时为 D1-D12、D17-D20、D22、D24-D28）上接收到的数据进行比较，并指示 漏极开路 QERR 引脚（低电平有效）。约定是偶数奇偶校验，即有效奇偶校验定义为 与 DIMM 无关的数据输入与奇偶校验输入位相结合的 1 个数。要计算奇偶校验，所有与 DIMM 无关的 D 输入都必须连接到已知的逻辑状态。

74SSTUB32868 包括奇偶校验功能。奇偶校验在应用到的数据输入后一个周期到达，在设备的PAR_IN输入上进行检查。数据注册后两个时钟周期，生成相应的 QERR 信号。

如果发生错误并且 QERR 输出被驱动为低电平，则它将保持低电平锁存至少两个时钟周期或 直到RESET被驱动为低电平。如果发生两个或多个连续奇偶校验错误，则QERR输出被驱动为低电平并锁存为低电平，时钟持续时间等于奇偶校验错误持续时间，或者直到RESET被驱动为低电平。如果在器件进入低功耗模式（LPM）之前，时钟周期上发生奇偶校验错误，并且QERR输出被驱动为低电平，则在LPM持续时间加上两个时钟周期内或直到RESET被驱动为低电平。与 DIMM 相关的信号（DCKE0、DCKE1、DODT0、DODT1、DCS0 和 DCS1）不包括在奇偶校验计算中。

C输入控制从寄存器A配置（低电平时）到寄存器B配置（高电平时）的引脚配置。正常工作期间不应切换 C 输入。它应该硬连线到有效的低电平或高电平，以将寄存器配置为所需模式。

在DDR2 RDIMM应用中，RESET被指定为相对于CLK和CLK完全异步的 时钟。因此，无法保证两者之间的时间关系。进入复位时，寄存器被清除，数据输出相对于禁用差分输入接收器的时间快速驱动为低电平。然而，当复位出来时，寄存器相对于时间迅速激活 启用差分输入接收器。只要数据输入为低电平，并且时钟在从RESET的低到高转换到输入接收器完全使能期间保持稳定，74SSTUB32868的设计就必须确保输出保持低电平，从而确保输出上没有毛刺。

为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出，在上电期间必须将RESET保持在低电平状态。

该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时，差分输入接收器为： 禁用和未驱动（浮动）数据、时钟和基准电压 （V 裁判 ） 输入。此外，当RESET为低电平时，所有寄存器都被复位，除QERR外，所有输出都强制为低电平。LVCMOS RESET和C输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。

该器件还通过监控系统芯片选择（DCS0和DCS1）和CSGEN输入来支持低功耗有源作，并在CSGEN、DCS0和DCS1输入为高电平时将门控Qn输出的状态变化。如果 CSGEN、DCS0 或 DCS1 输入为低电平，则 Qn 输出工作正常。此外，如果 DCS0 和 DCS1 输入均为高电平，则器件将阻止 QERR 输出发生状态变化。如果 DCS0 或 DCS1 为低电平，则 QERR 输出正常工作。RESET输入优先于DCS0和DCS1控制，当驱动低电平时，Qn输出为低电平，QERR输出为高电平。如果芯片选择控制 不需要功能，则CSGEN输入可以硬接线到地，在这种情况下，DCS0和DCS1的建立时间要求将与其他D数据输入相同。控制低功耗 模式，则 CSGEN 输入应上拉至 VCC通过上拉电阻器。

两个V裁判引脚（A5 和 AB5）在内部连接在一起大约 150 个。但是，只需连接两个 V 中的一个裁判引脚连接到外部V裁判电源。未使用的 V裁判引脚应以 V 结尾裁判耦合电容器。

特性

• 德州仪器 （TI） Widebus+ ™ 系列成员
• 引脚排列优化了 DDR2 DIMM PCB 布局
• 1 对 2 输出支持堆叠式 DDR2 DIMM
• 每个 DIMM 需要一个设备
• 芯片选择输入可控制数据输出的状态变化，并最大限度地降低系统功耗
• 输出边沿控制电路可最大限度地降低未端接线路中的开关噪声
• 支持SSTL_18数据输入
• 差分时钟（CLK和CLK）输入
• 支持芯片选择栅极使能、控制和RESET输入上的LVCMOS开关电平
• 检查与 DIMM 无关的数据输入上的奇偶校验
• 支持工业温度范围（-40°C 至 85°C）
• 重置输入禁用差分输入接收器，复位所有寄存器，并强制所有输出为低电平，QERR除外
• 应用
  • DDR2 寄存器 DIMM

参数

‌1. 核心特性‌

• 属于德州仪器Widebus+™系列，专为DDR2寄存式双列直插内存模块（RDIMM）设计。
• 采用1:2输出配置，支持堆叠式DDR2 DIMM布局优化，每个DIMM仅需1片器件即可驱动18个SDRAM负载（2片可驱动36个）。
• 支持SSTL_18数据输入和LVCMOS控制信号（CSGEN、C、RESET），差分时钟输入（CLK/CLK）。
• 集成地址奇偶校验功能：通过PAR_IN引脚接收控制器奇偶位，与DIMM独立数据输入（D1-D28）比对，通过QERR引脚输出错误指示（偶校验规则）。

‌2. 关键功能模块‌

• ‌低功耗控制‌：
  • 通过RESET禁用差分接收器并复位寄存器（输出强制为低，QERR除外）。
  • 芯片选择（DCS0/DCS1）和CSGEN输入可门控输出状态以降低动态功耗。
• ‌配置模式‌：
  • C引脚控制寄存器配置（A模式：C=0；B模式：C=1），影响数据输入/输出引脚映射。
• ‌时序要求‌：
  • 最高时钟频率410MHz，CLK/CLK上升/下降时间最小1ns。
  • 奇偶校验延迟：数据输入后2个时钟周期生成QERR信号。

‌3. 电气参数‌

• 工作电压：1.7V至1.9V（VCC），参考电压VREF=0.5×VCC。
• 工业级温度范围：-40°C至85°C。
• 输出驱动能力：支持SSTL_18规范（除开漏QERR引脚）。

‌4. 封装与订购信息‌

• 封装：176引脚TFBGA-ZRH（型号74SSTUB32868ZRHR）。
• 顶部标记：SB868，符合RoHS标准，MSL3级湿度敏感等级。

‌5. 应用场景‌

• 主要用于DDR2 RDIMM，优化信号完整性和功耗，适用于高密度内存系统设计。