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ESD751与ESD761:24V单通道ESD保护二极管技术解析

科技观察员 2025-09-02 09:30 次阅读
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Texas Instruments ESD751/ESD751-Q1和ESD761/ESD761-Q1 ESD保护二极管是适用于USB电力输送 (USB-PD) 的单通道低电容双向ESD保护器件。这些器件旨在耗散超过IEC 61000-4-2国际标准所规定最高水平(分别为±22kV接触放电、±22kV气隙放电,以及±15kV接触放电、±15kV气隙放电)的接触ESD冲击。 ESD751/ESD751-Q1和ESD761/ESD761-Q1具有低动态电阻和低钳位电压,有助于保护系统免受瞬态事件的影响。这种保护至关重要,因为工业系统对鲁棒性和可靠性的要求很高。Texas Instruments ESD751-Q1和ESD761-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100认证

数据手册:

*附件:ESD751,ESD761数据手册.pdf

*附件:ESD751-Q1,ESD761-Q1数据手册.pdf

特性

  • IEC 61000-4-2 4级ESD保护
    • ±22kV或±15kV接触放电
    • ±22kV或±15kV气隙放电
  • 强大的浪涌保护
    • IEC 61000-4-5 (8/20µs) (2.8A或1.8A)
    • 工作电压:24V
  • 双向 ESD 保护
  • 低钳位电压可保护下游元件
  • 温度范围:–55°C至+150°C
  • I/O电容= 1.6pF或1.1pF(典型值)
  • 采用标准引线封装和0402占位尺寸封装(SOD-523 (DYA)和X1SON (DPY))
  • 用于自动光学检测 (AOI) 的引线封装

典型应用

1.png

ESD751与ESD761:24V单通道ESD保护二极管技术解析

产品概述

ESD751和ESD761是德州仪器(TI)推出的24V工作电压单通道双向ESD保护二极管,专为USB电源传输(USB-PD)和工业控制网络应用设计。这两款器件采用紧凑封装,提供出色的ESD保护性能,满足IEC 61000-4-2 Level 4标准要求。

主要特性

  • 卓越的ESD保护能力‌:
    • ESD751支持±22kV接触放电和±22kV空气放电
    • ESD761支持±15kV接触放电和±15kV空气放电
  • 强大的浪涌保护‌:
    • ESD751:IEC 61000-4-5(8/20μs)2.8A
    • ESD761:IEC 61000-4-5(8/20μs)1.8A
  • 宽工作温度范围‌:-55°C至+150°C
  • 低钳位电压‌:有效保护下游组件
  • 低I/O电容‌:
    • ESD751:1.6pF(典型值)
    • ESD761:1.1pF(典型值)

封装选项

型号封装类型尺寸(长×宽)适用场景
ESD751SOD-523 (DYA)1.6×0.8mm需要自动光学检测(AOI)的应用
ESD761X1SON (DPY)1.0×0.6mm超紧凑空间要求的应用

应用领域

  1. USB电源传输(USB-PD)
    • VBUS保护
    • I/O线路保护
  2. 工业控制网络
    • DeviceNet网络
    • 智能配电系统
    • 4/20mA电流环路
    • PLC浪涌保护
    • ADC浪涌保护

技术细节

电气特性

  • 反向截止电压(VRWM) ‌:±24V
  • 击穿电压(VBR) ‌:
    • 正向:25.5V至35.5V(ESD751),-35.5V至-25.5V(ESD761)
    • 反向:-35.5V至-25.5V(ESD751),25.5V至35.5V(ESD761)
  • 泄漏电流‌:VIO=±24V时最大50nA
  • 动态电阻‌:0.6Ω(ESD751),0.53Ω(ESD761)

热性能

热参数ESD751 (DYA)ESD761 (DPY)单位
结至环境热阻746.3282.3°C/W
结至外壳(顶部)热阻301.2150.6°C/W
结至板热阻509.698.3°C/W

典型应用设计

在USB-PD应用中,ESD751/ESD761可有效保护VBUS、CC1、CC2、SBU1、SBU2、D+和D-等线路。典型应用电路设计要点包括:

  1. 布局指南‌:
    • 尽可能靠近连接器放置保护器件
    • 保持保护走线尽量直,避免尖锐转角
    • 使用厚而短的接地回线
    • 尽量减少受保护走线与未保护走线之间的耦合
  2. 设计考虑‌:
    • 确保最大电压规格不被超出
    • 考虑短路事件下的保护能力(VRWM=±24V)
    • 双向特性确保正负极性均受保护
    • 低电容特性支持高达480Mbps的数据速率

性能曲线分析

器件提供详细的性能曲线,包括:

  • 正负TLP(传输线脉冲)曲线
  • ±8kV钳位IEC波形
  • 电容随偏置电压变化曲线
  • 泄漏电流随温度变化曲线
  • 插入损耗特性

这些曲线为工程师提供了全面的器件性能参考,有助于优化系统设计。

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