中国为最大存储器需求国，紧盯内存价格涨势

继三星于去年年底遭发改委约谈之后，中国反垄断机构最近又约谈了全球第三大存储厂商美光，调查内容可能涉及去年DRAM涨价以及滥用市场支配地位打压中国企业。

近两年随着DRAM价格居高不下，带动上游厂商营收大幅提升。除三星营收、获利创新纪录外，美光于22日公布的2018年第二季度财报也交出史上最好成绩单。财报显示美光2018年第二季度营收达73.5亿美元，同比增加58%。

而在存储产业被三星、海力士、美光把持的局面下，业界对于三大厂商涉嫌达成默契、操纵市场价格的质疑也越来越多。

上个月，三星、海力士以及美光在美国遭遇诉讼，这三家企业被指控在2016-2017年间，互相勾结，限制市场上各种DRAM产品的供应，从而人为地推高了DRAM价格。数据显示，截至2017年年中，三星、海力士、美光三家制造商总共占据96%的全球DRAM芯片市场份额。在诉讼指控的时间段里，DRAM的价格上涨了130%。

2018年对于中国存储产业而言是关键节点。目前，中国存储器产业已经形成以投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动式内存的合肥长鑫，以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营，从目前三家厂商的进度看，其试产时间预计将在2018年下半年，量产时间可能会集中在2019年上半年，这也意味着2019年将成为中国存储器生产元年。

尽管短时间内，中国存储企业并不会对三星美光等构成威胁，但存储巨头显然忌惮在国家政策和资金扶持下的中国存储产业的快速崛起。价格战、专利诉讼战等方式也成为半导体行业打压阻挠新进入者的惯用手段。

据了解，美光存在限制设备商对福建晋华进行供货的行为，这对于正处于试产阶段的福建晋华而言无疑形成了重大压力和挑战。

一位法律界从业人士告诉记者，根据中国反垄断法的规定，市场份额占比超过50%，可以推定为具有市场支配地位。但是否涉嫌垄断，不能仅凭借市场份额作为判定的依据，而是以是否实施反垄断法规定具体垄断行为为依据，如果调查证明三大厂商联合涨价，则构成中国反垄断法禁止的垄断协议行为。同时，美光限制设备商供货之举属于限定交易，显然有悖于中国反垄断法的有关规定。

全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈，最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高......

全球内存市占率第三的美光半导体传出在5月24日被中国商务部反垄断局约谈。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)查证指出，美光被约谈最主要原因是标准型内存已连续数季价格上扬，导致中国厂商不堪成本负荷日渐提高，加上限制设备商供货给福建晋华俨然是妨碍公平竞争行为。2018年第一季三星、SK海力士与美光在DRAM产业囊括约96%的市占率，与其他终端产品所采用的半导体组件相比，似乎已明显构成垄断的条件，未来反垄断调查的事件可能将持续发生，并且可能将压抑内存涨幅。

DRAMeXchange指出，2018年第一季存儲器三大厂商三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率分别为44.9%、27.9%、22.6%，显示出DRAM明显已是寡占格局。而据了解，中国反垄断法最终目的在维护市场的公平竞争，任何具有市场支配地位的经营者，不得滥用该市场优势来操弄价格。另一方面，由于DRAM生产周期长达八周以上，从投入资本支出后，到新增产能、颗粒产出更长达至少一年，DRAM厂商最容易在反垄断条文中「限制商品中销售数量」被调查。

中国为最大存储器需求国，紧盯内存价格涨势

此外，中国市场对于全球DRAM和NAND的消化量已经高达20%与25%，存为儲器最大需求国。尽管中国各地正积极进行半导体扶植计划，但要达到「技术自主研发」与「稳定量产规模」两项目标仍需要至少数个季度以上的时间，对解决成本压力的燃眉之急是远水救不了近火。除了此次美光被约谈之外，今年年初存儲器龙头厂商三星半导体也被中国的国家发展和改革委员会约谈，虽然目前没有证据显示这二者事件有关联性，但足以显示中国官方对于DRAM价格高涨的重视。

DRAMeXchange分析，由于中国占全球的存儲器的消耗量非常可观，且厂商对于中国市场普遍采取高度尊重的态度，因此相关事件无疑将造成后续内存价格上涨受到压抑。以DRAMeXchange最新资料指出，三大DRAM厂商今年首季营业利益率(OP Margin)已达50-70%的水位，不仅是历史最高，该产品的获利能力甚至超过技术层级更高的中央处理器(Application Processor)，此现象史上未见。而DRAM厂为改善供货吃紧状况，近两年持续增加资本支出，然在制程持续微缩困难的状态下，各厂唯有透过扩产才能有效增加供给，预估DRAM新产能开出态势将于2019年更为明显。