如何把握5G基础设施市场机遇？Qorvo IDP高性能解决方案总经理这么说

随着市场的发展，5G已经呼之欲出，基础设施市场的机会也在逐年增加，其中MIMO PA年复合增长率将达到135%，射频前端模块的年复合增长率将达到119%。

面对巨大的市场潜力，Qorvo在IDP（Infrastructure & Defense Products）领域一直秉承着推动可持续发展的战略，提供最新的产品和技术，与客户建立一种互惠互利的关系，以达到共赢。近日，Qorvo IDP 高性能解决方案事业部总经理Roger Hall便与诸多媒体共聚一堂，分享了Qorvo在基础设施领域最新的产品与技术动态。

全线射频技术布局，提供更高整合度解决方案

Roger指出，5G时代的技术发展其中很大部分是由Qorvo所推动，在现有基站基础上发展起来的，能够帮助消费者实现更高效的设备使用。此外，Qorvo还可以给无线电提供新的RF产品，希望能和客户共同开发集成式/系统级的解决方案，降低他们的成本，包括移动设备解决方案。

同时，RF产品还需要尽可能的绿色环保，因为降低功耗也是消费者的需求之一。目前，硅基技术已经很成熟了，但Qorvo希望能够选择更绿色低能耗的解决方案，如何把RF元件整合于一个系统十分关键，Roger在分享中也一直在强调“系统解决方案”的重要性。他认为Qorvo不仅只是提供产品，更重要的是要帮助客户找到最好的解决方案。因为射频系统非常复杂，尤其是那些需要使用高载波频率和宽频带的新技术，包括载波聚合，massive MIMO以及5G。为了让RF器件更好地工作在一个系统中，Qorvo在先进封装技术上投入很大，同时也在提高芯片的集成度以帮助客户在一块芯片上集成更多器件，如此一来，客户在使用这些器件时就会简单许多。

作为全球技术领先的IDM大厂，Qorvo确实有实力为客户提供完整的解决方案。目前，Qorvo的产品种类已经全面覆盖使用多种工艺（GaN，GaAs等）实现的功放，收发器，LNA，射频开关，以及BAW和SAW滤波器。每一个产品种类下都有丰富的产品型号，并在射频链路中占据重要地位。除了有先进的技术研发外，Qorvo还拥有独立的封装厂和制造厂，有利于控制成本和稳定质量，加快高集成度产品的研发进度。

5G来临，GaN将在射频应用中脱颖而出？

谈及5G应用，Roger指出了三大不同领域：提升了的移动宽带、大规模物联网与关键业务服务，每一个领域都会有不同的应用方向，会使用不同的部署方案。他举例说到，在中国消费者会更关注如何来提升自己的效率和生产率，而美国可能会更关注如何提升用户体验。正是由于不同国家有不同的需求，Qorvo在全球的产品与方案部署上也会有所侧重。

不过，毋庸置疑的无论是在中国还是美国，运营商们都在紧锣密鼓加速部署5G，在这个领域也有许多不同的技术与解决方案。据Roger介绍，未来5G基站的天线口等效功率（EIRP）为65dBm，那我们则可以通过PA功率—天线阵列有源元件图曲线了解不同技术方案所需要的元件数量，推测在什么条件下使用氮化镓，砷化镓，锗化硅等，也可以看到在哪种解决方案可以得到最低的功耗，然后选择出合适的技术。

如果利用不同材料的MIMO天线图进行对比更加直观：SiGe基MIMO天线有1024个元件，裸片面积为4096平方毫米，辐射功率是65dbm；如果利用GaN基MIMO天线，功耗能够减少40%，裸片面积减少94%，而成本也能减少80%。实际上，Qorvo一直在为帮助消费者选择合适的技术解决方案而不断努力。

Q：目前市场上的GaN功率组件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，两者如何选择？Qorvo是如何布局的？

Roger：Qorvo没有反对碳基、硅基氮化镓，但是现在会更倾向于碳化硅基氮化镓作为将来发展的方向，如果生产量上去的话，成本应该能够降下来。Qorvo也始终把自己当做一个很好的中间商，希望找到最低的成本，最高效的技术，并把它整合为集成式的系统解决方案，为用户带来最好性能的整合以及技术核心。

此前，Qorvo推出了业界首款适用于 39GHz 5G 频段的碳化硅基氮化镓 （GaN-on-SiC） 前端模块 （FEM） 。这款 FEM 设计独特，在小尺寸里集成了两个强大的多功能 GaN MMIC，解决了电信设备制造商在设计 5G 基站时面临的复杂挑战。

现在，Qorvo也在积极向市场推出28GHz的前端模块。据Roger介绍，该前端模块更大可能应用于基站，因为GaN所要求的工作电压远大于手机电压，所以不太可能用作手机功放，但Qorvo也正在积极思考是否能够找到合适的技术并且将GaN运用至更广泛的领域。