‌TPIC6273芯片技术文档摘要

该TPIC6273是一款单片高压大电流逻辑八进制D型锁存器，具有DMOS晶体管输出，设计用于需要相对高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。

该TPIC6273包含八个正边沿触发的D型触发器，具有直接清晰的输入。每个触发器都具有漏极开路功率DMOS晶体管输出。
*附件：tpic6273.pdf

当清除（CLR）为高电平时，D输入端满足建立时间要求的信息将传输到时钟脉冲正向沿的DRAIN输出。时钟触发发生在特定的电压电平下，与正向脉冲的转换时间没有直接关系。当时钟输入（CLK）处于高电平或低电平时，D输入信号在输出端没有影响。提供异步CLR，用于关闭所有八个DMOS晶体管输出。

该TPIC6273的特点是在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内工作。

特性

• 低 r DS（开） . . .1.3 典型值
• 雪崩能源 . . .75 毫焦
• 八个功率DMOS晶体管输出，连续电流为
  250 mA
• 每个输出1.5A脉冲电流
• 输出箝位电压高达 45 V
• 低功耗

参数

‌1. 核心功能‌
TPIC6273是德州仪器（TI）设计的高压大功率逻辑八路D型锁存器，集成DMOS晶体管输出，主要特性包括：

• ‌输出能力‌：8路独立输出，每路支持250mA连续电流/1.5A脉冲电流，输出钳位电压高达45V
• ‌保护特性‌：内置输出端电压钳位，提供75mJ雪崩能量保护（用于感性负载瞬态抑制）
• ‌逻辑控制‌：正边沿触发D型触发器，带异步清除(CLR)功能，时钟触发与上升沿时间无关

‌2. 电气特性‌

• ‌工作范围‌：逻辑供电电压4.5-5.5V，工作温度-40°C至125°C
• ‌导通电阻‌：典型值1.3Ω（ID=250mA时）
• ‌开关性能‌：
  • 传播延迟（CLK→输出）：低至高电平625ns（典型），高至低电平150ns（典型）
  • 上升/下降时间：675ns（tr）、400ns（tf）

‌3. 封装与热管理‌

• ‌封装选项‌：20引脚SOIC(DW)或PDIP(N)封装
• ‌散热参数‌：
  • DW封装热阻111°C/W（结到环境）
  • 最大功耗：1125mW@25°C（需按9.0mW/°C降额）

‌4. 典型应用‌
适用于继电器、电磁阀等中高电流/高压负载驱动，文档包含：

• 完整引脚定义（含CLK、CLR、D1-D8输入及DRAIN1-8输出）
• 功能真值表与时序图
• 雪崩能量测试电路及热特性曲线