0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

奇异摩尔荣获2025中国创新IC强芯-创新突破奖,助力国产化芯片技术突破

奇异摩尔 来源: 奇异摩尔 2025-07-14 14:05 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

7月11日,2025年度中国创新IC-强芯奖颁奖典礼在ICDIA创芯展上揭晓获奖名单。奇异摩尔申报的Kiwi 3D Base Die产品从申报的142款产品中脱颖而出,荣获创新突破奖。据悉,“强芯评选”作为一年一度的国产IC权威推优平台,始终致力于鼓励设计创新、推动“国芯国用”、促进整机联动、加速成果转化,为国产集成电路产业的蓬勃发展注入强劲动力。

有源基板Base Die的架构创新

一种基于Silicon的Chiplet技术能让高性能芯片获得更高的传输速度并降低各个模块之间的传输功耗;它就是Active Silicon Interposer 又名有源基板 Base Die。举例说明,Intel 的Lakefield运用Base Die充当Compute Die的传输通道;此外与Passive Interposer有所不同的是:Base Die 集成了类似PCH的逻辑电路。由于Base Die需要很多过孔TSV,其技术难度较大。

caf028ec-605f-11f0-baa5-92fbcf53809c.png

(图: Intel LakeField CPU架构)

AMD MI350:

3.5D IC 继续沿用Base Die

cb08a85e-605f-11f0-baa5-92fbcf53809c.jpg

(来源:The serverhome)

今年在Advancing AI大会上,AMD 重磅发布下一代3.5D GPU MI350 ; AMD利用MI300发布后的两年时间对芯粒架构进行了优化。从晶圆布局可见,芯片设计进行了微调:The Base Active Interposer Dies (即 3D Base Die)从四个象限合并为两个光罩尺寸的半区,HBM存储器的位置调整使得结构支撑硅片从HBM堆栈之间转移到了边角位置。

cb183cc4-605f-11f0-baa5-92fbcf53809c.png

(来源:AMD Advancing AI 2025)

这种布局显著优化了芯粒间的通信——直接消除了整个2.5D Infinity Fabric先进封装连接的轴向传输,减少芯片边界穿越次数从而节省功耗与面积。同时解决了MI300时代对角象限芯片需要两次跨芯片跳转通信的问题。

上述the Base Active Interposer Die 和奇异摩尔Central IOD互联系列3D Base Die 互联芯粒如出一辙。Kiwi 3D Base Die是用于高性能chiplet 芯片的片内互联芯粒,支持 3D封装方式。该系列以高性能片上网络为互联核心,通过3D Die2Die 接口和封装,实现远超平面芯片的互联效率。并整合了多种等高速互联接口,搭配大容量的片上近存,可实现高效的片内数据传输调度与存储,成为高性能3D芯片的基础底座。

这种设计对3D堆叠良率提出了更高要求。AMD继续采用台积电SoIC混合键合工艺,现在每个基础芯片需要键合两倍数量的加速器复合芯片(XCD),若出现缺陷将导致更严重的良率损失和硅片浪费。AMD敢于选择这种方案,印证了台积电SoIC工艺的成熟度,以及双方长达五年(AMD作为SoIC首位客户)的深度合作。

虽然仍采用台积电N6工艺,但基础芯片已获得多项速度升级:剩余芯片间互连带宽从4.8TB/s双向等效提升至5.5TB/s;纵向扩展的Infinity Fabric速度提升20%;更重要的是内存控制器现已支持更快的HBM3E。AMD坚持使用经过验证的CoWoS-S封装技术连接3D Base Die和HBM,强调其封装尺寸与MI300保持一致。

计算芯片方面,XCD从N5工艺升级至台积电N3P节点。此次AMD仅启用了芯片上36个CU中的32个(MI300为40个启用38个)。值得注意的是,XCD在Base Die上的朝向发生变化,数据焊盘现在位于Base Die中央区域,数据经256MB末级内存附加缓存(MALL)后最终抵达HBM。

创始人田陌晨在2021年奇异摩尔创立之初就秉承为国创业的精神,深耕Chiplet赛道,奇异摩尔是国内最早布局3D Base Die 互联芯粒的科创企业之一,凭借在有源基板3D base tile的设计能力以及先进封装方面的资源整合成功联合学术界在国内首次实现三维存算一体芯片技术突破。

cb316c62-605f-11f0-baa5-92fbcf53809c.jpg

此次获得 “2025 中国创新 IC 强芯 - 创新突破奖”,既是对奇异摩尔的肯定,也在实际应用潜力上取得了业界的高度认可。未来公司将继续以创新为驱动,不断探索技术新场景,构建半导体产业新生态,为高性能 AI 计算领域的发展持续贡献力量,助力国产集成电路产业迈向新的高度。

关于我们

AI网络全栈式互联架构产品及解决方案提供商

奇异摩尔,成立于2021年初,是一家行业领先的AI网络全栈式互联产品及解决方案提供商。公司依托于先进的高性能RDMA 和Chiplet技术,创新性地构建了统一互联架构——Kiwi Fabric,专为超大规模AI计算平台量身打造,以满足其对高性能互联的严苛需求。我们的产品线丰富而全面,涵盖了面向不同层次互联需求的关键产品,如面向北向Scale-out网络的AI原生超级网卡、面向南向Scale-up网络的GPU片间互联芯粒、以及面向芯片内算力扩展的2.5D/3D IO Die和UCIe Die2Die IP等。这些产品共同构成了全链路互联解决方案,为AI计算提供了坚实的支撑。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • chiplet
    +关注

    关注

    6

    文章

    482

    浏览量

    13503
  • 奇异摩尔
    +关注

    关注

    0

    文章

    73

    浏览量

    3979
  • 芯粒
    +关注

    关注

    0

    文章

    81

    浏览量

    395

原文标题:奇异摩尔荣获2025中国创新IC强芯-创新突破奖,助力国产化芯片技术突破

文章出处:【微信号:奇异摩尔,微信公众号:奇异摩尔】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    电子荣获2025中国汽车芯片创新成果

    自主研发的ADP32F034QP64Q系列(计算类)芯片凭借卓越的技术创新与市场应用价值,成功获推“2025中国汽车芯片
    的头像 发表于 12-01 15:59 137次阅读

    紫光SeDRAM-P300芯片荣获2025中国芯”年度重大创新突破产品

    DRAM芯片(SeDRAM-P300)”产品凭借突出的技术创新能力,荣获本届“中国芯”年度重大创新突破
    的头像 发表于 11-19 17:02 518次阅读
    紫光<b class='flag-5'>国</b><b class='flag-5'>芯</b>SeDRAM-P300<b class='flag-5'>芯片</b><b class='flag-5'>荣获</b><b class='flag-5'>2025</b>“<b class='flag-5'>中国芯</b>”年度重大<b class='flag-5'>创新</b><b class='flag-5'>突破</b>产品<b class='flag-5'>奖</b>

    荣获2025中国创新IC生态贡献

    处理器系列IP荣获2025中国创新IC
    的头像 发表于 07-30 10:55 1887次阅读

    格科GC50E1荣膺2025中国创新IC之潜力新秀

    继成功交付手机品牌终端后,格科自主研发的第二代0.7μm 5000万像素图像传感器GC50E1,凭借突破性的像素设计与优异的成像性能,荣膺集成电路行业权威奖项——2025中国创新
    的头像 发表于 07-22 10:43 843次阅读

    士兰微荣获2025中国创新IC创新突破

    隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC
    的头像 发表于 07-16 18:05 2108次阅读
    士兰微<b class='flag-5'>荣获</b><b class='flag-5'>2025</b><b class='flag-5'>中国</b><b class='flag-5'>创新</b><b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>创新</b><b class='flag-5'>突破</b><b class='flag-5'>奖</b>

    锐成荣获2025中国创新IC生态贡献

    近日,“2025年度中国创新IC-评选”颁奖典礼在苏州举行,锐成
    的头像 发表于 07-16 11:29 795次阅读

    旋极星源荣获2025中国创新IC生态贡献

    近日,苏州金鸡湖国际会议中心——在第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展(ICDIA 2025展)上,旋极星源凭借其自主研发的
    的头像 发表于 07-16 11:28 847次阅读

    科微斩获2025中国创新IC潜力新秀

    近日,第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展(ICDIA创展)在苏州开幕,同期举办的 “2025年度
    的头像 发表于 07-16 11:14 1353次阅读

    科技荣登“2025中国集成电路创新企业”

    。 在大会同期揭晓的“2025中国集成电路创新企业”榜单,凭借在端侧AI芯片方向的架构
    的头像 发表于 06-24 10:57 924次阅读

    喜讯!雅特力科技荣获2025中国IC设计成就之年度技术突破IC设计公司

    近日,备受瞩目的“2025中国IC设计成就”获奖名单正式揭晓!雅特力科技凭借卓越的技术研发实力与前瞻性的产品
    的头像 发表于 03-31 18:57 844次阅读
    喜讯!雅特力科技<b class='flag-5'>荣获</b><b class='flag-5'>2025</b><b class='flag-5'>中国</b><b class='flag-5'>IC</b>设计成就<b class='flag-5'>奖</b>之年度<b class='flag-5'>技术</b><b class='flag-5'>突破</b><b class='flag-5'>IC</b>设计公司

    英诺达荣获2025中国IC设计成就之年度技术突破EDA公司

    2025年3月27、28日,在上海举办的国际集成电路展览会暨研讨会(IIC Shanghai 2025)上,本土EDA企业英诺达携其创新技术成果亮相,并凭借在低功耗设计领域的突破性贡献
    的头像 发表于 03-28 17:42 1402次阅读

    砥砺创新 耀未来——武汉源半导体荣膺21ic电子网2024年度“创新驱动

    2024年,途璀璨,创新不止。武汉源半导体有限公司(以下简称“武汉源半导体”)在21ic电子网主办的2024年度荣耀奖项评选中,凭借卓
    发表于 03-13 14:21

    科技国产电容式MEMS压力传感器芯片突破卡脖子技术

    从设计到生产,包括原材料,全部国产化,无任何外资,不受国外技术或价格影响,供应稳定。3.后续会推出加速度计、陀螺仪、硅麦等产品午科技WXP380 是电容式 MEMS 压力传感器
    发表于 02-19 12:19

    紫光荣获2024中国汽车芯片创新成果

    近日,由中国汽车工业协会、中国汽车工业经济技术信息研究所有限公司联合主办的2024全球汽车芯片创新大会在无锡隆重举行。紫光
    的头像 发表于 12-10 18:04 1430次阅读

    科技荣获2024中国汽车芯片创新成果

    今日从无锡传来喜讯,由科技自主研发的CCFC2012BC(控制类)芯片荣获中国汽车工业协会颁发的“2024
    的头像 发表于 12-09 16:39 1196次阅读