CSD95379Q3M 同步降压 NexFET 功率级数据手册

CSD95379Q3M NexFET™ 功率级是一个 高度优化的设计，适用于高功率、高密度同步降压转换器。这 产品集成驱动IC和NexFET技术，完成功率级开关 功能。驱动IC内置可选二极管仿真功能，可实现DCM 运行以提高轻载效率。此外，驱动IC支持ULQ模式 启用 Windows 8 的连接待机。当PWM输入处于三态时，静态电流为： 降至 130 μA，可立即响应。当SKIP#保持在三态时，电流会降低 降至 8 μA（恢复开关通常需要 20 μs）。这种组合产生大电流， 采用小型 3.3 mm × 3.3 mm 外形封装，具有高效、高速开关能力。在 此外，PCB 封装已经过优化，有助于缩短设计时间并简化 完成整体系统设计。
*附件：csd95379q3m.pdf

特性

• 12 A 时系统效率为 92.5%
• 12 A 时 1.8 W 的超低功耗损耗
• 最大额定连续电流为 20 A，峰值电流为 45 A
• 高频工作（高达 2 MHz）
• 高密度 SON 3.3 mm × 3.3 mm 封装
• 超低电感封装
• 系统优化的PCB封装
• 低静态 （LQ） 和超低静态 （ULQ） 电流模式
• 兼容 3.3V 和 5V PWM 信号
• 带 FCCM 的二极管仿真模式
• 三态 PWM 输入
• 集成自举二极管
• 击穿保护
• 符合 RoHS 标准 – 无铅端子电镀
• 无卤素

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌高效能‌：系统效率达92.5%（12A负载），超低功耗1.8W（12A）。
• ‌高电流能力‌：连续电流20A，峰值电流45A。
• ‌高频操作‌：支持高达2MHz开关频率。
• ‌紧凑封装‌：3.3mm×3.3mm SON封装，超低电感设计。
• ‌工作模式‌：支持低静态电流（LQ/ULQ）、二极管仿真模式（FCCM兼容）及三态PWM输入。
• ‌集成保护‌：内置自举二极管、击穿保护，符合RoHS及无卤素标准。

‌2. 应用场景‌

• ‌便携设备‌：笔记本、超极本、平板电脑。
• ‌网络与通信‌：网络设备、电信系统、计算设备的同步降压转换器。

‌3. 功能描述‌

• ‌集成设计‌：驱动IC与NexFET技术结合，优化开关功能。
• ‌电源管理‌：
  • ‌VDD供电‌：外部4.5V-5.5V驱动电压，需1μF陶瓷电容旁路。
  • ‌自举电路‌：0.1μF电容连接BOOT与BOOT_R引脚，驱动控制FET。
• ‌保护机制‌：
  • ‌UVLO保护‌：VDD低于阈值时强制关闭驱动。
  • ‌三态逻辑‌：PWM/SKIP#引脚支持低功耗模式（如SKIP#悬空时静态电流降至8μA）。
• ‌零电流检测‌：ZX比较器实现DCM模式，提升轻载效率。

‌4. 电气参数‌

• ‌绝对最大额定值‌：VIN耐压20V，VSW瞬态耐压23V（<10ns）。
• ‌热性能‌：结温范围-40°C至150°C，热阻RθJC(top) 22.8°C/W。
• ‌典型损耗‌：1.8W（12A负载，25°C），随温度/频率调整（见图1-8）。

‌5. 布局与散热建议‌

• ‌PCB设计‌：
  • 输入电容紧贴VIN/PGND引脚，缩短回路。
  • 开关节点（VSW）与电感布局紧凑，降低噪声。
• ‌散热优化‌：
  • 利用地平面散热，分散布置小尺寸热过孔（如10mil孔径）。
  • 示例布局见图14，采用多层板设计（6层1oz铜厚）。

‌6. 性能曲线与设计辅助‌

• ‌图表支持‌：
  • 图1-8提供损耗、SOA、归一化参数曲线。
  • 设计示例：通过归一化曲线调整损耗与温度边界（如频率1.5MHz时损耗倍增系数1.09）。
• ‌计算工具‌：公式1（损耗=输入功率+驱动功率-输出功率）用于系统评估。

‌7. 文档与支持‌

• ‌版本历史‌：2014年4月首发，2016年12月修订（更新UVLO参数等）。
• ‌资源链接‌：TI官网提供数据表更新通知、社区论坛（E2E）及设计支持工具。